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公开(公告)号：CN115238901B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210717997.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明提供一种电容可调耦合单元，其包括：第一量子比特、第二量子比特、可调耦合器以及第一旁路电容；其中，所述第一量子比特和所述可调耦合器均电容耦合至所述第一旁路电容的第一极，所述第一旁路电容的第二极接地，以及所述第二量子比特电容耦合至所述可调耦合器。
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公开(公告)号：CN117291272A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311440761.4
申请日：2023-11-01
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 提供一种超导量子比特芯片及其制备方法，其中所述超导量子比特芯片包括布线层芯片和比特层芯片，并且所述布线层芯片和所述比特层芯片能够通过倒装焊工艺互相耦合，所述方法包括：在图案化的布线层芯片和比特层芯片的衬底上制备深底切结构，所述深底切结构的尺寸大于所需的压焊超导体的尺寸，其中所述压焊超导体在常温下施加足够的压力能够实现机械以及超导连接；在所述深底切结构中制备用于压焊的压焊超导体柱子。
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公开(公告)号：CN114118431B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202111340118.5
申请日：2021-11-12
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 对于现有的超导量子测量体系，本发明为其提供了一种超导量子计算中单通道的外差解模方法及其系统，其在软件层面根据数学变换进行读取信号的信息提取。与传统解模方案相比，可以节省一个数据采集通道的资源，而且基于python语言的科学计算包scipy，可轻易实现该方法。通过实验发现其信噪比几乎与传统解模方案一致，而且在不理想信号的情况下，其能够更完美的进行信息提取。在未来的大规模量子测量的方案中，其提供了一种节省成本的信息读取方式。
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公开(公告)号：CN116782752A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310914663.3
申请日：2023-07-25
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H10N60/01
Abstract: 本发明提供一种用于刻蚀基于金属膜的超导量子比特芯片的方法，其包括如下步骤：(1)在衬底上形成金属膜；(2)在所述金属膜上形成光刻胶涂层；(3)采用布尔函数取反变换对所述光刻胶涂层进行曝光和显影；(4)在步骤(3)曝光和显影后所形成的结构上形成掩膜层；(5)去除光刻胶以在所述金属膜上留下具有期望图案的掩膜层；(6)对步骤(5)所形成的结构中的金属膜进行刻蚀，以形成具有期望图案的金属膜；(7)去除掩膜层；其中，所述掩膜层由选自金和/或铂的材料形成。本发明的方法可以长时间稳定的刻蚀金属膜，用以制备高质量的基于金属膜的量子比特芯片。
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公开(公告)号：CN116075209A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211629846.2
申请日：2022-12-19
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 提供一种跨模块可调耦合的量子比特芯片，包括：至少一个布线层芯片；至少两个比特层芯片，其耦合至所述至少一个布线层芯片；所述至少两个比特层芯片包括相邻的第一比特层芯片和第二比特层芯片，所述第一比特层芯片和所述第二比特层芯片之间的近邻比特通过可调耦合器进行电容耦合；所述第一比特层芯片包括彼此电容耦合的位于芯片边缘的第一量子比特和第一旁路电容电极，所述第二比特层芯片包括位于芯片边缘的第二量子比特，位于所述第一比特层芯片和所述第二比特层芯片之间的布线层芯片包括第二旁路电容电极；所述第一旁路电容电极电容耦合到所述可调耦合器，所述第二量子比特经由所述第二旁路电容电极电容耦合到所述可调耦合器。
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公开(公告)号：CN119110674A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411244533.4
申请日：2024-09-06
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 提供一种克尔反转行波参量放大器及其制备方法，该方法包括：在衬底上沉积第一层超导材料膜；使用激光直写曝光并刻蚀所述第一层超导材料膜，其中保留了充当键合焊接垫和构成所述克尔反转行波参量放大器中的所有重复单元中的电容的下极板的超导材料膜；制备重复单元中的铝的约瑟夫森结，得到导通的超导电路；生长氧化铝介质层；以及生长顶层导体层并刻蚀出图案。
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公开(公告)号：CN118095470A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410138723.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 北京量子信息科学研究院 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用神经网络模型的超导量子比特的参数标定方法，包括：获得超导量子比特的特征数据组；将所述特征数据组分别输入相应的数据标准化模块；根据所述特征数据组，分别构建神经网络模型训练集数据库；根据训练集数据库，训练相应的选择模块的神经网络模型；将待验证实验数据输入所述相应的选择模块，得到分类结果；根据所述分类结果，调整相应的参数设置，再次获得待验证实验数据，输入所述相应的选择模块，直至分类结果为正常状态。本发明还公开了示例性的电子设备和计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN117279485A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311204813.8
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 提供一种用于激发和偏置约瑟夫森结的控制线以及量子比特芯片，其中所述约瑟夫森结具有与其相连接的电极，所述控制线包括：信号输入端，用于接收微波脉冲信号和直流信号；接地端，其连接至地，并朝向远离所述约瑟夫森结的方向延伸，使得所述接地端的末端和所述接地端的电流方向远离所述电极；其中，所述控制线与所述电极电容耦合且电感耦合。
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公开(公告)号：CN115238901A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210717997.7
申请日：2022-06-23
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: G06N10/40
Abstract: 本发明提供一种电容可调耦合单元，其包括：第一量子比特、第二量子比特、可调耦合器以及第一旁路电容；其中，所述第一量子比特和所述可调耦合器均电容耦合至所述第一旁路电容的第一极，所述第一旁路电容的第二极接地，以及所述第二量子比特电容耦合至所述可调耦合器。
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公开(公告)号：CN117279484A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311226826.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: H10N60/01
Abstract: 本发明提供一种湿法刻蚀基于金属膜的超导量子比特芯片的方法，包括：(1)在衬底上形成金属膜；(2)在金属膜上形成光刻胶涂层；(3)采用布尔函数取反变换对光刻胶涂层进行曝光和显影；(4)在步骤(3)曝光和显影后所形成的结构上依次形成粘结剂层和掩膜层；(5)去除光刻胶以在金属膜上留下具有期望图案的粘结剂层和掩膜层；(6)对步骤(5)所形成的结构中的金属膜进行湿法刻蚀，以形成具有期望图案的金属膜；其中，湿法刻蚀采用强碱和双氧水的混合水溶液作为刻蚀剂；(7)去除掩膜层和粘结剂层；其中，掩膜层由选自金和/或铂的材料形成。该方法刻蚀效果优异、刻蚀过程安全、实验过程简单且不需要过多的实验室防护措施。
