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公开(公告)号：CN102057484A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121341.1
申请日：2009-06-03
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29366 , H01L2224/29386 , H01L2224/8385 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K3/284 , H05K3/305 , H05K2201/068 , H05K2201/10674 , H05K2203/1322 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/05341 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 搭载半导体元件的基板(10)，具有：芯基板(1)、搭载于芯基板(1)的一个面的半导体元件(2)、粘接芯基板(1)和半导体元件(2)的粘接膜(3)、嵌入半导体元件(2)的第一层(4)、设置于芯基板(1)的第一层(4)相反侧的与第一层(4)的材料及组成比率相同的第二层(5)、设置于第一层(4)和第二层(5)的至少一层的表层(6)，并且粘接膜(3)25℃时的储能模量是5～1000MPa，表层(6)在玻璃化转变点Tga℃以下按照JIS C 6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS C 6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tga℃。
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公开(公告)号：CN101822132A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111487.3
申请日：2008-10-15
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H05K1/0271 , H05K3/284 , H05K2203/1322 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种搭载半导体元件的基板(10)，其特征在于，具有：芯基板(1)；在芯基板(1)的一个面上搭载的半导体元件(2)；包埋半导体元件(2)的第一层(3)；在芯基板(1)的与第一层(3)相反的侧上设置的第二层(4)，第二层(4)的材料及组成比例与第一层(3)的材料及组成比例相同；在第一层(3)上以及第二层(4)上设置的至少一层的表层(5)，表层(5)比第一层(3)以及第二层(4)硬。将表层(5)在25℃时的杨氏模量设为X[GPa]，将第一层(3)在25℃时的杨氏模量设为Y[GPa]时，优选满足0.5≤X-Y≤13的关系。
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公开(公告)号：CN101822132B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880111487.3
申请日：2008-10-15
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L2924/0002 , H05K1/0271 , H05K3/284 , H05K2203/1322 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种搭载半导体元件的基板(10)，其特征在于，具有：芯基板(1)；在芯基板(1)的一个面上搭载的半导体元件(2)；包埋半导体元件(2)的第一层(3)；在芯基板(1)的与第一层(3)相反的侧上设置的第二层(4)，第二层(4)的材料及组成比例与第一层(3)的材料及组成比例相同；在第一层(3)上以及第二层(4)上设置的至少一层的表层(5)，表层(5)比第一层(3)以及第二层(4)硬。将表层(5)在25℃时的杨氏模量设为X[GPa]，将第一层(3)在25℃时的杨氏模量设为Y[GPa]时，优选满足0.5≤X-Y≤13的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094133B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310018374.1
申请日：2009-06-03
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29366 , H01L2224/29386 , H01L2224/8385 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K3/284 , H05K3/305 , H05K2201/068 , H05K2201/10674 , H05K2203/1322 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/05341 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 搭载半导体元件的基板（10），具有：芯基板（1）、搭载于芯基板（1）的一个面的半导体元件（2）、粘接芯基板（1）和半导体元件（2）的粘接膜（3）、嵌入半导体元件（2）的第一层（4）、设置于芯基板（1）的第一层（4）相反侧的与第一层（4）的材料及组成比率相同的第二层（5）、设置于第一层（4）和第二层（5）的至少一层的表层（6），并且粘接膜（3）25℃时的储能模量是5～1000MPa，表层（6）在玻璃化转变点Tga℃以下按照JISC6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS C6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tga℃。
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公开(公告)号：CN103094133A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310018374.1
申请日：2009-06-03
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29366 , H01L2224/29386 , H01L2224/8385 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K3/284 , H05K3/305 , H05K2201/068 , H05K2201/10674 , H05K2203/1322 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/05341 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 搭载半导体元件的基板（10），具有：芯基板（1）、搭载于芯基板（1）的一个面的半导体元件（2）、粘接芯基板（1）和半导体元件（2）的粘接膜（3）、嵌入半导体元件（2）的第一层（4）、设置于芯基板（1）的第一层（4）相反侧的与第一层（4）的材料及组成比率相同的第二层（5）、设置于第一层（4）和第二层（5）的至少一层的表层（6），并且粘接膜（3）25℃时的储能模量是5～1000MPa，表层（6）在玻璃化转变点Tga℃以下按照JISC6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS C6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tga℃。
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公开(公告)号：CN102057484B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980121341.1
申请日：2009-06-03
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29366 , H01L2224/29386 , H01L2224/8385 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K3/284 , H05K3/305 , H05K2201/068 , H05K2201/10674 , H05K2203/1322 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/05341 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 搭载半导体元件的基板(10)，具有：芯基板(1)、搭载于芯基板(1)的一个面的半导体元件(2)、粘接芯基板(1)和半导体元件(2)的粘接膜(3)、嵌入半导体元件(2)的第一层(4)、设置于芯基板(1)的第一层(4)相反侧的与第一层(4)的材料及组成比率相同的第二层(5)、设置于第一层(4)和第二层(5)的至少一层的表层(6)，并且粘接膜(3)25℃时的储能模量是5～1000MPa，表层(6)在玻璃化转变点Tga℃以下按照JISC 6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS C 6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tga℃。
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公开(公告)号：CN102318452A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007539.X
申请日：2010-02-08
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H05K3/045 , H05K3/107 , H05K3/281 , H05K3/421 , H05K3/465 , H05K2201/0209 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , Y10T29/49124 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供：具有在复合体的树脂层上所形成的高密接、高可靠性、高频对应的微细布线或通孔的复合体、复合体的制造方法和半导体装置，以及可提供此种复合体的树脂组合物及树脂片。本发明的复合体含有树脂层和导体层，其特征在于，在上述树脂层表面设有最大宽度1μm以上且10μm以下的沟槽，在该沟槽内部设有导体层，与该导体层接触的上述树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05μm以上且0.45μm以下，和/或在上述树脂层设有直径1μm以上且25μm以下的通孔，在该通孔内部设有导体层，且上述通孔内部的树脂层表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.05μm以上且0.45μm以下。本发明的树脂组合物含有无机填充材料和热固性树脂，其特征在于，上述无机填充材料中2μm以上的粗粒在500ppm以下。本发明的树脂片是将由该树脂组合物构成的树脂层形成于基材而成。
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公开(公告)号：CN102316668A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110183977.8
申请日：2011-06-21
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H05K1/02 , H05K3/22 , H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种带金属微细图案的基材的制造方法，所述方法在如同印刷布线板的端子部分等基材上设置的金属微细图案的表面进行非电解镀镍—钯—金处理时，可抑制在作为基底的树脂表面发生金属的异常析出。并且，基于该制造方法可提供具有品质优良的镀敷处理面的带金属微细图案的基材、印刷布线板和半导体装置。所述带金属微细图案的基材的制造方法，包括在作为基底的由树脂所构成的支承表面上设置的沟中，嵌入金属微细图案的下部，并对该金属微细图案的与沟的表面不接触的部分进行非电解镀镍—钯—金的工序，并且进行前述镀敷的区域中突出于支承表面的高度X与图案间的最小距离Y的比值X/Y小于0.8。
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