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公开(公告)号：CN113690322B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110969328.4
申请日：2021-08-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H10D30/67 , H01L23/367 , H10D86/60 , G02F1/1362 , G02F1/1333
Abstract: 本申请公开一种薄膜晶体管、显示面板及显示装置，涉及半导体技术领域。薄膜晶体管，包括：金属层；散热层，所述金属层与所述散热层连接。通过设置散热层，散热层与金属层连接，由于薄膜晶体管的运行需要通过向电极通电，通常较大部分的热量的产生来自于作为电极的金属层，散热层可以直接对薄膜晶体管中发热的金属层进行散热，能够解决较大电子迁移率的薄膜晶体管的发热问题。
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公开(公告)号：CN119137747A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380008655.0
申请日：2023-04-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管包括：设置在衬底(100)上的第一极(231)、第二极(232)、有源层(230)和栅极(233)。第一极(231)位于有源层(230)靠近衬底(100)的一侧，第一极(231)和有源层(230)之间设置有第一绝缘层(101)，第一绝缘层(101)开设有第一过孔(K1)。有源层(230)通过第一过孔(K1)与第一极(231)电连接。栅极(233)与有源层(230)之间设置有第二绝缘层(102)。栅极(233)在衬底(100)的正投影与第一过孔(K1)在衬底(100)的正投影至少部分交叠，栅极(233)在靠近衬底(100)一侧的表面为第一表面(2331)，栅极(233)在远离衬底(100)一侧的表面为第二表面(2332)。第一表面(2331)和第二表面(2332)的平坦度不同。
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公开(公告)号：CN118857353A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410868661.X
申请日：2024-06-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: G01D5/48
Abstract: 本申请提供了一种超声波传感器及其制备方法、超声波成像器，涉及传感器技术领域，旨在提高超声波传感器的性能。该超声波传感器包括衬底及设置于衬底上的多个超声波传感单元，每个超声波传感单元包括层叠的第一堆叠结构、第二堆叠结构和超声波换能器，第二堆叠结构和超声波换能器设置于第一堆叠结构的远离衬底的一侧。第一堆叠结构包括第一晶体管，第二堆叠结构包括第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管与超声波换能器电连接。上述超声波传感器可应用于超声波成像器中，以实现图像的采集和生成。
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公开(公告)号：CN113838801B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202010591840.5
申请日：2020-06-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种半导体基板的制造方法和半导体基板。所述制造方法包括当所述衬底基板在第一温度时，在衬底基板上的一界面处形成所述第一半导体层，其中，所述第一半导体层的材料为第一氧化物半导体材料；在所述第一半导体层上直接形成所述第二半导体层，其中，第二半导体层的材料为第二氧化物半导体材料；所述第一半导体层、所述第二半导体层分别被图案化为种子层、第一沟道层，第一沟道层和所述种子层均为结晶相层，其中，第一氧化物半导体材料和第二氧化物半导体材料均能够在第二温度下形成为结晶相，第二温度小于等于40℃，第一温度大于等于100℃。
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公开(公告)号：CN113823696B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010562553.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于提升薄膜晶体管的特性。所述薄膜晶体管包括：设置于基底上的有源层，有源层形成为栅格状结构，包括多条沿第一方向延伸的硅纳米线，有源层包括沿第一方向相对设置的源极区和漏极区，以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；设置于基底上的栅极，栅极沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交，栅极在基底上的正投影，与沟道区中的多条硅纳米线在基底上的正投影分别交叠；设置于基底上的源极和漏极，源极与源极区中的多条硅纳米线分别接触，漏极与漏极区中的多条硅纳米线分别接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118368918A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310098022.5
申请日：2023-01-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/86 , H10K59/126 , H10K50/856
Abstract: 本发明公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括：衬底基板，及依次设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管层和像素层；所述显示面板还包括遮光结构，所述遮光结构间隔排列形成透光口，所述遮光结构的材料为合金材料。通过本发明提供了一种兼顾光屏蔽性能和集成度的显示面板。
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公开(公告)号：CN118284983A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280003913.1
申请日：2022-10-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786
Abstract: 本公开提供了一种显示基板，其中，包括：基底；金属导电层，位于基底的一侧，金属导电层包括：沿远离基底方向层叠设置的核心导电层和功能导电层；核心导电层的材料包括：导电用金属材料；功能导电层的材料包括：第一扩散阻挡用金属材料和第一粘附力增强用金属材料，第一扩散阻挡用金属材料配置为阻挡导电用金属材料的扩散，第一粘附力增强用金属材料配置为增强功能导电层与在功能导电层的图案化工艺过程中所使用光刻胶之间的粘附力；任一第一粘附力增强用金属材料的表面能小于或等于325mJ/m2，功能导电层内全部第一粘附力增强用金属材料的原子数百分比之和的范围为5％～60％。本公开实施例还提供了一种显示面板和显示装置。
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公开(公告)号：CN117812801A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211167545.2
申请日：2022-09-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H05K1/02 , H05K3/28 , G02F1/13357
Abstract: 本发明涉及照明和显示技术领域，尤其涉及线路板、基板及背光模组，用于提高线路板上连接垫的抗氧化能力。一种线路板，其特征在于，所述线路板包括：衬底；位于所述衬底一侧的多个连接垫；位于所述多个连接垫远离衬底一侧的绝缘层；贯穿所述绝缘层至所述连接垫的第一过孔，所述第一过孔暴露所述连接垫；以及，位于所述绝缘层远离所述衬底一侧的抗氧化层；所述抗氧化层包括至少一个抗氧化图案；所述抗氧化图案通过所述第一过孔与所述连接垫电连接；所述抗氧化图案在所述衬底上的正投影，及，与所述抗氧化图案电连接的连接垫在所述衬底上的正投影，至少部分交叠。线路板、基板及背光模组用于照明或图像显示。
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公开(公告)号：CN113421894B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202110692762.2
申请日：2021-06-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，公开了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括发光二极管、基板和器件层，器件层包括电极层和薄膜晶体管器件层，电极层包括第一金属部和第二金属部；第一金属部朝向发光二极管一侧设置有第一金属连接部和第二金属连接部，第一金属连接部与第一金属部、发光二极管的第一电极连接，第二金属连接部与第二金属部、发光二极管的第二电极连接，且第一金属连接部和第二金属连接部用于与发光二极管连接的面位于平行于基板的同一平面内。该显示面板及其制作方法改善了电镀金属层的厚度均匀性较差，LED Bonding时，LED阴阳极PAD高度差异超出锡膏所能覆盖的范围，会造成Bonding失效的问题。
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公开(公告)号：CN116741841A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310539043.6
申请日：2023-05-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H10K59/121 , G02F1/1362
Abstract: 本公开实施例提供一种薄膜晶体管及其驱动方法、显示基板和显示装置。薄膜晶体管包括：依次设置在衬底上的第一金属层、第一绝缘层、氧化物半导体层、第二绝缘层、透明导电层，氧化物半导体层包括沟道区域、第一导体化区域和第二导体化区域；第二绝缘层开设有暴露第一导体化区域的部分表面的第一开孔；透明导电层包括通过第一开孔与第一导体化区域搭接连接的第一透明电极；第一金属层包括第一图案部，第一导体化区域通过第一开孔暴露的部分在衬底上的正投影位于第一图案部在衬底上的正投影内，第一图案部被配置为在栅电极被提供栅信号的状态下被提供第一电信号。本公开的技术方案，可以提升薄膜晶体管的开态电流。
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