公开(公告)号：CN118263309A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410544762.1

申请日：2024-04-30

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 曹蕴哲 ,  孙钱 ,  钟耀宗 ,  郄浩然 ,  高宏伟 ,  陈昕 ,  郭小路

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管及其制备方法。具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS栅极结构以及源极、漏极，外延结构包括至少一异质结，异质结内具有载流子沟道，外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，载流子沟道被栅极凹槽隔断；MIS栅极结构包括p型半导体结构层、栅介质层、栅极和p型半导体场板，当向栅极施加正向电压时，p型半导体结构层内反型产生电子，位于栅极凹槽两侧的载流子沟道经电子电连接；p型半导体场栅极与漏极之间，在关态下，增强型场效应晶体管内部的电场被p型半导体场板束缚在p型半导体场板与漏极之间的区域。该具有p型半导体场板的增强型FET具有更高的可调节阈值电压。

公开(公告)号：CN116960182A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310912208.X

申请日：2023-07-24

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 钟耀宗 ,  孙钱 ,  曹蕴哲 ,  陈昕 ,  郭小路 ,  高宏伟 ,  周宇 ,  杨辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种增强型场效应晶体管及其制备方法。增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS/MOS栅极结构以及源极、漏极，所述外延结构包括至少一异质结，所述异质结内形成有载流子沟道，所述外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，所述栅极凹槽的槽底位于所述第一半导体层内，槽口位于所述第二半导体层，所述载流子沟道被所述栅极凹槽隔断；所述MIS/MOS栅极结构包括沿所述选定方向依次层叠设置的第三半导体层、栅介质层和栅极，当向所述栅极施加正向电压时，所述第三半导体层内反型产生电子，位于所述栅极凹槽两侧的所述载流子沟道经所述电子电连接。本发明具有更高的栅极正向击穿电压和阈值电压。