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公开(公告)号：CN115019856A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210947001.1
申请日：2022-08-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明属于存内计算领域，涉及一种基于RRAM多值存储的存内计算方法与系统，该方法包括：步骤一，设计基于阻变存储器RRAM的基本电路，采用基本电路中上下电导为一组的方式来存储多级权重；步骤二，通过改变电导来完成不同权重的映射和存储；步骤三，再通过基本电路中参与权重映射存储的RRAM单元的字线同步打开位线，将脉冲电压通过位线输入；步骤四，基于映射存储的权重和其对应输入的脉冲电压，采用电压感知型的矩阵乘加的方式得到最终结果并通过源线输出。本发明能够实现多值的电压型RRAM存内计算，有效降低存储密度，减小误差，提升部署算法的计算精度，可应用于人工智能、机器学习等算法领域的矩阵乘加运算硬件加速系统。
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公开(公告)号：CN115019856B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210947001.1
申请日：2022-08-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明属于存内计算领域，涉及一种基于RRAM多值存储的存内计算方法与系统，该方法包括：步骤一，设计基于阻变存储器RRAM的基本电路，采用基本电路中上下电导为一组的方式来存储多级权重；步骤二，通过改变电导来完成不同权重的映射和存储；步骤三，再通过基本电路中参与权重映射存储的RRAM单元的字线同步打开位线，将脉冲电压通过位线输入；步骤四，基于映射存储的权重和其对应输入的脉冲电压，采用电压感知型的矩阵乘加的方式得到最终结果并通过源线输出。本发明能够实现多值的电压型RRAM存内计算，有效降低存储密度，减小误差，提升部署算法的计算精度，可应用于人工智能、机器学习等算法领域的矩阵乘加运算硬件加速系统。
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公开(公告)号：CN114996205B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210856427.6
申请日：2022-07-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了辅助3D架构近存计算系统的片内数据调度控制器及方法，将调度控制器作为内存映射IO设备接入系统总线，使预设指令可通过处理器写入对应内存映射地址实现调度控制；调度控制器与主机外部中断接收模块连接，以向主机发送执行完成中断信号，并可接收加速器中断信号，以判断加速器状态；获取可接管主机访存路径，可直接访问存储器。可接收来自主机的预写入数据调度指令并可接管主机访存端口，以此访问片上所有内存地址。根据预设指令，调度控制器将依次执行数据调动并在预设节点向主机发送完成信号，归还访存端口控制权，允许主机读取最终数据。
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公开(公告)号：CN114661644B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210145093.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F13/32
Abstract: 本发明公开了一种辅助3D架构近存计算加速器系统的预存储DMA装置，包括DMA控制器、记录模块与预测模块；本发明使用直接内存访问（Direct Memory Access）技术完成大量数据进行不同内存地址间搬运，以减少主机运行压力，进一步的，本发明提出一种可进行预存储的DMA装置结构，可完成对数据搬运模行为的记录与预测，并根据预测结果对数据进行预存储调度，减少因等待处理器指令造成的延时，提高数据搬运效率与系统性能。
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公开(公告)号：CN114638279A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210097706.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域和机器学习领域，特别是涉及一种单样本学习相似度计算电路和方法，使用基于铁电二极管的三态内容可寻址存储器TCAM电路，存储单样本学习中记忆增强神经网络MANN提取到的特征并进行相似度计算，相似性在TCAM电路内部计算后再返回处理器，减少了传统计算机冯诺依曼架构中计算单元和存储器之间数据传输引起的能耗和延迟，本发明中TCAM电路仅使用两个可完全兼容CMOS的三维可堆叠铁电二极管组成基本单元结构，实现快速相似度计算和类别预测，与其他TCAM电路相比，其电路紧凑节能、稳定可靠，存储密度高、读写寿命长，能够有效降低单样本学习中相似度计算的硬件成本和功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114328322B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210261057.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及数据传输技术领域，尤其涉及一种可配置功能模式的DMA控制器运行方法，该方法在保留现有DMA数据搬运模式的情况下，增加执行模式，执行模式运行时可自动多次从系统存储器中读取数据至特定内存映射外接设备，待外接设备完成数据处理后存储回特定系统存储空间，除进入及退出模式时，DMA控制器在执行模式运行时不需要处理器介入干预。
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公开(公告)号：CN114758713A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210663908.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及半导体存储器测试技术领域，具体涉及一种铁电存储器耐久性测试的电路和方法，该电路包括依次连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管、恒流源电路，所述PMOS晶体管的源极连接有电源；PMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的漏极相连接，在PMOS晶体管和NMOS晶体管的连接间节点设有监测电压点；NMOS晶体管的源极连接至恒流源电路的一端，恒流源电路的另一端接地；NMOS晶体管和恒流源电路的连接间节点与铁电存储器的位线连接；在PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极分别输入偏置电压Vbias1和偏置电压Vbias2。本发明加快了耐久性参数的获取，有效节约了测试时间成本，加速铁电产品的面市周期。
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公开(公告)号：CN114328322A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210261057.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及数据传输技术领域，尤其涉及一种可配置功能模式的DMA控制器运行方法，该方法在保留现有DMA数据搬运模式的情况下，增加执行模式，执行模式运行时可自动多次从系统存储器中读取数据至特定内存映射外接设备，待外接设备完成数据处理后存储回特定系统存储空间，除进入及退出模式时，DMA控制器在执行模式运行时不需要处理器介入干预。
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公开(公告)号：CN114758713B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210663908.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及半导体存储器测试技术领域，具体涉及一种铁电存储器耐久性测试的电路和方法，该电路包括依次连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管、恒流源电路，所述PMOS晶体管的源极连接有电源；PMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的漏极相连接，在PMOS晶体管和NMOS晶体管的连接间节点设有监测电压点；NMOS晶体管的源极连接至恒流源电路的一端，恒流源电路的另一端接地；NMOS晶体管和恒流源电路的连接间节点与铁电存储器的位线连接；在PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极分别输入偏置电压Vbias1和偏置电压Vbias2。本发明加快了耐久性参数的获取，有效节约了测试时间成本，加速铁电产品的面市周期。
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公开(公告)号：CN114996205A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210856427.6
申请日：2022-07-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了辅助3D架构近存计算系统的片内数据调度控制器及方法，将调度控制器作为内存映射IO设备接入系统总线，使预设指令可通过处理器写入对应内存映射地址实现调度控制；调度控制器与主机外部中断接收模块连接，以向主机发送执行完成中断信号，并可接收加速器中断信号，以判断加速器状态；获取可接管主机访存路径，可直接访问存储器。可接收来自主机的预写入数据调度指令并可接管主机访存端口，以此访问片上所有内存地址。根据预设指令，调度控制器将依次执行数据调动并在预设节点向主机发送完成信号，归还访存端口控制权，允许主机读取最终数据。
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