公开(公告)号：CN110233135A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910160153.5

申请日：2019-03-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真悟 ,  佐藤海晴 ,  今井裕理

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明的半导体装置具备：第一半导体元件以及第二半导体元件；密封体，其对第一半导体元件以及第二半导体元件进行密封；第一信号端子，其跨及密封体的内外而延伸，并且在密封体的内部与第一半导体元件连接；第二信号端子，其跨及密封体的内外而延伸，并且在密封体的内部与第二半导体元件连接。第一信号端子和第二信号端子从密封体向同一方向突出。第一信号端子在密封体的内部具有随着向第一半导体元件接近而远离第二信号端子的区间。第二信号端子在密封体的内部具有随着向第二半导体元件接近而远离第一信号端子的区间。

公开(公告)号：CN108206141A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711338622.5

申请日：2017-12-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 佐藤海晴 ,  畑佐启太 ,  奥村知巳

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/365

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：准备第一半成品的工序，在该第一半成品中，导电性衬垫的下表面钎焊于第二导电性构件，并且在导电性衬垫的上表面设置有预备焊料；准备第二半成品的工序，在该第二半成品中，半导体元件的下表面钎焊于第一导电性构件，并且在半导体元件的上表面接合有接合线；及使第一半成品的预备焊料熔融而将第二半成品的半导体元件的上表面钎焊于第一半成品的导电性衬垫的下表面的工序。