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公开(公告)号:CN110828430A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201911078754.8
申请日:2019-11-07
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号: H01L25/065 , H01L21/98 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要: 本发明提供一种封装结构及其制备方法,所述封装结构包括:第二重新布线层;第一重新布线层,所述第一重新布线层与所述第二重新布线层电连接;半导体芯片,正面朝下倒装于所述第一重新布线层的第二表面,且与所述第一重新布线层电连接;塑封层,塑封于所述半导体芯片的外围,且所述塑封层远离所述第一重新布线层的表面与所述半导体芯片的背面平齐;散热件,与所述半导体芯片的背面接触;球栅阵列,设于所述第二重新布线层的下表面,且与所述第二重新布线层电连接。本发明通过使用重新布线层代替电路基板,可以有效降低封装厚度;通过两层重新布线层,避免使用硅中间层及硅通孔,降低成本;线宽线距可小于2μm,满足小线宽需求。
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公开(公告)号:CN106898557B
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201710124498.6
申请日:2017-03-03
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
CPC分类号: H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L25/071 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/73204 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/19105
摘要: 本发明提供一种集成有供电传输系统的封装件的封装方法,包括如下步骤:1)提供一载体;2)采用引线键合工艺在载体表面形成金属引线;3)将有源模块及无源模块设置于载体形成有金属引线的表面上,并在有源模块及所述无源模块表面形成金属连接柱;4)将金属引线、有源模块、无源模块及金属连接柱封装成型;5)在塑封材料表面形成再布线层;6)将用电芯片设置于再布线层表面,用电芯片经由多个微凸块实现与低电压供电轨道的对接;7)剥离载体,形成与金属引线相连接的焊料凸块。本发明通过使用三维芯片堆叠技术,提高了电力输送效率,增加了不同电压轨道的可用数量。
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公开(公告)号:CN108417982A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810437557.X
申请日:2018-05-09
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
摘要: 本发明提供一种天线的封装结构及封装方法,封装结构包括天线电路芯片、重新布线层、金属连接柱、封装层、天线金属层以及金属凸块,其中,天线电路芯片与天线金属层通过重新布线层以及金属连接柱互连。本发明的天线封装结构采用重新布线层互连的方法,依据该方法可实现天线封装结构的整合,从而大大提高天线的效率及性能,且本发明的天线封装结构及方法整合性较高,具有较高的封装效率。本发明采用扇出型封装方法封装天线结构,可有效缩小封装体积,使得天线的封装结构具有较高的集成度以及更好的封装性能,在半导体封装领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN107910311A
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201711259488.X
申请日:2017-12-04
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号: H01L23/492 , H01L23/31 , H01Q1/38
CPC分类号: H01L2224/73253 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012 , H01L23/492 , H01L23/3121 , H01Q1/38
摘要: 本发明提供一种扇出型天线封装结构及其制备方法,所述制备方法包括提供一载体、释放层结构;并于释放层上表面依次形成单层天线结构及重新布线层;于重新布线层上表面形成至少一个与重新布线层电连接的半导体芯片;于半导体芯片两侧的重新布线层上形成引出导线;于重新布线层上表面形成包覆半导体芯片及引出导线的塑封层;去除部分塑封层以暴露出半导体芯片及引出导线;于塑封层上表面依次形成焊球下金属层及焊球凸块;去除载体和释放层以暴露出单层天线结构;于焊球凸块表面焊接一基板;及于半导体芯片的第二表面形成散热片。通过本发明提供的扇出型天线封装结构及其制备方法,解决了现有半导体芯片外接天线时,导致PCB面积较大的问题。
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公开(公告)号:CN106847710A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710124760.7
申请日:2017-03-03
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
CPC分类号: H01L21/50 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/81005
摘要: 本发明提供一种集成有供电传输系统的封装件的封装方法,包括如下步骤:1)提供一载体;2)采用电镀工艺在载体表面形成第一金属连接柱;3)将有源模块及无源模块设置于载体形成有第一金属连接柱的表面上,并在有源模块及所述无源模块表面形成第二金属连接柱;4)将第一金属连接柱、有源模块、无源模块及第二金属连接柱封装成型;5)在塑封材料表面形成再布线层;6)将用电芯片设置于再布线层表面,用电芯片经由多个微凸块实现与低电压供电轨道的对接;7)剥离载体,形成与第一金属连接柱相连接的焊料凸块。本发明通过使用三维芯片堆叠技术,提高了电力输送效率,增加了不同电压轨道的可用数量。
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公开(公告)号:CN109904110A
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201711294826.3
申请日:2017-12-08
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/3065 , H01L23/48
摘要: 本发明提供一种形成垂直孔的刻蚀方法及其结构,该方法包括:提供一具有形成所垂直孔刻蚀区域的半导体基板;激光刻蚀步骤:对半导体基板进行激光刻蚀,以在刻蚀区域形成第一凹槽,该第一凹槽包含粗糙的侧壁和底部;等离子体刻蚀步骤:对第一凹槽的侧壁和底部进行等离子体刻蚀,以形成第二凹槽,同时去除第一凹槽侧壁和底部的粗糙结构,以使第二凹槽包含光滑的侧壁和底部。本发明通过激光刻蚀步骤与等离子体刻蚀步骤重复执行,缩短了制程时间、降低了制造成本,同时还能保证获得的垂直孔内表面光滑;另外形成的所述垂直通孔呈现宽度依次减小的结构,对垂直通孔后的器件表面的伤害小,可有效提高产品良率。
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公开(公告)号:CN109742056A
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201910120903.6
申请日:2019-02-18
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/58 , H01Q1/22
摘要: 本发明提供一种天线的封装结构及封装方法,封装结构包括重新布线层、图形化的种子层、金属馈线柱、封装层、天线金属层、天线电路芯片及金属凸块。金属馈线柱采用电镀或化学镀的方法形成于所述图形化的种子层上,其径向宽度介于100微米~1000微米之间,天线电路芯片通过重新布线层以及金属馈线柱与天线金属层电性连接。本发明采用电镀或化学镀的方式形成天线金属馈线柱,可以获得大直径的金属馈线柱,提高结构强度,降低工艺偏差,同时可减小馈线损耗,提高天线的效率及性能。本发明可以获得多层结构的天线结构层,多层天线结构会有一定的损耗,而本发明采用直径较大、损耗较低的金属馈线柱,可大大降低多层天线结构的损耗。
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公开(公告)号:CN109473765A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201811575135.5
申请日:2018-12-21
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
摘要: 本发明提供一种三维封装天线及其封装方法,使用两层封装层、两层金属连接柱及两层天线金属层将封装天线结构中的天线传送功能模块及天线接收功能模块通过三维封装的方式进行封装,有效减小了封装天线的体积;另外,三维封装的方式,有效缩短了封装天线结构中元件的信号传输线路,使封装天线的电连接性能及天线效能得到很大提高,从而减少封装天线的功耗以及电磁波的衰减;最后,通过在各有源器件之间设置电磁防护柱或电磁防护框,有效降低各封装天线中元件之间的电磁干扰,提高天线效能。
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公开(公告)号:CN107958896A
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201711281899.9
申请日:2017-12-07
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
CPC分类号: H01L2224/18 , H01L23/66 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01Q1/2283
摘要: 本发明提供一种具有天线结构的双面塑封扇出型封装结构及其制备方法,包括:重新布线层;半导体芯片,正面朝向倒装装设于重新布线层的第一表面;第一塑封材料层,位于重新布线层的第一表面,且将半导体芯片封裹塑封;第二塑封材料层,位于重新布线层的第二表面;天线结构,位于第二塑封材料层远离重新布线层的表面;电连接结构,位于第二塑封材料层内,与重新布线层及天线结构电连接;连接通孔,位于第一塑封材料层内;焊料凸块,位于连接通孔内,且与重新布线层电连接。本发明中半导体芯片与天线结构分别位于重新布线层上下两侧,重新布线层中的金属线层可以起到屏蔽天线结构的干扰信号的作用,从而避免天线结构对半导体芯片造成干扰。
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公开(公告)号:CN109755262A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201711059709.9
申请日:2017-11-01
申请人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号: H01L27/146
摘要: 本发明提供一种封装结构及封装方法,所述封装结构包括:复合芯片,所述复合芯片包括介质层及结合于介质层第一面的电路层;且介质层还包括与第一面相对的第二面;介质层横向划分为感应区及逻辑区;感应区内包括若干沟槽隔离结构;聚光层位于介质层第二面;聚光层包括像素元件,像素元件的位置对应于感应区;本发明采用晶圆级封装方法,在一次封装过程中得到多个集成有感应区及逻辑区的复合芯片封装结构,具有封装体积小,组装工艺简单,封装费用低的优点,且不需要外部连线,从而有利于提高结构的稳定性,同时提高最终器件结构的成品率。
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