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公开(公告)号：CN116256607A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111462960.6
申请日：2021-12-02
摘要： 一种测试电路结构及其形成方法和测试方法。其中测试电路结构包括：衬底；位于所述衬底上的若干待测样品，所述若干待测样品沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和所述第二方向不同；位于所述衬底上的若干第一衬垫层，各所述第一衬垫层与沿所述第二方向的同一列待测样品电连接；位于所述衬底上的若干第二衬垫层，各所述第二衬垫层与沿所述第一方向的同一行待测样品电连接。从而，在探针数量固定的情况下，每次测试的待测样品的数量达到最大化，获取更多缺陷的概率也相应提升，同时也减少了探针插拔的次数，延长探针的寿命。
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公开(公告)号：CN113971386A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010725648.0
申请日：2020-07-24
IPC分类号： G06F30/398
摘要： 一种集成电路的仿真方法，包括：提供初始单元电路版图，所述初始单元电路版图包括若干初始互连图形；获取互连切割层信息；根据互连切割层信息对所述初始单元电路版图进行模拟处理，以获取预设单元电路版图；根据所述预设单元电路版图建立后仿网表。通过所述集成电路的仿真方法，能够提高集成电路的仿真结果的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN112018112A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910458687.6
申请日：2019-05-29
IPC分类号： H01L27/092
摘要： 一种半导体单元结构及其形成方法，半导体单元结构包括：位于基底上的第一栅极结构组，第一栅极结构组包括第一栅极结构，第一栅极结构沿第一方向延伸至第一区、第二区、以及第一区域两侧的第三区上；分别位于第一栅极结构两侧第一区中、以及分别位于第一栅极结构两侧第二区中的第一源区和第一漏区。所述半导体单元结构的性能提高。
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公开(公告)号：CN109001610B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201710417816.8
申请日：2017-06-06
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 一种ESD通路探测方法及系统，所述方法包括：当待测试芯片泄放ESD电流时，对所述待测试芯片因泄放ESD电流产生的光子进行探测；基于探测得到的光子的位置信息，获得ESD通路影像；基于所述ESD通路影像，确定所述待测试芯片中对应的ESD通路是否正常。上述的方案，可以对待测试芯片中ESD通路进行定位，满足对待测试芯片ESD通路失效原因的分析需求。
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公开(公告)号：CN110875685A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811002259.4
申请日：2018-08-30
摘要： 一种同步Buck开关电源电路，包括：PWM波生成电路、死区时间控制电路、驱动电路以及滤波整形电路，其中PWM波生成电路，输出端与死区时间控制电路的PWM波输入端耦接；驱动电路，包括上MOS管以及下MOS管，上MOS管的栅极与死区时间控制电路的第一信号输出端耦接，下NMOS管的栅极与死区时间控制电路的第二信号输出端耦接；驱动电路包括上MOS管以及下MOS管，上MOS管的栅极与死区时间控制电路的第一信号输出端耦接，下NMOS管的栅极与死区时间控制电路的第二信号输出端耦接；滤波整形电路与驱动电路的输出端耦接。上述方案能够自动调节同步Buck开关电源电路的死区时间，降低同步Buck开关电源电路的功耗。
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公开(公告)号：CN110568896A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810566579.6
申请日：2018-06-05
发明人： 王俊
IPC分类号： G05F1/575
摘要： 本公开提供了一种比较器、集成电路和方法。该比较器包括：第一镜像单元，用于向输入单元输出动态电流，根据接收的反馈电流调整动态电流的大小；第二镜像单元，用于向输入单元输出固定电流；输入单元，用于根据第一电压与第二电压的差值、固定电流和动态电流分别向反馈单元输出第一电流和向输出单元输出第二电流；反馈单元，用于在接收到第一电流后，向第一镜像单元输出反馈电流；和输出单元，用于获得第二电流或者经过调整后的动态电流的镜像电流，并且在第一电压大于该第二电压的情况下，响应于第二电流而输出第一比较结果，以及在第一电压小于第二电压的情况下，响应于镜像电流而输出第二比较结果。该比较器可以提高比较速度。
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公开(公告)号：CN106874231A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510926845.8
申请日：2015-12-14
IPC分类号： G06F13/40
CPC分类号： G06F13/4022
摘要： 本发明提供了一种总线保持器及电子装置，该总线保持器包括：第一上拉电路，所述上拉电路包括串联连接的第一开关和第二开关；第一下拉电路，所述下拉电路包括串联连接的第三开关和第四开关；以及与所述第三开关串联连接的第五开关以及与所述第四开关串联连接的第六开关，其中，所述第五开关的源极与所述第一开关的源极相连接，并且所述第六开关的源极与所述第四开关的源极相连接。该总线保持器使用了更少的MOSFET获得了更多的功能，可以进行总线保持验证，利用上拉和下拉控制管脚来切换总线保持器，并且可以应用于I/O电路并可以大规模生产。
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公开(公告)号：CN108462485B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201710097476.5
申请日：2017-02-22
发明人： 王俊
IPC分类号： H03K17/284 , H03K17/687
摘要： 本发明提供一种延时电路及电子装置。该延时电路包括：电流源，所述电流源配置为提供基准电流；第一电流镜和第二电流镜，所述第一电流镜和所述第二电流镜的输入端与所述电流源连接，所述第一电流镜和所述第二电流镜的输出端彼此连接；电容，所述电容设置在所述第一电流镜的输入端和输出端之间；开关元件，所述开关元件配置为控制所述电容的充放电；比较器，所述比较器配置为将所述电容上的电压与基准电压进行比较，并在所述电容上的电压大于所述基准电压时翻转。该延时电路有效降低了对电容的充电电流，可以基于小面积电容实现较大的延迟时间，并且可以实现精确可控的延迟时间增加倍数。该电子装置具有类似的优点。
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公开(公告)号：CN113078816A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010010423.7
申请日：2020-01-06
摘要： 一种电压变换电路，包括：开关电路，适于基于输入信号，在开关节点处输出节点信号，所述节点信号与所述输入信号的相位相同；电压转换电路，适于根据接收的节点信号进入充电模式或放电模式以输出输出信号，并对所述开关节点处输出的节点信号进行滤波；还包括：自激振荡消除电路，适于当所述开关节点处产生高频振荡信号时，将该高频振荡信号进行释放。由此，通过将高频振荡信号进行释放，消除了电路产生的自激振荡，从而提高了电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN113075953A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010010421.8
申请日：2020-01-06
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 一种电流源，根据电源电压输出输出电流，包括：第一电流镜，包括第一NOMS管和第二NMOS管，适于接收输入电流，并向钳位NMOS管输出第一输出电流，所述输入电流与所述电源电压有关；以及钳位模块，适于控制所述第一NMOS管的漏极电压与所述第二NMOS管的漏极电压相等；其中，所述第一输出电流与所述第一NMOS管的漏极电流相等。由此，即使电源电压改变，所述电流源的输出电流也可以保持与所述第一NMOS管的漏极电流相等，因此所述电流源的输出电流依然可以保持较高的线性度与线性范围，并提高电路的稳定性。
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