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公开(公告)号：CN109904110B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201711294826.3
申请日：2017-12-08
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3065 , H01L23/48
摘要： 本发明提供一种形成垂直孔的刻蚀方法及其结构，该方法包括：提供一具有形成所垂直孔刻蚀区域的半导体基板；激光刻蚀步骤：对半导体基板进行激光刻蚀，以在刻蚀区域形成第一凹槽，该第一凹槽包含粗糙的侧壁和底部；等离子体刻蚀步骤：对第一凹槽的侧壁和底部进行等离子体刻蚀，以形成第二凹槽，同时去除第一凹槽侧壁和底部的粗糙结构，以使第二凹槽包含光滑的侧壁和底部。本发明通过激光刻蚀步骤与等离子体刻蚀步骤重复执行，缩短了制程时间、降低了制造成本，同时还能保证获得的垂直孔内表面光滑；另外形成的所述垂直通孔呈现宽度依次减小的结构，对垂直通孔后的器件表面的伤害小，可有效提高产品良率。
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公开(公告)号：CN106816421B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710172466.3
申请日：2017-03-22
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/52 , H01L21/60
摘要： 本发明提供一种集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，所述封装结构包括用电芯片及连接于所述用电芯片下方的功率传输芯片；所述功率传输芯片用于将外部电源的电压转换成所述用电芯片所需的多个电压，并提供多条对接所述用电芯片的供电轨道。本发明的封装方法利用所述功率传输芯片3作为有源2.5D中介板，通过微凸块或其它凸块结构将用电芯片5集成在有源2.5D中介板上，得到三维堆叠芯片结构。整个系统电路板的功率传输系统由所述功率传输芯片实现，可以消除封装基板上的寄生电阻，从而提高功率传输效率，改善功率控制的响应时间，提高保真度。
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公开(公告)号：CN109560091A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710892256.1
申请日：2017-09-27
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种封装结构及封装方法，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层第一面上；CMOS图像传感器芯片与逻辑芯片，所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片正面具有金属焊点，所述金属焊点装设于所述重新布线层第二面上与所述重新布线层实现相互之间的电连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，所述CMOS图像传感器芯片背面裸露于所述封装材料；本发明封装结构具有封装体积小，组装工艺简单，封装费用低，且不需要外部连线从而提高结构的稳定性，同时提高最终器件结构的成品率。
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公开(公告)号：CN107195553B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710403482.9
申请日：2017-06-01
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号： H01L21/56
摘要： 本发明提供一种改善边缘形貌的成型方法，包括以下步骤：提供一载体，所述载体设有一收容槽，所述收容槽包括底面以及由所述底面边缘向上延伸的侧壁；在所述载体表面形成粘结层，将裸芯通过所述粘结层固定在所述收容槽的底面上；在所述收容槽内填充成型复合物，使所述裸芯被成型复合物包裹；将所述载体放置于成型模具内，使所述载体与成型模具配合合模成型，在所述收容槽内形成包裹所述裸芯的成型晶圆；脱模，并将所述成型晶圆与载体分离。本发明利用特殊的载体结构，使成型晶圆与粘结层接触的边缘不再过于尖锐，从而可避免在后续制程中出现颗粒污染物或裂纹等问题，有利于提高封装产品的良率。
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公开(公告)号：CN109904110A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711294826.3
申请日：2017-12-08
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3065 , H01L23/48
摘要： 本发明提供一种形成垂直孔的刻蚀方法及其结构，该方法包括：提供一具有形成所垂直孔刻蚀区域的半导体基板；激光刻蚀步骤：对半导体基板进行激光刻蚀，以在刻蚀区域形成第一凹槽，该第一凹槽包含粗糙的侧壁和底部；等离子体刻蚀步骤：对第一凹槽的侧壁和底部进行等离子体刻蚀，以形成第二凹槽，同时去除第一凹槽侧壁和底部的粗糙结构，以使第二凹槽包含光滑的侧壁和底部。本发明通过激光刻蚀步骤与等离子体刻蚀步骤重复执行，缩短了制程时间、降低了制造成本，同时还能保证获得的垂直孔内表面光滑；另外形成的所述垂直通孔呈现宽度依次减小的结构，对垂直通孔后的器件表面的伤害小，可有效提高产品良率。
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公开(公告)号：CN107146779A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710523587.8
申请日：2017-06-30
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L21/60 , G06K9/00
摘要： 本发明提供一种指纹识别芯片的封装结构及封装方法，所述封装结构包括：硅衬底；重新布线层，形成于所述硅衬底上；金属引线，通过焊线工艺焊接于所述重新布线层上；指纹识别芯片，通过金属焊点装设于所述重新布线层上，其中，所述指纹识别芯片的正面朝向于所述重新布线层；以及封装材料，覆盖于所述指纹识别芯片，且所述金属引线露出于所述封装材料。本发明采用扇出型封装（Fan out）指纹识别芯片，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、厚度小、良率高的优点。采用焊线工艺，可以大大降低工艺温度，提高工艺的适用范围。
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公开(公告)号：CN106783778A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710030404.9
申请日：2017-01-17
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
CPC分类号： H01L23/481 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/2201 , H01L2224/221 , H01L2224/225
摘要： 本发明提供一种塑封材料过孔及其填充方法，所述填充方法包括S1：提供一金属焊盘结构，并在所述金属焊盘结构上表面形成塑封材料层；S2：在对应金属焊盘位置的塑封材料层上形成开口，并在所述开口的内表面形成阻挡层，其中，所述金属焊盘上方保留有预定厚度的塑封材料层作为保护层；S3：去除所述开口底部的阻挡层及保护层，暴露出所述金属焊盘；S4：在所述阻挡层表面及金属焊盘上表面形成种子层，并在所述种子层表面依次形成金属层和聚合物层。通过本发明提供的塑封材料过孔及其填充方法，解决了现有技术中没有有效地填充塑封材料过孔方法的问题。
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公开(公告)号：CN107146779B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201710523587.8
申请日：2017-06-30
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L21/60 , G06K9/00
摘要： 本发明提供一种指纹识别芯片的封装结构及封装方法，所述封装结构包括：硅衬底；重新布线层，形成于所述硅衬底上；金属引线，通过焊线工艺焊接于所述重新布线层上；指纹识别芯片，通过金属焊点装设于所述重新布线层上，其中，所述指纹识别芯片的正面朝向于所述重新布线层；以及封装材料，覆盖于所述指纹识别芯片，且所述金属引线露出于所述封装材料。本发明采用扇出型封装（Fan out）指纹识别芯片，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、厚度小、良率高的优点。采用焊线工艺，可以大大降低工艺温度，提高工艺的适用范围。
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公开(公告)号：CN106898557B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710124498.6
申请日：2017-03-03
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
CPC分类号： H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L25/071 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/73204 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/19105
摘要： 本发明提供一种集成有供电传输系统的封装件的封装方法，包括如下步骤：1）提供一载体；2）采用引线键合工艺在载体表面形成金属引线；3）将有源模块及无源模块设置于载体形成有金属引线的表面上，并在有源模块及所述无源模块表面形成金属连接柱；4）将金属引线、有源模块、无源模块及金属连接柱封装成型；5）在塑封材料表面形成再布线层；6）将用电芯片设置于再布线层表面，用电芯片经由多个微凸块实现与低电压供电轨道的对接；7）剥离载体，形成与金属引线相连接的焊料凸块。本发明通过使用三维芯片堆叠技术，提高了电力输送效率，增加了不同电压轨道的可用数量。
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公开(公告)号：CN107507821A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710791971.6
申请日：2017-09-05
申请人： 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L27/146 , H01L21/56
摘要： 本发明提供一种集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构及封装方法，包括：重新布线层，透明盖板，封装于所述重新布线层的第一面上；金属引线结构，凸设于所述重新布线层的第二面上；图像传感器芯片及逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第二面上，且所述图像传感器芯片、所述逻辑芯片与所述金属引线结构通过所述重新布线层实现相互之间的电连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上。本发明可以在同一个封装腔中集成图像传感器芯片及逻辑芯片，具有封装体积小，器件可靠性高的优点；本发明通过预先制作的金属柱实现重新布线层的电性引出，不需要进行硅穿孔等工艺，可以大大节省工艺成本。
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