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公开(公告)号：CN1641900A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510004321.X
申请日：2005-01-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1AlX1Ga1－X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2AlX2Ga1－X2N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1AlX1Ga1－X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2AlX2Ga1－X2N半导体层被设于发光区域和第1AlX1Ga1－X1N半导体层之间。第2AlX2Ga1－X2N半导体层具有比第1AlX1Ga1－X1N半导体层的p型掺杂剂浓度更小的p型掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN1585144A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410057832.3
申请日：2004-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备GaN基板(1)，以及在该GaN基板(1)的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层。
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公开(公告)号：CN1585144B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200410057832.3
申请日：2004-08-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备GaN基板(1)，以及在该GaN基板(1)的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层。
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公开(公告)号：CN100472825C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200510004321.X
申请日：2005-01-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1AlX1Ga1-X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2AlX2Ga1-X2N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1AlX1Ga1-X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2AlX2Ga1-X2N半导体层被设于发光区域和第1AlX1Ga1-X1N半导体层之间。第2AlX2Ga1-X2N半导体层具有比第1AlX1Ga1-X1N半导体层的p型掺杂剂浓度更小的p型掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN100573942C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710008167.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势垒层(13b)的铟组分。InAlGaN势阱层(13a)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。InAlGaN势垒层(13b)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100413103C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510088496.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第1导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第2导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第1导电型氮化物半导体层和第2导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)。InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在发光区域和第1导电型氮化物半导体层之间。InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层的铟组成X1，小于InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3。InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层的铟组成X2小于InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3。
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公开(公告)号：CN101009352A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710008167.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势垒层(13b)的铟组分。InAlGaN势阱层(13a)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。InAlGaN势垒层(13b)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。
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公开(公告)号：CN1734802A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510088496.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第1导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第2导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第1导电型氮化物半导体层和第2导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有InX1AlY1Ga1－X1－Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1－X2－Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)。InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在发光区域和第1导电型氮化物半导体层之间。InX1AlY1Ga1－X1－Y1N势阱层的铟组成X1，小于InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。InX2AlY2Ga1－X2－Y2N势垒层的铟组成X2小于InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。
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公开(公告)号：CN101981711B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200980110753.5
申请日：2009-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种具有改善的内部量子效率的发光层和具有高的光输出的氮化物半导体发光器件。所述氮化物半导体发光器件包括用于外延生长的单晶衬底(1)、形成在单晶衬底(1)的上表面侧上的第一缓冲层(2)、形成在第一缓冲层(2)的上表面侧上的n-型氮化物半导体层(3)、通过第二缓冲层(4)形成在n-型氮化物半导体层(3)的上表面侧上的第三缓冲层(5)、形成在第三缓冲层(5)的上表面侧上的发光层(6)和形成在发光层(6)的上表面侧上的p-型氮化物半导体层(7)。第三缓冲层(5)用于减少发光层(6)中的线位错和剩余畸变，改善发光层(6)的基层的平坦度，以及进一步地通过利用第三缓冲层(5)中产生的载流子来改变发光层(6)中的压电场，并且在第三缓冲层(5)中添加Si充当施主的杂质。
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公开(公告)号：CN101258616A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032480.3
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下电工株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种半导体发光器件，具有：通过第一缓冲层(2)，在用于外延生长的单晶衬底1的一个表面上形成的n－型氮化物半导体层(3)；在n－型氮化物半导体层(3)的表面上形成的发光层(5)；和在发射光(5)的表面侧上形成的p－型氮化物半导体层(6)。发光层(5)具有AlGaInN量子阱结构，并且在n－型氮化物半导体层(3)和发光层(5)之间布置与发光层(5)的势垒层(5a)具有相同组成的第二缓冲层(4)。在半导体发光器件中，与常规构造相比，可以改善紫外光发光强度，同时使用AlGaInN作为用于发光层的材料。
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