公开(公告)号：CN113436664A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110987676.4

申请日：2021-08-26

Applicant: 之江实验室

Inventor： 时拓 ,  唐双柱 ,  刘琦 ,  王睿 ,  卢建

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明属于非易失存储器技术领域，涉及一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法，通过调节阻变存储单元晶体管的栅极电压来实现阻变存储单元的电导的线性对称调节，在一晶体管一阻变存储器件的阻变存储单元结构下，在晶体管源极和漏极施加电压时，通过控制晶体管的栅极电压，使得阻变存储单元的电导状态发生改变，在高阻向低阻转变过程中，当晶体管的栅极电压较大时，器件电阻处于高电导状态；当晶体管的栅极电压较小时，忆阻器处于低电导状态。本发明方法通过调节栅极电压，得到电导呈线性对称变化，在多个周期性的测试中都保持较大的窗口，多次循环操作的电导变化差异很小，耐久性较好，可以解决传统阻变存储器编程方案的电导精准调控难题。

公开(公告)号：CN113436664B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110987676.4

申请日：2021-08-26

Applicant: 之江实验室

Inventor： 时拓 ,  唐双柱 ,  刘琦 ,  王睿 ,  卢建

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明属于非易失存储器技术领域，涉及一种阻变存储单元的电导线性对称调节方法，通过调节阻变存储单元晶体管的栅极电压来实现阻变存储单元的电导的线性对称调节，在一晶体管一阻变存储器件的阻变存储单元结构下，在晶体管源极和漏极施加电压时，通过控制晶体管的栅极电压，使得阻变存储单元的电导状态发生改变，在高阻向低阻转变过程中，当晶体管的栅极电压较大时，器件电阻处于高电导状态；当晶体管的栅极电压较小时，忆阻器处于低电导状态。本发明方法通过调节栅极电压，得到电导呈线性对称变化，在多个周期性的测试中都保持较大的窗口，多次循环操作的电导变化差异很小，耐久性较好，可以解决传统阻变存储器编程方案的电导精准调控难题。