-
公开(公告)号：CN102373032A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110226208.1
申请日：2011-08-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC分类号： C09K3/00
CPC分类号： B32B7/02 , B32B2307/734 , C01G53/40 , C04B35/50 , C04B35/505 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/0058 , H05K2201/068 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供具有负的热膨胀性质的热膨胀抑制部件和具有小的热膨胀的金属基抗热膨胀性部件。更具体地，本发明提供热膨胀抑制部件，其至少包括由以下通式(1)表示的氧化物，和抗热膨胀性部件，其包括在20℃下具有正的线膨胀系数的金属和至少包括由以下通式(1)表示的氧化物的固体，该金属与该固体彼此接合：(Bi1-xMx)NiO3(1)其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
-
公开(公告)号：CN102373032B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110226208.1
申请日：2011-08-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC分类号： C09K3/00
CPC分类号： B32B7/02 , B32B2307/734 , C01G53/40 , C04B35/50 , C04B35/505 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/0058 , H05K2201/068 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供具有负的热膨胀性质的热膨胀抑制部件和具有小的热膨胀的金属基抗热膨胀性部件。更具体地，本发明提供热膨胀抑制部件，其至少包括由以下通式(1)表示的氧化物，和抗热膨胀性部件，其包括在20℃下具有正的线膨胀系数的金属和至少包括由以下通式(1)表示的氧化物的固体，该金属与该固体彼此接合：(Bi1-xMx)NiO3(1)其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
-
公开(公告)号：CN102399443B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110228962.9
申请日：2011-08-11
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC分类号： C04B35/453 , C01G53/006 , C01G53/40 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/61 , C01P2006/32 , C04B35/50 , C08K3/11 , C08K3/22 , C09K5/06 , C22C1/10
摘要： 本发明提供均具有小的热膨胀的树脂系和金属系的抗热膨胀性部件。更具体地，提供抗热膨胀性树脂和抗热膨胀性金属，各自包括在20℃具有正的线膨胀系数的树脂或金属以及分散在该树脂或金属中的固体颗粒，其中该固体颗粒至少包括由下述通式(1)表示的氧化物：(Bi1-xMx)NiO3？(1)，其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
-
公开(公告)号：CN102399443A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110228962.9
申请日：2011-08-11
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC分类号： C04B35/453 , C01G53/006 , C01G53/40 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/61 , C01P2006/32 , C04B35/50 , C08K3/11 , C08K3/22 , C09K5/06 , C22C1/10
摘要： 本发明提供均具有小的热膨胀的树脂系和金属系的抗热膨胀性部件。更具体地，提供抗热膨胀性树脂和抗热膨胀性金属，各自包括在20℃具有正的线膨胀系数的树脂或金属以及分散在该树脂或金属中的固体颗粒，其中该固体颗粒至少包括由下述通式(1)表示的氧化物：(Bi1-xMx)NiO3(1)，其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
-
公开(公告)号：CN111436197B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201880069821.7
申请日：2018-10-26
申请人： 佳能株式会社
摘要： 提供造型物的制造方法，其包括通过进行一次或多次的下述步骤来形成造型物：形成粉末层的步骤，该粉末层含有包含无机化合物粉末的材料粉末，和对所述粉末层的表面的规定区域照射能量束从而使所述材料粉末熔融/凝固的步骤。在使所述材料粉末熔融/凝固的步骤中，通过改变所述能量束的输出功率、所述粉末层的表面与所述能量束的焦点的相对位置和所述能量束的扫描速度中的至少一个来分别形成富非晶区域和富结晶区域。
-
公开(公告)号：CN105272231A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510287878.2
申请日：2015-05-29
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： C04B35/49
CPC分类号： B08B7/02 , B41J2/14201 , B41J2002/14258 , B41J2202/03 , G02B7/09 , G02B27/0006 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H02N2/106 , H02N2/163 , H04N5/2171 , H04N5/2254 , Y10T29/43
摘要： 本发明提供不含铅并且在器件运转温度范围内具有优异且稳定的压电性能的压电材料。为了该目的的本发明是压电材料，其包括：含有由下述通式(1)表示的钙钛矿金属氧化物的主要成分、含有Mn的第一辅助成分、和含有电荷歧化为三价和五价的Bi的第二辅助成分，其中含有的Mn的量为0.0020摩尔-0.0150摩尔，相对于1摩尔的该金属氧化物，并且含有的Bi的量为0.0004摩尔-0.0085摩尔，相对于1摩尔的该金属氧化物。Baa(Ti1-xZrx)O3 (1)(其中0.020≤x≤0.130和0.996≤a≤1.030)。
-
公开(公告)号：CN102884646B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201180021963.4
申请日：2011-02-28
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学 , 学校法人上智学院
CPC分类号： H01L41/18 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/2625 , C04B35/44 , C04B35/453 , C04B35/475 , C04B35/6325 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/449 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H01L41/318 , H02N2/106 , H02N2/163
摘要： 本发明提供具有良好的压电性的Bi-基压电材料。该压电材料包括由下述通式表示的钙钛矿型金属氧化物：Ax(ZnjTi(1-j))l(MgkTi(1-k))mMnO3其中：A表示Bi，任选含有从由三价金属元素组成的组中选择的一种或多种元素；M表示从由Fe、Al、Sc、Mn、Y、Ga和Yb组成的组中选择的至少一种元素；并且满足0.9≤x≤1.25、0.4≤j≤0.6、0.4≤k≤0.6、0.09≤l≤0.49、0.19≤m≤0.64、0.13≤n≤0.48和l+m+n＝1。
-
公开(公告)号：CN102884646A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180021963.4
申请日：2011-02-28
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学 , 学校法人上智学院
CPC分类号： H01L41/18 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/2625 , C04B35/44 , C04B35/453 , C04B35/475 , C04B35/6325 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/449 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H01L41/318 , H02N2/106 , H02N2/163
摘要： 本发明提供具有良好的压电性的Bi-基压电材料。该压电材料包括由下述通式表示的钙钛矿型金属氧化物：Ax(ZnjTi(1-j))l(MgkTi(1-k))mMnO3其中：A表示Bi，任选含有从由三价金属元素组成的组中选择的一种或多种元素；M表示从由Fe、Al、Sc、Mn、Y、Ga和Yb组成的组中选择的至少一种元素；并且满足0.9≤x≤1.25、0.4≤j≤0.6、0.4≤k≤0.6、0.09≤l≤0.49、0.19≤m≤0.64、0.13≤n≤0.48和l+m+n＝1。
-
公开(公告)号：CN102623344A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210074536.9
申请日：2007-11-20
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225
摘要： 本发明涉及底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置。提供一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，其包括：在衬底上形成栅电极；形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；在包含氧化气体的气氛中形成第二绝缘膜；以及对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN102341912A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080009985.4
申请日：2010-03-01
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869
摘要： 含有SnO的半导体膜的形成方法包括形成含SnO的膜的第一步骤；在该含SnO的膜上形成由氧化物或氮化物组成的绝缘膜以提供包括该含SnO的膜和该绝缘膜的层合膜的第二步骤；和对该层合膜进行热处理的第三步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
47 条记录 (耗时 0.048 秒)
