公开(公告)号：CN119698023A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202311211568.3

申请日：2023-09-19

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 李倩 ,  孙钱 ,  周宇 ,  刘建勋 ,  詹晓宁 ,  代全 ,  钟耀宗 ,  陈昕 ,  郭小路 ,  高宏伟

IPC: H10D30/47 ,  H01L21/02 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明公开了一种III‑V族半导体的外延结构、其生长方法及应用。所述外延结构包括沿指定方向依次层叠设置的衬底、中间层、刻蚀停止层、沟道层以及势垒层；其中沟道层和势垒层组成异质结，V族极性面朝向刻蚀停止层；刻蚀停止层包括周期性层叠的第一和第二亚层，当进行刻蚀时，第一亚层的刻蚀速率高于第二亚层。本发明所提供的外延结构采用多层叠层结构作为刻蚀停止层，提高了第二亚层的等效总厚度，且避免了单独较厚的第二亚层的裂纹等缺陷，不仅可以根据需要实现一定厚度的有源层结构，而且可以有效降低界面粗糙度及界面态密度，能够获得载流子密度高、迁移率高的稳定均一高质量的III族极性异质结器件。

公开(公告)号：CN119766210A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411799794.2

申请日：2024-12-09

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙新宇 ,  孙钱 ,  钟耀宗 ,  高宏伟 ,  郭小路 ,  陈昕 ,  李方清 ,  杨辉

IPC: H03K5/24 ,  H03K17/04 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种比较器电路、具有不同阈值电压耗尽型器件及其制作方法。兼具高开关速度、高电压比较范围、高精度的比较器电路包括：第一耗尽型HEMT、第二耗尽型HEMT、第三耗尽型HEMT、第一增强型HEMT和第二增强型HEMT，所述第一耗尽型HEMT和所述第三耗尽型HEMT的阈值电压相等且大于所述第二耗尽型HEMT的阈值电压，所述第一增强型HEMT和第二增强型HEMT的阈值电压相同。本发明实现的包含高低阈值电压耗尽型器件的比较器电路具有兼顾高开关速度和高电压比较范围和精度的特点。

公开(公告)号：CN119403141A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202310920015.9

申请日：2023-07-25

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 闫书萌 ,  孙钱 ,  刘建勋 ,  周宇 ,  孙秀建 ,  钟耀宗 ,  陈昕 ,  李倩 ,  杨辉

IPC: H10D10/80 ,  H10D62/17 ,  H10D64/62 ,  H10D10/01

Abstract: 本发明公开了一种异质结双极型晶体管及其制备方法。异质结双极型晶体管包括半导体外延结构以及基极、发射极和集电极，所述半导体外延结构包括沿第一方向依次层叠设置的集电区、基区和发射区，所述基极与所述基区电连接，所述发射极与所述发射区电连接，所述集电极与所述集电区电连接，所述基区包括第一基区和第二基区，所述第一基区层叠设置在所述集电区上，所述第二基区和所述发射区设置在所述第一基区上，所述基极设置在所述第二基区上，其中，所述第二基区与所述第一基区的掺杂类型相同，且所述第二基区的掺杂浓度大于所述第一基区的掺杂浓度。本发明提通过二次外延形成的基区降低了p型基区的欧姆接触电阻。

公开(公告)号：CN117727777A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311744331.1

申请日：2023-12-18

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 葛鑫晨 ,  杨辉 ,  孙钱 ,  郭小路 ,  钟耀宗 ,  张书明 ,  陈昕 ,  高宏伟 ,  孙秀建

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请公开了一种肖特基结的特性调控方法、结构及其应用。所述特性调控方法包括：使金属电极与宽禁带半导体形成肖特基接触，该金属电极用于与宽禁带半导体接触的表面具有第一、第二区域，第一、第二区域分别由第一、第二金属形成，第二区域环绕第一区域设置，第二金属的功函数低于第一金属的功函数；以金属电极为掩膜对宽禁带半导体进行刻蚀形成台面结构；至少在台面结构的侧壁上制作场板结构；通过调整第一、第二金属中任一者的种类和/或任一者与宽禁带半导体的接触面积在金属电极与宽禁带半导体的接触面积中的占比，实现对肖特基结特性的调控。本申请可实现较大范围内的肖特基势垒高度的精细调控，同时提升关态特性，综合提高器件的电学性能。

公开(公告)号：CN115692491A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110826176.2

申请日：2021-07-21

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙钱 ,  钟耀宗 ,  陈昕 ,  高宏伟 ,  苏帅 ,  周宇 ,  詹晓宁 ,  刘建勋 ,  杨辉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。所述III族氮化物增强型HEMT器件包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括依次叠设的沟道层、势垒层和p型半导体；所述外延结构还包括叠设在p型半导体上的AlyGa1‑yN层，所述栅极设置在AlyGa1‑yN层上；所述势垒层与p型半导体的接触界面处的Al含量低于所述势垒层中其余区域的Al含量，所述AlyGa1‑yN层所含掺杂元素的浓度低于所述p型半导体所含掺杂元素的浓度；其中，0＜x≦1，0≦y≦1，0≦m≦1。本发明提供的III族氮化物增强型HEMT器件具有更高的栅极工作寿命和更小的栅极动态阈值电压漂移，器件的可靠性可以得到大幅提升。

公开(公告)号：CN118472016A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410544127.3

申请日：2024-04-30

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 葛鑫晨 ,  杨辉 ,  郭小路 ,  孙钱 ,  钟耀宗 ,  陈昕 ,  高宏伟 ,  孙秀建

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种提高功率电子器件关态电学特性的终端结构及其制备方法。该终端结构包括：半导体结构以及介质层、金属电极，所述介质层层叠设置在所述半导体结构上，所述介质层的边缘具有侧壁面，所述金属电极的第一部分覆设在所述介质层的侧壁面上，所述金属电极的第二部分覆设在所述半导体结构上，所述金属电极与所述介质层、所述半导体结构形成金属‑介质‑半导体的场板结构。本发明通过分离边缘尖峰电场与漏电通道的空间位置，同时提出“自对准”工艺来制备该终端结构，可简化工艺步骤，降低生产成本，以达到击穿电压与关态漏电的同步优化的效果。

公开(公告)号：CN118263309A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410544762.1

申请日：2024-04-30

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 曹蕴哲 ,  孙钱 ,  钟耀宗 ,  郄浩然 ,  高宏伟 ,  陈昕 ,  郭小路

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管及其制备方法。具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS栅极结构以及源极、漏极，外延结构包括至少一异质结，异质结内具有载流子沟道，外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，载流子沟道被栅极凹槽隔断；MIS栅极结构包括p型半导体结构层、栅介质层、栅极和p型半导体场板，当向栅极施加正向电压时，p型半导体结构层内反型产生电子，位于栅极凹槽两侧的载流子沟道经电子电连接；p型半导体场栅极与漏极之间，在关态下，增强型场效应晶体管内部的电场被p型半导体场板束缚在p型半导体场板与漏极之间的区域。该具有p型半导体场板的增强型FET具有更高的可调节阈值电压。

公开(公告)号：CN116960182A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310912208.X

申请日：2023-07-24

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 钟耀宗 ,  孙钱 ,  曹蕴哲 ,  陈昕 ,  郭小路 ,  高宏伟 ,  周宇 ,  杨辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种增强型场效应晶体管及其制备方法。增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS/MOS栅极结构以及源极、漏极，所述外延结构包括至少一异质结，所述异质结内形成有载流子沟道，所述外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，所述栅极凹槽的槽底位于所述第一半导体层内，槽口位于所述第二半导体层，所述载流子沟道被所述栅极凹槽隔断；所述MIS/MOS栅极结构包括沿所述选定方向依次层叠设置的第三半导体层、栅介质层和栅极，当向所述栅极施加正向电压时，所述第三半导体层内反型产生电子，位于所述栅极凹槽两侧的所述载流子沟道经所述电子电连接。本发明具有更高的栅极正向击穿电压和阈值电压。

公开(公告)号：CN115172367A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210808044.1

申请日：2022-07-07

Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 ,  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 钟耀宗 ,  孙钱 ,  高宏伟 ,  郭小路 ,  陈昕 ,  杨勇 ,  杨辉

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请公开了一种具有多阈值电压的GaN基HEMT、其制备方法及应用。所述HEMT结构包括沟道层和势垒层，沟道层与势垒层之间形成有二维电子气；势垒层至少具有第一、第二源极区，第一、第二栅极区，以及第一、第二漏极区；第一源极区、第一栅极区及第一漏极区相互配合，用于形成第一HEMT单元；第二源极区、第二栅极区及第二漏极区相互配合，用于形成第二HEMT单元；势垒层在第一栅极区的厚度小于在第二栅极区的厚度，使第一HEMT单元的阈值电压高于第二HEMT单元的阈值电压。本申请可以实现高、低阈值电压HEMT器件的晶圆级制备，制得的多阈值电压HEMT高度集成，且载流子迁移率高、阈值电压均匀性好，可以很好地满足高低阈值型逻辑电路的应用需求。