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公开(公告)号：CN116312695A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310394330.2
申请日：2023-04-13
Abstract: 本申请实施例提供一种应用于人工智能训练加速的或非型闪存阵列结构，属于低功耗计算领域。方法包括：正向读取为传统方案，即固定SL为高压，通过BL所加电压来选中存储单元，对应于正向传播计算过程；反向读改变存储单元两端所加电压，固定BL为高压，通过SL所加电压来选中存储单元，对应于反向传播计算过程。在完全不改变和增加阵列单元结构的前提下，不会带来额外的驱动电路。本申请可以降低或非型闪存双向读操作的电路代价。
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公开(公告)号：CN114400032B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210293604.4
申请日：2022-03-24
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供了一种动态加速阻变存储器阻值设置的方法、装置和介质，该方法包括：S1：设置阻变存储器的目标阻值；S2：读取阻变存储器的当前阻值，并记录操作次数；S3：将目标阻值、当前阻值、操作次数作为输入，通过最优解计算算法求出所要施加的操作电压条件，并将此电压施加于阻变存储器；S4：再次读取阻变存储器的阻值，判断是否满足目标阻值的要求；S5：若满足要求，退出，否则重复上述步骤S2至步骤S4，直到满足要求为止。本发明一方面可以提高阻变存储器的操作速率，降低时间复杂度，另一方面可以提高阻变存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114328322B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210261057.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及数据传输技术领域，尤其涉及一种可配置功能模式的DMA控制器运行方法，该方法在保留现有DMA数据搬运模式的情况下，增加执行模式，执行模式运行时可自动多次从系统存储器中读取数据至特定内存映射外接设备，待外接设备完成数据处理后存储回特定系统存储空间，除进入及退出模式时，DMA控制器在执行模式运行时不需要处理器介入干预。
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公开(公告)号：CN114758713A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210663908.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及半导体存储器测试技术领域，具体涉及一种铁电存储器耐久性测试的电路和方法，该电路包括依次连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管、恒流源电路，所述PMOS晶体管的源极连接有电源；PMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的漏极相连接，在PMOS晶体管和NMOS晶体管的连接间节点设有监测电压点；NMOS晶体管的源极连接至恒流源电路的一端，恒流源电路的另一端接地；NMOS晶体管和恒流源电路的连接间节点与铁电存储器的位线连接；在PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极分别输入偏置电压Vbias1和偏置电压Vbias2。本发明加快了耐久性参数的获取，有效节约了测试时间成本，加速铁电产品的面市周期。
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公开(公告)号：CN114637467A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210231738.3
申请日：2022-03-10
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于三维DRAM内存控制器的访存性能提升方法，提出针对新型的大位宽三维DRAM的界面缓存机制和行命中处理机制；如果用户访存请求命中了已缓存于界面缓存器的数据，则该次访存可以直接由界面缓存器响应；如果用户访存请求未命中界面缓存但发生了行命中，则该次访存可以由内存控制器执行少量的DRAM存储阵列操作来响应；如果用户访存请求同时发生界面缓存缺失和行缺失，则该次访存可以由内存控制器执行常规的DRAM存储阵列操作来响应。本发明可以有效减少内存控制器对DRAM存储阵列的操作次数以及减少数据进出DRAM存储阵列的频率，从而降低运算单元对所需数据的访存延迟，提升访存性能并降低访存功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114594819A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210058815.X
申请日：2022-01-19
Applicant: 之江实验室
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路设计制造技术领域，具体涉及可跟踪铁电电容工艺的自适应调节操作电压的电路和方法，该电路基于单管单电容（1T1C型）铁电存储单元，所述单管单电容（1T1C型）铁电存储单元通过一个采样电阻连接有跟踪电路，所述跟踪电路由依次连接的电流采样电路、误差放大器、电压调整器组成，单管单电容（1T1C型）铁电存储单元产生翻转电流流经采样电阻，采样电阻产生的两端电位差被电流采样电路采集，再经过误差放大器与输入误差放大器的参考电压进行比较，将比较结果反馈给电压调整器，输出操作电压。本发明能检测铁电电容的极化操作电压阈值，从而合理运用操作电压，延长铁电存储器的使用寿命，同时降低系统功耗。
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公开(公告)号：CN114328322A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210261057.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及数据传输技术领域，尤其涉及一种可配置功能模式的DMA控制器运行方法，该方法在保留现有DMA数据搬运模式的情况下，增加执行模式，执行模式运行时可自动多次从系统存储器中读取数据至特定内存映射外接设备，待外接设备完成数据处理后存储回特定系统存储空间，除进入及退出模式时，DMA控制器在执行模式运行时不需要处理器介入干预。
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公开(公告)号：CN112837720A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110087357.8
申请日：2021-01-22
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种高密度三态内容寻址存储器及其寻址方法，所述存储器包括：搜索线、匹配线、互补搜索线和多个存储单元，所述存储单元包括第一存储电阻和第二存储电阻，所述第一存储电阻的第一端与所述搜索线相连，所述第一存储电阻的第二端与所述匹配线相连，所述第二存储电阻的第一端与所述互补搜索线相连，所述第二存储电阻的第二端与所述匹配线相连。本发明提供的高密度三态内容寻址存储器及其寻址方法，具有存储密度大和可靠性强特点。
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公开(公告)号：CN112750486A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110012792.4
申请日：2021-01-06
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及新型存储芯片RRAM测试技术领域，具体涉及一种阻变存储器的故障测试方法，该方法首先扫描所有的存储单元，检测出所有的故障存储单元，并标记为一级故障类型，然后依次扫描一级故障类型里的故障存储单元，标记为二级故障类型，最后输出所有存储单元故障类型一览表。本发明可以检测出阻变存储器存储单元的主要故障类型，且检测时间短，检测故障类型准确可靠，降低了阻变存储器检测故障的错判率，提高了阻变存储器的故障测试效率。
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公开(公告)号：CN114661644B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210145093.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F13/32
Abstract: 本发明公开了一种辅助3D架构近存计算加速器系统的预存储DMA装置，包括DMA控制器、记录模块与预测模块；本发明使用直接内存访问（Direct Memory Access）技术完成大量数据进行不同内存地址间搬运，以减少主机运行压力，进一步的，本发明提出一种可进行预存储的DMA装置结构，可完成对数据搬运模行为的记录与预测，并根据预测结果对数据进行预存储调度，减少因等待处理器指令造成的延时，提高数据搬运效率与系统性能。
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