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公开(公告)号：CN118760422A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411246402.X
申请日：2024-09-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供一种多值阻变存储器的振荡收敛编程方法及装置，该方法通过获取阻变存储器目标值范围并对其进行初始化。获取阻变存储器当前值，若在目标范围内，则成功编程；若阻变存储器当前值与目标范围的差异在阈值内，则减小步进值；若阻变存储器当前值大于目标值，则对阻变存储器施加脉冲信号，使其达到最低值，并将栅极电压的当前值减去栅极电压步进值作为栅极电压；反之，则将栅极电压的当前值加上栅极电压步进值作为栅极电压；对阻变存储器施加栅极电压，进行置位操作，并重复上述过程，直到达到阻变存储器目标值范围或者超过最大编程次数或时间。本发明可快速将阻变存储器收敛到目标值，可用并行编程方式加速，降低编程过程中的功耗。
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公开(公告)号：CN117519802B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410025725.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提出了基于存算一体单元的数据处理装置，包括控制单元、数据存储器、预载单元、输入单元、存算一体处理单元以及输出单元。控制单元负责装置的全局及局部模块的控制；数据存储器用于初始数据以及结果数据的存储；预载单元用于输入计算数据的预载；输入单元与数据存储器、预载单元和存算一体处理单元相连，用于读、写、计算过程中的数据载入和输出；存算一体处理单元由多个存算一体单元构成，并与输出单元相连进行数据的输出。通过在内置的存算一体单元的处理装置集成了构建完整计算数据流和控制流所需要的结构单元，实现不同计算结构的矩阵计算，在卷积计算模式下优化了数据流，减少访存的消耗。
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公开(公告)号：CN119132363A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411066411.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本说明书公开了一种基于忆阻器非线性权重映射的最短路径确定方法，在本说明书提供的基于忆阻器的最短路径确定方法中，根据待施加电压脉冲信号的输入电压，以及硬件电路中第二忆阻器的阈值转换电压、跨阻放大器的等效电阻的阻值、负载电阻的阻值、第二忆阻器的高电阻值，确定图数据中各条边的权重的映射值，并根据各映射值，设置突触阵列中各第一忆阻器的电导值。从而通过基于忆阻器的硬件电路，采用存内计算方式，实现图数据最短路径的计算，相比于软件实现的最短路径算法，加快了最短路径算法的计算效率。
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公开(公告)号：CN117519802A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410025725.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提出了基于存算一体单元的数据处理装置，包括控制单元、数据存储器、预载单元、输入单元、存算一体处理单元以及输出单元。控制单元负责装置的全局及局部模块的控制；数据存储器用于初始数据以及结果数据的存储；预载单元用于输入计算数据的预载；输入单元与数据存储器、预载单元和存算一体处理单元相连，用于读、写、计算过程中的数据载入和输出；存算一体处理单元由多个存算一体单元构成，并与输出单元相连进行数据的输出。通过在内置的存算一体单元的处理装置集成了构建完整计算数据流和控制流所需要的结构单元，实现不同计算结构的矩阵计算，在卷积计算模式下优化了数据流，减少访存的消耗。
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公开(公告)号：CN113436664B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110987676.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明属于非易失存储器技术领域，涉及一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法，通过调节阻变存储单元晶体管的栅极电压来实现阻变存储单元的电导的线性对称调节，在一晶体管一阻变存储器件的阻变存储单元结构下，在晶体管源极和漏极施加电压时，通过控制晶体管的栅极电压，使得阻变存储单元的电导状态发生改变，在高阻向低阻转变过程中，当晶体管的栅极电压较大时，器件电阻处于高电导状态；当晶体管的栅极电压较小时，忆阻器处于低电导状态。本发明方法通过调节栅极电压，得到电导呈线性对称变化，在多个周期性的测试中都保持较大的窗口，多次循环操作的电导变化差异很小，耐久性较好，可以解决传统阻变存储器编程方案的电导精准调控难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119132363B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411066411.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本说明书公开了一种基于忆阻器非线性权重映射的最短路径确定方法，在本说明书提供的基于忆阻器的最短路径确定方法中，根据待施加电压脉冲信号的输入电压，以及硬件电路中第二忆阻器的阈值转换电压、跨阻放大器的等效电阻的阻值、负载电阻的阻值、第二忆阻器的高电阻值，确定图数据中各条边的权重的映射值，并根据各映射值，设置突触阵列中各第一忆阻器的电导值。从而通过基于忆阻器的硬件电路，采用存内计算方式，实现图数据最短路径的计算，相比于软件实现的最短路径算法，加快了最短路径算法的计算效率。
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公开(公告)号：CN119741952A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510238942.1
申请日：2025-03-03
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种阻变存储阵列的控制电路及阻变存储器，所述控制电路包括选通模块，控制器和读出电路；所述选通模块包括互相连接的逻辑控制电路和多级传输门电路，所述逻辑控制电路基于控制器输出的多个读写控制信号和地址信号，向多级传输门电路发送对应的二级开关信号对，以及控制地址信号对应的目标存储单元与读出电路连接或断开；多级传输门电路基于二级开关信号对和多个读写控制信号，向目标存储单元施加对应的输入电压，所述输入电压从多级传输门电路接收到的多个预设电压中确定；读出电路在与目标存储单元连接的情况下，读取目标存储单元输出的电流值，解决了外围电路占用面积较大的问题。
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公开(公告)号：CN118647256B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411110209.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种电流极性可调的铁酸铋光电器件及调控方法，该铁酸铋光电器件是通过改变入射激光的波长，调控铁酸铋薄膜样品的面外畴结构，调控光生载流子的分离和迁移特性，实现对铁酸铋光电器件光电流方向的调控。其方法引入了调控光电流极性新的物理手段，引入了调控光电流极性新的物理机制；且读取光电流的测试过程中，无需任何外加电压，实现了低功耗。
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公开(公告)号：CN118760422B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411246402.X
申请日：2024-09-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供一种多值阻变存储器的振荡收敛编程方法及装置，该方法通过获取阻变存储器目标值范围并对其进行初始化。获取阻变存储器当前值，若在目标范围内，则成功编程；若阻变存储器当前值与目标范围的差异在阈值内，则减小步进值；若阻变存储器当前值大于目标值，则对阻变存储器施加脉冲信号，使其达到最低值，并将栅极电压的当前值减去栅极电压步进值作为栅极电压；反之，则将栅极电压的当前值加上栅极电压步进值作为栅极电压；对阻变存储器施加栅极电压，进行置位操作，并重复上述过程，直到达到阻变存储器目标值范围或者超过最大编程次数或时间。本发明可快速将阻变存储器收敛到目标值，可用并行编程方式加速，降低编程过程中的功耗。
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公开(公告)号：CN118522329B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410977446.3
申请日：2024-07-22
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于预定点的多值忆阻器编程方法和装置，预先设置编程参数，并对忆阻器单元进行初始化；在栅压控制的情况下，对忆阻器单元进行扫描，统计数据并进行拟合，得到拟合曲线；根据拟合曲线，得到测试对象的目标测试值对应的初始栅极控制电压，并初始化编程次数；获取测试对象的测量值，并判断测量值是否在目标范围内；如果测量值在目标范围内，则编程成功，退出编程过程；反之，则对忆阻器单元进行栅压调节，并增加编程次数；判断编程次数是否大于最大编程次数：如果大于最大编程次数，则证明本次编程失败，该忆阻器可能已损坏；反之则重复上述步骤，直到编程成功。本发明可大幅提高器件的编程效率，并且有效提高器件的使用寿命。
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