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公开(公告)号：CN104216231B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201310222183.7
申请日：2013-06-05
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种涂布装置和涂布方法，其中，所述涂布装置包括：基台；掩模板载物台，位于基台上，用于装载圆筒形掩模板，使圆筒形掩模板水平放置，并使其绕的中心轴旋转；光刻胶喷头，用于从圆筒形掩模板的侧上方向圆筒形掩模板表面喷洒光刻胶；夹持单元，位于掩模板载物台一侧，用于夹持辅助滚筒，使所述辅助滚筒水平放置，并使其绕的中心轴旋转；其中，当水平放置的辅助滚筒表面贴近水平放置的圆筒形掩模板表面，光刻胶喷头从侧上方向圆筒形掩模板表面喷洒光刻胶时，同时圆筒形掩模板绕中心轴旋转，辅助滚筒也绕中心轴旋转，辅助滚筒挤压圆筒形掩模板和辅助滚筒之间的光刻胶，使光刻胶涂覆于圆筒形掩模板表面。在圆筒形掩模板上形成厚度均匀的光刻胶。
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公开(公告)号：CN108735813A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710273276.0
申请日：2017-04-24
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76232 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L27/0886
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的器件区和隔离区，所述衬底上形成有分立的鳍部，相邻所述鳍部之间的距离相等；在所述鳍部侧壁上形成保护层；采用第一刻蚀工艺刻蚀去除所述隔离区部分厚度的保护层和鳍部；以剩余保护层为掩膜，采用第二刻蚀工艺刻蚀所述隔离区的剩余鳍部，形成伪鳍部；在第二刻蚀工艺后，去除所述剩余保护层；去除所述剩余保护层后，在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部低于所述器件区鳍部的顶部，且高于所述伪鳍部的顶部。本发明将刻蚀所述隔离区鳍部的步骤分为两步，从而可以增大去除隔离区鳍部的刻蚀工艺窗口，且减小对相邻器件区鳍部的刻蚀损伤。
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公开(公告)号：CN104752170B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310745809.2
申请日：2013-12-30
发明人： 胡华勇
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 一种双重图形化的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有掩膜层；依次在所述掩膜层表面形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光显影处理，在第一光刻胶层内形成第一通孔，在第二光刻胶层内形成第二通孔，且所述第一通孔的宽度大于第二通孔的宽度；形成填充满所述第一通孔和第二通孔的填充材料层；回刻蚀所述填充材料层，去除位于第二光刻胶层表面的填充材料层，且去除位于第二通孔内、以及第二通孔下方的填充材料层，直至暴露出掩膜层表面；去除第二光刻胶层和第一光刻胶层，剩余的填充材料层为双重图形化的掩膜。本发明提供一种双重图形化的掩膜的形成方法，提高形成的双重图形化的掩膜的图形质量。
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公开(公告)号：CN104749777B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310739674.9
申请日：2013-12-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种可穿戴智能设备的互动方法，包括：提供可穿戴智能设备，提供可读物，所述可读物具有电子标签；当眼睛的位置与电子标签位置匹配时，中央数据中心执行与位置随时间的变化方式匹配的操作。本发明能够将控制界面的图像界面虚像与操作者动作的位置或者位置随时间的变化方式匹配或关联，使得操作者动作与视觉效果一致或关联。
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公开(公告)号：CN103811314B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201210445671.X
申请日：2012-11-08
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 胡华勇
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制造方法包括：步骤S101：提供形成有浅沟槽隔离的半导体衬底；步骤S102：在所述浅沟槽隔离的上方形成硅盖帽层；步骤S103：在所述半导体衬底上形成离子注入遮蔽层。本发明的半导体器件的制造方法，通过增加在半导体衬底的浅沟槽隔离的上方形成硅盖帽层的步骤，保证了整个半导体衬底上表面具有相近的光反射率，因而保证了形成的离子注入遮蔽层的关键尺寸（CD）可以较好地得到控制，提高了半导体器件的良率。
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公开(公告)号：CN103676470B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201210337284.4
申请日：2012-09-12
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 本发明提供一种形成光刻胶图案的方法及装置，涉及光刻技术领域。该形成光刻胶图案的方法包括：步骤S201：提供形成有待构图薄膜的衬底，在所述待构图薄膜上涂布一层光刻胶；步骤S202：对所述光刻胶进行曝光处理；步骤S203：对所述光刻胶进行显影处理；步骤S204：对所述显影后的光刻胶进行清洗处理；步骤S205：对所述清洗后的光刻胶进行低速旋转干燥处理；步骤S206：将所述光刻胶送入蒸发室进行干燥处理。该形成光刻胶图案的装置包括：腔体，设置于所述腔体上的密封结构和排气系统，还包括设置于该腔体内的支撑结构和加热板。本发明提供的形成光刻胶图案的方法及装置，可以防止光刻胶图案发生坍塌，能够实现更好的光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN106298667A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510271980.3
申请日：2015-05-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823828 , H01L21/823842
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：在高K介质层以及第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的侧壁表面上形成第一金属层；在第一金属层上形成第二金属层；在第二金属层上形成无机填充层，无机填充层填充满第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，且第二区域的无机填充层的厚度大于第一区域的无机填充层的厚度；在所述无机填充层上形成可回流的有机涂层，第二区域的可回流的有机涂层的厚度小于第一区域的可回流的有机涂层的厚度；刻蚀去除第二区域和第一区域内的NMOS区上的可回流的有机涂层、无机填充层和第二金属层，暴露出第一金属层的表面。本发明的方法防止采用单一无机填充层带来的厚度差异并导致的不同区域的金属层的刻蚀损伤。
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公开(公告)号：CN105632886A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410598410.0
申请日：2014-10-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 胡华勇
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在基底上形成介质层；在介质层上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成具有第一开口的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行固化处理；对第一光刻胶层的表面进行硅烷化处理，在第一光刻胶层表面形成硅烷化层；形成覆盖硅烷化层的填充层；在填充层上形成具有第一通孔的第二光刻胶层；沿第一通孔刻蚀填充层，在第一开口内的填充层中形成第二通孔；沿第一通孔和第二通孔刻蚀所述硬掩膜层和介质层，形成第三通孔；去除所述第二光刻胶层和填充层，暴露出硅烷化层的表面；在硬掩膜层中形成第三开口；沿第三开口刻蚀所述介质层，在介质层中形成第四开口。本发明的方法简化了光刻和蚀刻的工艺流程，提高了工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN105446084A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410432069.1
申请日：2014-08-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 胡华勇
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/325 , C07C51/00 , C07C51/14 , C07C55/08 , C07C55/12 , C07C55/14 , C07C55/32 , C07C59/21 , C07C59/295 , C07C59/315 , C07C59/347 , C07C229/24 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/20
摘要： 本发明提供一种光刻方法，涉及半导体技术领域。本发明的光刻方法包括：步骤S101：在待刻蚀膜层上依次形成正光刻胶层和表面光可分解碱性层；步骤S102：利用掩膜板对所述正光刻胶层进行曝光处理；步骤S103：使用有机溶剂进行负显影处理，溶解去除非曝光区域以形成图形化的光刻胶。该光刻方法通过在曝光工艺之前在正光刻胶层之上形成表面光可分解碱性层，可以避免经负显影处理形成的图形化的光刻胶出现T型顶部缺陷。
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公开(公告)号：CN103390544B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210147052.2
申请日：2012-05-11
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本发明公开了一种用于形成硬掩膜层的方法，包括：提供衬底，在衬底上预先形成有具有图案的光刻胶层；在衬底的表面以及光刻胶层的表面和侧壁上扩布RELACS材料层；执行热处理，以在RELACS材料层与光刻胶之间的混合边界处形成非水溶性材料层；执行回蚀刻，去除位于光刻胶层的顶表面上方的RELACS材料层和非水溶性材料层，以至少露出光刻胶层的顶表面，从而仅在光刻胶层的侧壁上保留非水溶性材料层中的一部分；以及去除光刻胶层和RELACS材料层，仅保留非水溶性材料层的位于光刻胶层的侧壁上的部分，作为硬掩膜层。该方法克服了采用PR掩膜或者高度不一致的硬掩膜而存在的问题从而能够提高后续形成的图案的CD均一性，且该方法可与传统工艺兼容从而能够降低成本。
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