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公开(公告)号：CN119816118A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510072662.8
申请日：2025-01-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括基底、至少一个第一像素电路，基底包括显示区，所述显示区包括第一显示区；至少一个第一像素电路设置在所述基底上，所述第一像素电路在所述基底上的正投影位于所述第一显示区；所述第一像素电路包括至少一个第一晶体管，所述第一晶体管包括透明的第一有源层，以及绝缘设置在所述第一有源层远离所述基底一侧的第一栅极，所述第一栅极包括第一透光导电层。
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公开(公告)号：CN114639688B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202210248806.7
申请日：2022-03-14
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。所述显示基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极为同步形成的同层结构。上述显示基板，其第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源漏电极为同步形成的同层结构。换言之，在制备显示基板时，第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源漏电极在共同的一次mask工艺中形成，而无需各自通过一次mask工艺来制备。这样就减少了一次mask工艺，具体来说，节省了一次mask工艺所需要的时间，也节省了一次mask工艺所需要的物料和设备等成本，从而一方面提高了显示基板的制备效率，另一方面也降低了显示基板的成本。
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公开(公告)号：CN119605351A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380009254.7
申请日：2023-05-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H10K59/123 , H10K59/121 , H10K59/131
Abstract: 一种阵列基板，包括：衬底基板；在所述衬底基板上的信号线；缓冲层，其位于所述信号线远离所述衬底基板的一侧；以及有源层，其位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧。有源层包括第一电极区、第二电极区以及位于所述第一电极区和所述第二电极区之间的沟道区。第一电极区包括第一电极。第二电极区包括第二电极。第一电极延伸穿过过孔，以连接到所述信号线，所述过孔至少延伸穿过所述缓冲层。所述第二电极和所述第一电极的至少一部分的材料与所述沟道区的材料相同。沟道区的导电性与所述第一电极的导电性不同并且与所述第二电极的导电性不同。
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公开(公告)号：CN113690322B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110969328.4
申请日：2021-08-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H10D30/67 , H01L23/367 , H10D86/60 , G02F1/1362 , G02F1/1333
Abstract: 本申请公开一种薄膜晶体管、显示面板及显示装置，涉及半导体技术领域。薄膜晶体管，包括：金属层；散热层，所述金属层与所述散热层连接。通过设置散热层，散热层与金属层连接，由于薄膜晶体管的运行需要通过向电极通电，通常较大部分的热量的产生来自于作为电极的金属层，散热层可以直接对薄膜晶体管中发热的金属层进行散热，能够解决较大电子迁移率的薄膜晶体管的发热问题。
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公开(公告)号：CN119213360A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202380008826.X
申请日：2023-04-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , G02F1/1368
Abstract: 本公开提供一种阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板光线透过率低的问题。阵列基板包括：基底、位于基底一侧的第一信号线和第二信号线；第一信号线和第二信号线交叉限定像素区；阵列基板还包括：位于基底上且设置于像素区的第一薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括：第一半导体层；第一半导体层包括：相连接的第一连接部、第二连接部和第三连接部；第一连接部在基底上的正投影与第二信号线在基底上的正投影交叠；第三连接部在基底上的正投影落在相邻的第二信号线在基底上的正投影之间，且与第一信号线在基底上的正投影交叠；第二连接部的延伸方向与第一连接部的延伸方向之间具有第一夹角；第一夹角的角度为90度至180度。
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公开(公告)号：CN119137747A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380008655.0
申请日：2023-04-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管包括：设置在衬底(100)上的第一极(231)、第二极(232)、有源层(230)和栅极(233)。第一极(231)位于有源层(230)靠近衬底(100)的一侧，第一极(231)和有源层(230)之间设置有第一绝缘层(101)，第一绝缘层(101)开设有第一过孔(K1)。有源层(230)通过第一过孔(K1)与第一极(231)电连接。栅极(233)与有源层(230)之间设置有第二绝缘层(102)。栅极(233)在衬底(100)的正投影与第一过孔(K1)在衬底(100)的正投影至少部分交叠，栅极(233)在靠近衬底(100)一侧的表面为第一表面(2331)，栅极(233)在远离衬底(100)一侧的表面为第二表面(2332)。第一表面(2331)和第二表面(2332)的平坦度不同。
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公开(公告)号：CN117826488A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211185574.1
申请日：2022-09-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本公开提供的显示基板、显示面板及显示装置，包括衬底基板；数据线，位于衬底基板的一侧，数据线沿第一方向延伸；晶体管，晶体管包括有源层和第一极，数据线的局部复用为第一极，有源层位于数据线所在层与衬底基板之间；绝缘层，位于数据线所在层与有源层之间，第一极与有源层通过贯穿绝缘层的第一过孔与有源层电连接；第一遮光结构，位于有源层与衬底基板之间，第一遮光结构沿第一方向延伸，数据线在衬底基板上的正投影位于第一遮光结构在衬底基板上的正投影内，且第一过孔在衬底基板上的正投影位于第一遮光结构在衬底基板上的正投影内。
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公开(公告)号：CN117642874A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280001866.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本公开提供的显示基板、显示面板及显示装置，包括衬底基板，衬底基板包括显示区，以及位于显示区至少一侧的边框区；第一晶体管，位于边框区，第一晶体管包括第一有源层；第二晶体管，位于显示区，第二晶体管包括位于第一有源层远离衬底基板一侧的第二有源层，第二有源层包括第一沟道区；遮光层，位于显示区，遮光层与第一有源层所包含的元素相同，遮光层的材料可吸收至少部分紫外光，并透过部分可见光；遮光层在衬底基板上的正投影覆盖第一沟道区在衬底基板上的正投影。
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公开(公告)号：CN113421894B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202110692762.2
申请日：2021-06-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，公开了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括发光二极管、基板和器件层，器件层包括电极层和薄膜晶体管器件层，电极层包括第一金属部和第二金属部；第一金属部朝向发光二极管一侧设置有第一金属连接部和第二金属连接部，第一金属连接部与第一金属部、发光二极管的第一电极连接，第二金属连接部与第二金属部、发光二极管的第二电极连接，且第一金属连接部和第二金属连接部用于与发光二极管连接的面位于平行于基板的同一平面内。该显示面板及其制作方法改善了电镀金属层的厚度均匀性较差，LED Bonding时，LED阴阳极PAD高度差异超出锡膏所能覆盖的范围，会造成Bonding失效的问题。
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公开(公告)号：CN117461134A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280000678.2
申请日：2022-03-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基板及其制造方法、显示面板，属于显示技术领域。该基板包括：衬底基板以及多个阵列排布的子像素结构。其中，子像素结构可以包括薄膜晶体管、绝缘层、像素电极以及填充块。该基板中的薄膜晶体管可以通过绝缘层中的第一过孔与像素电极电连接，并且，通过在绝缘层的第一过孔中设置填充块，以使得位于绝缘层的第一过孔上层的膜层的平坦性较好，从而可以提高绝缘层上方的膜层质量。
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