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公开(公告)号：CN118647256A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411110209.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种电流极性可调的铁酸铋光电器件及调控方法，该铁酸铋光电器件是通过改变入射激光的波长，调控铁酸铋薄膜样品的面外畴结构，调控光生载流子的分离和迁移特性，实现对铁酸铋光电器件光电流方向的调控。其方法引入了调控光电流极性新的物理手段，引入了调控光电流极性新的物理机制；且读取光电流的测试过程中，无需任何外加电压，实现了低功耗。
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公开(公告)号：CN117877561B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410077923.0
申请日：2024-01-18
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C29/12
Abstract: 本申请提供一种忆阻器件的测试方法、系统、装置及存储介质。忆阻器件的测试方法包括：根据忆阻器件的开关电压确定直流电压范围；确定忆阻器件的电路模型；在直流电压范围内，确定忆阻器件的测试频率区间内的多个频率点；及在直流电压范围内，对忆阻器件的电路模型在测试频率区间内的多个频率点下进行电容性能测试。本申请可以高效、便捷的对忆阻器件进行电容性能的测试，便于研究忆阻器件的电阻电容双参量记忆特性。
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公开(公告)号：CN114171100A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111336537.1
申请日：2021-11-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种高故障覆盖率的阻变存储器的测试方法，包括以下步骤：一、对阻变存储器的存储单元进行Forming操作；二、按照地址升序对阻变存储单元进行读1和写0操作；三、按照地址升序对阻变存储单元进行2次连续的读0操作，随后执行1次写1操作；四、按照地址升序对阻变存储单元依次执行读1、读1、写0、写1和读1操作；五、按照地址降序对阻变存储单元进行读1、写0、读0操作；六、按照地址降序对阻变存储单元进行写1、写0、读0操作；七、按照地址升序对阻变存储单元进行读0、写1、读1操作；八、延迟或暂停一段时间，按照地址升序对阻变存储单元进行读1、写0、读0操作；九、输出所有阻变存储单元的故障一览表。
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公开(公告)号：CN119576227A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411624793.4
申请日：2024-11-14
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F3/06
Abstract: 本说明书公开了一种数据处理方法、装置、介质及设备。获取目标数据，目标数据由符号位与数据位组成。在假定目标数据存储在存储单元中仅出现指定错误的情况下，按照指定错误对应的数据转换方式对目标数据进行转换，得到转换后数据。将转换后数据存储至存储单元，并调整存储单元的刷新频率，调整后的刷新频率小于调整前的刷新频率。在执行针对目标数据的数据处理任务时，执行从存储单元中读取转换后数据的操作，得到读出数据，并根据指定错误，确定读出数据的符号位并对转换后数据的数据位进行复原，得到复原后的数据位。根据读出数据的符号位与复原后的数据位，执行针对目标数据的数据处理任务。
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公开(公告)号：CN119132363A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411066411.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本说明书公开了一种基于忆阻器非线性权重映射的最短路径确定方法，在本说明书提供的基于忆阻器的最短路径确定方法中，根据待施加电压脉冲信号的输入电压，以及硬件电路中第二忆阻器的阈值转换电压、跨阻放大器的等效电阻的阻值、负载电阻的阻值、第二忆阻器的高电阻值，确定图数据中各条边的权重的映射值，并根据各映射值，设置突触阵列中各第一忆阻器的电导值。从而通过基于忆阻器的硬件电路，采用存内计算方式，实现图数据最短路径的计算，相比于软件实现的最短路径算法，加快了最短路径算法的计算效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117877561A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410077923.0
申请日：2024-01-18
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C29/12
Abstract: 本申请提供一种忆阻器件的测试方法、系统、装置及存储介质。忆阻器件的测试方法包括：根据忆阻器件的开关电压确定直流电压范围；确定忆阻器件的电路模型；在直流电压范围内，确定忆阻器件的测试频率区间内的多个频率点；及在直流电压范围内，对忆阻器件的电路模型在测试频率区间内的多个频率点下进行电容性能测试。本申请可以高效、便捷的对忆阻器件进行电容性能的测试，便于研究忆阻器件的电阻电容双参量记忆特性。
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公开(公告)号：CN119132363B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411066411.0
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本说明书公开了一种基于忆阻器非线性权重映射的最短路径确定方法，在本说明书提供的基于忆阻器的最短路径确定方法中，根据待施加电压脉冲信号的输入电压，以及硬件电路中第二忆阻器的阈值转换电压、跨阻放大器的等效电阻的阻值、负载电阻的阻值、第二忆阻器的高电阻值，确定图数据中各条边的权重的映射值，并根据各映射值，设置突触阵列中各第一忆阻器的电导值。从而通过基于忆阻器的硬件电路，采用存内计算方式，实现图数据最短路径的计算，相比于软件实现的最短路径算法，加快了最短路径算法的计算效率。
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公开(公告)号：CN119107944B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411066409.3
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种语音识别方法、装置、存储介质及电子设备。在本说明书提供的语音识别方法中，获取样本语音，以及所述样本语音对应的标注结果；将所述样本语音输入待训练的识别模型，得到所述识别模型输出的待优化识别结果，其中，所述识别模型至少包括阻变存储器特征学习层、全连接层、激活层、输出层；根据所述待优化识别结果与所述标注结果之间的差异，对所述识别模型进行训练；采用完成训练的所述识别模型识别目标语音。
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公开(公告)号：CN118647256B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411110209.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种电流极性可调的铁酸铋光电器件及调控方法，该铁酸铋光电器件是通过改变入射激光的波长，调控铁酸铋薄膜样品的面外畴结构，调控光生载流子的分离和迁移特性，实现对铁酸铋光电器件光电流方向的调控。其方法引入了调控光电流极性新的物理手段，引入了调控光电流极性新的物理机制；且读取光电流的测试过程中，无需任何外加电压，实现了低功耗。
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公开(公告)号：CN119107944A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411066409.3
申请日：2024-08-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种语音识别方法、装置、存储介质及电子设备。在本说明书提供的语音识别方法中，获取样本语音，以及所述样本语音对应的标注结果；将所述样本语音输入待训练的识别模型，得到所述识别模型输出的待优化识别结果，其中，所述识别模型至少包括阻变存储器特征学习层、全连接层、激活层、输出层；根据所述待优化识别结果与所述标注结果之间的差异，对所述识别模型进行训练；采用完成训练的所述识别模型识别目标语音。
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