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公开(公告)号：CN104953020A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510140982.9
申请日：2015-03-27
Abstract: 本发明涉及声子散射材料、纳米复合热电材料及其制造方法。本发明提供了一种作为声子散射材料与热电转换材料基体混合的化合物。该化合物由下式表示：在上述式中，G1表示能够与热电转换材料基体结合的官能团；G2独立地表示G1或CH3；0≤m≤5；0≤m’≤5；6≤n≤1000；并且1/1000
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公开(公告)号：CN104953020B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510140982.9
申请日：2015-03-27
Abstract: 本发明涉及声子散射材料、纳米复合热电材料及其制造方法。本发明提供了一种作为声子散射材料与热电转换材料基体混合的化合物。该化合物由下式表示：在上述式中，G1表示能够与热电转换材料基体结合的官能团；G2独立地表示G1或CH3；0≤m≤5；0≤m’≤5；6≤n≤1000；并且1/1000
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公开(公告)号：CN105742472A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510984702.2
申请日：2015-12-24
Abstract: 本发明提供一种热电转换材料，该材料是包含表面形成有氧化物层的母相材料的BiTe系或CoSb3系热电转换材料，是采用包括工序(a)和工序(b)、且工序(a)和工序(b)连续地进行的方法制造的，工序(a)是选自以下的工序(a1)和工序(a2)的弱氧化工序，(a1)将母相材料粉末在低氧气氛下混合后，将其暴露在该低氧气氛中；(a2)将母相材料粉末浸渍在醇中，工序(b)是对在工序(a1)中得到的粉末或在工序(a2)中得到的溶液进行热处理的合金化工序。
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公开(公告)号：CN102449208B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200980159593.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。
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公开(公告)号：CN103282559A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103282559B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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公开(公告)号：CN104885242A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201480003802.6
申请日：2014-06-16
CPC classification number: B22F9/24 , B22F3/10 , B22F3/105 , B22F2009/245 , B22F2301/052 , B22F2301/205 , B22F2301/30 , B22F2302/25 , B22F2302/253 , B22F2302/256 , B22F2302/45 , B22F2304/05 , B22F2998/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C22C32/0015 , H01L35/18 , H01L35/26 , H01L35/34 , C22C1/05
Abstract: 本发明提供了使特定形状的声子散射粒子分散以降低热导率并提高热电转换性能的纳米复合热电转换材料的制造方法。该纳米复合热电转换材料的制造方法是在热电转换材料的基质中分散有氧化物作为声子散射粒子的纳米复合热电转换材料的制造方法，其特征在于，包括：第一阶段：在溶液中，使构成热电转换材料的元素通过盐的还原、使构成声子散射粒子的氧化物通过前体的聚合分别作为纳米粒子析出和生长，回收这些纳米粒子的混合物，和第二阶段：通过水热处理将所述混合物合金化，制得复合纳米粒子，随后进行烧结；在所述第一阶段中，使构成热电转换材料的第一组元素的纳米粒子的析出或生长先于构成声子散射粒子的第二组元素氧化物的纳米粒子的析出或生长来进行。
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公开(公告)号：CN102449208A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200980159593.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。
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