承载基板、绑定组件及其绑定方法

    公开(公告)号:CN115280906B

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202180000058.4

    申请日:2021-01-25

    Abstract: 一种承载基板(1)、绑定组件及其绑定方法,承载基板(1)能够与一集成基板(2)绑定,承载基板(1)的热膨胀系数大于集成基板(2)的热膨胀系数,集成基板(2)包括沿同一方向等间距分布的第二绑定端子(211),承载基板(1)包括多个第一绑定端子组(11),多个第一绑定端子组(11)沿第一方向等间距分布,且每个第一绑定端子组(11)包括沿第一方向等间距分布的多个第一绑定端子(111),多个第一绑定端子(111)用于与多个第二绑定端子(211)一一对应绑定;其中,相邻两第一绑定端子组(11)之间的距离小于绑定端子组内相邻两第一绑定端子(111)之间的距离,且第一绑定端子组(11)内相邻两第一绑定端子(111)之间的距离等于相邻两第二绑定端子(211)之间的距离。承载基板(1)能够提高第一绑定端子(111)和第二绑定端子(211)之间的绑定效果。

    阵列基板和显示装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119605351A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202380009254.7

    申请日:2023-05-30

    Abstract: 一种阵列基板,包括:衬底基板;在所述衬底基板上的信号线;缓冲层,其位于所述信号线远离所述衬底基板的一侧;以及有源层,其位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧。有源层包括第一电极区、第二电极区以及位于所述第一电极区和所述第二电极区之间的沟道区。第一电极区包括第一电极。第二电极区包括第二电极。第一电极延伸穿过过孔,以连接到所述信号线,所述过孔至少延伸穿过所述缓冲层。所述第二电极和所述第一电极的至少一部分的材料与所述沟道区的材料相同。沟道区的导电性与所述第一电极的导电性不同并且与所述第二电极的导电性不同。

    一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

    公开(公告)号:CN108336100B

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN201810327453.3

    申请日:2018-04-12

    Inventor: 刘威

    Abstract: 本发明公开一种阵列基板,包括:形成在衬底基板上的光敏部件,及形成在所述光敏部件远离所述衬底基板一侧的薄膜晶体管和导电层;所述光敏部件包括层叠设置的第一电极、光敏层和第二电极,所述第一电极靠近所述衬底基板设置;所述第一电极与所述薄膜晶体管的第一极电连接,所述第二电极与所述导电层电连接;其中,所述第一极为所述薄膜晶体管的源极或漏极。本发明实施例的阵列基板,在制备过程中,先形成光敏部件,再在光敏部件上形成薄膜晶体管,避免了光敏部件形成过程中氢元素对薄膜晶体管产生影响,薄膜晶体管的源漏层图案可以通过一次图形化处理形成,简化了制备工艺。

    阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板和显示装置

    公开(公告)号:CN119072155A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202310638226.3

    申请日:2023-05-31

    Abstract: 本发明实施例提供了一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板和显示装置。其中,阵列基板包括衬底基板和薄膜晶体管,薄膜晶体管包括源漏层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层和像素电极。源漏层包括间隔且同层设置的源极和漏极;有源层设于源漏层远离衬底基板的一侧,有源层包括依次连接的第一搭接部、沟道区和第二搭接部,沟道区背离衬底基板的表面低于第一搭接部和第二搭接部背离衬底基板的表面;第一搭接部和第二搭接部的朝向衬底基板的表面与源极和漏极的背离衬底基板的表面搭接电连接;沿着远离衬底基板的一侧依次设置栅极绝缘层、栅极和层间绝缘层;像素电极设于层间绝缘层远离衬底基板的一侧,且与漏极电连接。

    一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置

    公开(公告)号:CN112736096B

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202110057134.7

    申请日:2021-01-15

    Abstract: 本申请提供了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置,其中显示基板包括:柔性衬底;设置在柔性衬底一侧的第一辅助电极,第一辅助电极与第一电源线连接;设置在柔性衬底背离第一金属层一侧的像素单元,像素单元包括:设置在柔性衬底背离第一金属层一侧的多个薄膜晶体管、绝缘层和第二辅助电极,第二辅助电极与第二电源线连接;其中,多个薄膜晶体管包括驱动晶体管,驱动晶体管的源极与第一辅助电极连接,漏极与发光器件的第一电极连接,发光器件的第二电极与第二辅助电极连接。本申请技术方案,通过增大第一辅助电极与第二辅助电极之间的距离,可以降低发生短路不良的概率,有助于提升产品良率和可靠性。

    显示面板及其制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN113707703B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202111017020.6

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,以解决相关技术中透明区中光可透过的面积减小而导致透明显示的效果降低的问题。该显示面板包括衬底,透明导电层设置于衬底上,透明导电层包括位于发光区的辅助电极和位于透明区的连接部,辅助电极和连接部电连接;透明间隔层设置于透明导电层远离衬底的一侧,透明间隔层包括位于发光区的第一支撑部和位于透明区的第二支撑部,第一支撑部和第二支撑部之间形成隔离槽;发光器件包括第一电极层、发光功能层和第二电极层,第一电极层位于发光区,发光功能层在隔离槽处断开,第二电极层透明,且穿过隔离槽与连接部电连接。本公开实施例提供的显示面板用于显示装置。

    一种显示基板及其制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN117637755A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202210979830.8

    申请日:2022-08-16

    Abstract: 本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括衬底基板、位于衬底基板一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的第一有源层的材质包括多晶硅半导体,第二薄膜晶体管的第二有源层的材质包括氧化物半导体,层间绝缘层位于第一有源层和第二有源层的背离衬底基板的一侧,源漏金属层位于层间绝缘层的背离衬底基板的一侧,层间绝缘层至少在所述源漏金属层图案位置包括依次叠层设置的第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层和第四子绝缘层,第三子绝缘层的材质包括氧化硅,第四子绝缘层的材质包括氮化硅,第四子绝缘层靠近源漏金属层。

    氧化物型驱动背板、显示面板及显示装置

    公开(公告)号:CN117352517A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311398019.1

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本公开是关于显示技术领域,具体而言,涉及一种氧化物型驱动背板、显示面板及显示装置。该氧化物型驱动背板包括:依次设置的衬底基板、有源层、栅极层以及源漏极层;有源层包括驱动晶体管的驱动有源部,沿驱动有源部的延伸方向,驱动有源部具有第一端和第二端,且驱动有源部位于第一端和第二端之间的部分在衬底基板的正投影呈非直线状态;栅极层包括第一导电部,第一导电部在衬底基板的正投影包括至少两条延伸段,延伸段与驱动有源部在衬底基板的正投影具有交叠区域;源漏极层通过过孔连接第一端和第二端。该氧化物型驱动背板提供驱动薄膜晶体管内不同的串联连接方式,可以在保证扩散程度的同时,提供更多的设计可能性。

    显示基板及其制备方法和显示装置

    公开(公告)号:CN111864116B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202010740410.5

    申请日:2020-07-28

    Inventor: 刘威 宋泳锡

    Abstract: 本发明涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。显示基板包括衬底、第一辅助电极、第二辅助电极以及第一电极。第一辅助电极位于衬底上,第二辅助电极与第一辅助电极连接,第二辅助电极包括第一导电层、第二导电层与隔断层,第一导电层位于第一辅助电极远离衬底的一侧,第二导电层位于第一导电层远离衬底的一侧,隔断层位于第二导电层远离衬底的一侧,第二导电层在衬底上的投影位于第一导电层在衬底上的投影内且位于隔断层在衬底上的投影内;第一电极包括第一导电部与第二导电部,第二导电部与第一导电部连接,第一导电部位于第一导电层上,第二导电部与第二导电层的侧面接触。根据本发明的实施例,可以增加第一电极与第一辅助电极的接触面积。

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