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公开(公告)号：CN114118431A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111340118.5
申请日：2021-11-12
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 对于现有的超导量子测量体系，本发明为其提供了一种超导量子计算中单通道的外差解模方法及其系统，其在软件层面根据数学变换进行读取信号的信息提取。与传统解模方案相比，可以节省一个数据采集通道的资源，而且基于python语言的科学计算包scipy，可轻易实现该方法。通过实验发现其信噪比几乎与传统解模方案一致，而且在不理想信号的情况下，其能够更完美的进行信息提取。在未来的大规模量子测量的方案中，其提供了一种节省成本的信息读取方式。
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公开(公告)号：CN110034228A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910293113.8
申请日：2019-04-12
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种多层膜微纳加工方法及其产品和应用。本发明可以应用于所有多层膜工艺的量子比特以及量子比特辅助器件的制作。可以实现三维量子比特及量子比特辅助器件的制作，也可以应用于未来的量子计算中集成化多量子比特的制备。实现3维新型量子比特的制备，加工精度达到纳米级。利用该技术制备负超导量子干涉仪。
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公开(公告)号：CN114122248B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202111394827.1
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于超导量子比特的金属薄膜及其变功率制备方法，包括：对基片进行清洗；在清洗后的基片上进行电子束蒸发，形成超导金属薄膜；电子束蒸发包括第一功率蒸发和第二功率蒸发；电子束蒸发设备在第一功率蒸发的第一设定功率小于第二功率蒸发的第二设定功率；对蒸发有超导金属薄膜的基片进行激光直写光刻；对光刻后的基片上的超导金属薄膜进行刻蚀，暴露出基片上用于制备超导量子比特的约瑟夫森结结构的基底区域。本方法通过预先用小功率生长小厚度的超导金属薄膜，减少了对基片的损害，而后再用大功率完成超导金属薄膜的生长，既保证了薄膜生长的质量与效率，又减小了对基片的损害，降低了粗糙度，有效提升超导量子比特的能量弛豫时间。
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公开(公告)号：CN114118431B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202111340118.5
申请日：2021-11-12
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 对于现有的超导量子测量体系，本发明为其提供了一种超导量子计算中单通道的外差解模方法及其系统，其在软件层面根据数学变换进行读取信号的信息提取。与传统解模方案相比，可以节省一个数据采集通道的资源，而且基于python语言的科学计算包scipy，可轻易实现该方法。通过实验发现其信噪比几乎与传统解模方案一致，而且在不理想信号的情况下，其能够更完美的进行信息提取。在未来的大规模量子测量的方案中，其提供了一种节省成本的信息读取方式。
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公开(公告)号：CN114122248A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111394827.1
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于超导量子比特的金属薄膜及其变功率制备方法，包括：对基片进行清洗；在清洗后的基片上进行电子束蒸发，形成超导金属薄膜；电子束蒸发包括第一功率蒸发和第二功率蒸发；电子束蒸发设备在第一功率蒸发的第一设定功率小于第二功率蒸发的第二设定功率；对蒸发有超导金属薄膜的基片进行激光直写光刻；对光刻后的基片上的超导金属薄膜进行刻蚀，暴露出基片上用于制备超导量子比特的约瑟夫森结结构的基底区域。本方法通过预先用小功率生长小厚度的超导金属薄膜，减少了对基片的损害，而后再用大功率完成超导金属薄膜的生长，既保证了薄膜生长的质量与效率，又减小了对基片的损害，降低了粗糙度，有效提升超导量子比特的能量弛豫时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113003535A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110193710.0
申请日：2021-02-20
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种超导量子比特空气桥的除胶方法，所述方法包括利用丙酮和N‑甲基吡咯烷酮混合溶液对多超导量子比特空气桥上的光刻胶进行喷淋处理。本发明方法成功去除了超导量子比特空气桥工艺中的光刻胶，解决了原有浸泡法除胶所存在的问题。经测试，应用本发明工艺所得到的多量子比特性能达到世界相应水平。
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公开(公告)号：CN114122249A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111417754.3
申请日：2021-11-26
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种超导量子比特及其辅助器件多层膜的制备方法，所述制备方法可实现三维超导量子比特加工，并提供了制备方法的步骤，还提供了通过超导量子比特及其辅助器件多层膜的制备方法制备的产品。本发明的制备超导量子比特的微纳加工技术，通过激光直写、反应离子刻蚀、高电压电子束曝光等步骤可以实现简单的三维超导量子比特加工。
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公开(公告)号：CN112582529A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011414050.6
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L39/02 , H01L39/24 , H01L27/18 , G06N10/00 , G03F7/20 , G03F7/16 , C23C14/58 , C23C14/35 , C23C14/30 , C23C14/18 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供了一种铌基平面多超导量子比特，所述铌基平面多超导量子比特包括衬底以及设置于衬底上的金属铌薄膜，所述金属铌薄膜表面刻蚀有超导电路且制备有一个或多个约瑟夫森结。还提供了其制备方法和应用。本发明成功得到铌基底为基底的平面多超导量子比特，解决了铝基底制备超导量子比特工艺所存在的问题。经中国科学院物理研究所测试，应用该工艺所得到的多量子比特性能达到世界相应水平。本发明可进一步应用于超导量子计算对科学问题的计算与仿真以及超导量子比特的3维加工工艺中。
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公开(公告)号：CN218026315U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202220093054.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种铌基超导量子比特制备平台，所述铌基超导量子比特制备平台包括：主真空腔体、预真空腔体和第一高真空阀。本实用新型的铌基超导量子比特制备平台实现超高真空环境下的铌薄膜生长，避免了样品上的金属铌膜因接触空气中的氧气而发生氧化，起到防氧化保护的作用，可以用于后续加工，提高制备效率。同时还可以解决空气中旋涂光刻胶的落尘污染问题。
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公开(公告)号：CN215342502U
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202120477514.1
申请日：2021-03-05
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H01L21/027
Abstract: 本实用新型提供了一种用于超导量子比特制备的除胶装置及其超导量子比特制备装置，其中，所述用于超导量子比特制备的除胶装置，所述装置包括底座，连接在底座上的样品杆，设置于样品杆顶部的凸字形机构，以及与凸字形结构连接的样品背夹片。本实用新型装置解决了目前制备超导量子比特工艺中除胶徒手操作的缺点，有效去除多种尺寸的样品表面的各类光刻胶，提高样品制备的成品率，增加样品制备的可重复性。本实用新型还提供一种超导量子比特制备装置，所述超导量子比特制备装置包括第一方面所述的用于超导量子比特制备的除胶装置。
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