-
公开(公告)号：CN100573942C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710008167.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势垒层(13b)的铟组分。InAlGaN势阱层(13a)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。InAlGaN势垒层(13b)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。
-
公开(公告)号：CN100413103C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510088496.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第1导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第2导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第1导电型氮化物半导体层和第2导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)。InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在发光区域和第1导电型氮化物半导体层之间。InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层的铟组成X1，小于InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3。InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层的铟组成X2小于InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3。
-
公开(公告)号：CN101009352A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710008167.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势垒层(13b)的铟组分。InAlGaN势阱层(13a)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。InAlGaN势垒层(13b)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。
-
公开(公告)号：CN1734802A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510088496.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第1导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第2导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第1导电型氮化物半导体层和第2导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有InX1AlY1Ga1－X1－Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1－X2－Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)。InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在发光区域和第1导电型氮化物半导体层之间。InX1AlY1Ga1－X1－Y1N势阱层的铟组成X1，小于InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。InX2AlY2Ga1－X2－Y2N势垒层的铟组成X2小于InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。
-
公开(公告)号：CN104576869A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410578598.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm-3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不使用包含氢的原料的情况下通过干式工艺来进行，利用蒸镀法形成。低氢含量膜(55)含有电介质、例如硅氧化物。用低氢含量膜(55)覆盖后对半导体区域(53)进行活化退火，由添加Mg的III族氮化物半导体层形成p型III族氮化物半导体层。该活化退火的温度为摄氏600度以上且摄氏1100度以下。低氢含量膜(55)中的残留氢不阻碍氢自添加Mg的III族氮化物半导体层放出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104218119A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410239477.5
申请日：2014-05-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/035236 , G01N23/20 , G01N2223/611 , G01N2223/615 , H01L21/02398 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L22/12 , H01L27/14694 , H01L31/03046 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及半导体元件及其制造方法。一种制造半导体元件的方法，包括通过MOVPE形成多量子阱的步骤，在该多量子阱中，在GaSb衬底上交替地堆叠GaSb层和InAs层，其中，在形成多量子阱的步骤中，将InSb膜形成在InAs层的下表面侧和上表面侧中的至少一个上以至与InAs层接触。
-
公开(公告)号：CN104025318A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280053028.0
申请日：2012-08-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3403 , H01S5/3404 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种设置于半极性面上并抑制了发光所需要的偏压电压的上升的氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制作方法。在具有半极性面的主面(13a)的由六方晶类氮化物半导体构成的支撑基体上设置的发光层(17)的多重量子阱构造由阱层(17a)和阱层(17c)、以及阻挡层(17b)构成，阻挡层(17b)设置于阱层(17a)和阱层(17c)之间，阱层(17a)和阱层(17c)由InGaN构成，阱层(17a)和阱层(17c)具有处于0.15以上0.50以下的范围的铟组成，主面(13a)相对于六方晶类氮化物半导体的c面的倾斜角α处于50度以上80度以下的范围、以及130度以上170度以下的范围中的任一范围，阻挡层(17b)的膜厚的值L处于1.0nm以上4.5nm以下的范围。
-
公开(公告)号：CN103999305A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062606.7
申请日：2012-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/30 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中，发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。
-
公开(公告)号：CN103975491A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060441.X
申请日：2012-12-07
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/2206 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/176
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：由六方晶系III族氮化物半导体形成的具有半极性面的半导体基板；外延层(2)，形成在半导体基板的半极性面上并包括发光层，外延层具有脊部(18)；第一电极(14)，形成在脊部之上；绝缘层(12)，覆盖脊部的周围(18a)和脊部的侧面(18b)的外延层同时从外延层侧连续覆盖第一电极的侧面的至少一部分；焊盘电极(13)，被形成为覆盖在第一电极和绝缘层之上，并且该焊盘电极电连接到第一电极；以及第二电极(15)，形成在半导体基板的、与形成外延层的表面相对的表面上。
-
公开(公告)号：CN102549859B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080043433.5
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
124
records
(took 0.053 seconds)
