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公开(公告)号：CN118317599A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410366125.X
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本公开提供了一种存储单元及其制备方法、存储器和电子设备，存储单元包括：衬底、设置在衬底一侧表面的晶体管单元和电容器；电容器包括第一极板、第二极板以及电介质层，第一极板包括电连接的第一电极部和第二电极部；第一电极部为具有朝向远离衬底表面开口的沟槽型电极板，第一电极与沟槽型电极板的外壁电连接；第二电极部包括围绕开口外周设置的水平部和垂直部，水平部在衬底上的正投影与晶体管的第一源漏区在衬底上的正投影之间存在重合区域；第二极板为T字型电极板。本公开对电容器结构进行改进，使其形成上宽下窄的阶梯式电容器结构，实现在不影响存储单元占用面积的情况下增加电容器基板面积，进而提升电容器的容量。
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公开(公告)号：CN118368893A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410366128.3
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明提供了一种DRAM存储芯片的封装结构，包括多个叠置的存储芯片组件，每个存储芯片组件包括基板、第一导电部、导电柱、第一导电层和第二导电层，其中，第一导电部设置到基板的第一面；第一导电层和第二导电层设置到基板的第一面和第二面，第一导电层与第一导电部连接；导电柱贯通基板与第一导电层和第二导电层连接。该实施方式通过设置导电柱、第一导电层、第二导电层能够减少连接线的布置；通过设置导电柱，可以使基板的第二面的电性传递到基板的第一面。此外，第一导电层和第二导电层还能够使相邻的存储芯片组件电连接，进一步减少了连接线的布置，大幅节约了整体占用的空间。
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公开(公告)号：CN118335684A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410366135.3
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/56
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种晶圆键合方法，包括以下步骤：提供待键合的第一晶圆和第二晶圆；保护第一晶圆和第二晶圆的待键合面，对第一晶圆和第二晶圆的背面依次进行第一次清洗和第二次清洗；在第一晶圆和第二晶圆的待键合面分别形成第一氧化层和第二氧化层，并进行脱水处理；脱水处理后，对第一氧化层和第二氧化层分别进行致密化处理；在致密化处理后的第一氧化层和第二氧化层的表面旋涂硅溶胶，得到第一键合面和第二键合面；将第一键合界面和第二键合界面对准后键合，得到晶圆键合结构。本发明不仅改善了晶圆键合扭曲度，而且避免了氧化层内孔隙的残留，提高了晶圆键合质量。
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公开(公告)号：CN118782655A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410937698.3
申请日：2024-07-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34 , H10B12/00
摘要： 本公开提供了一种低漏电流的垂直沟道晶体管及其制备方法、存储器和电子设备，晶体管包括：衬底；绝缘层，绝缘层上开设过孔；设置在过孔底部表面的第一电极层；设置在绝缘层远离衬底一侧表面的第二电极层；沿过孔侧壁设置的第一沟道层，第一沟道层与第一电极层和第二电极层同时连接；设置在第一电极层和第二电极层远离衬底一侧表面的第二沟道层，第二沟道层的电阻小于第一沟道层的电阻；设置在第二沟道层远离衬底一侧表面的栅极介质层；设置在栅极介质层远离衬底一侧表面的栅极层。本公开形成具有不同电阻情况的第一沟道层和第二沟道层，使晶体管在关态下两个电极之间通过具有较高电阻的第一沟道层连接，实现超低漏电流晶体管的形成。
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公开(公告)号：CN118431180A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410366408.4
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/473 , H01L25/00 , H10B80/00 , H01L23/48
摘要： 本发明提供了一种半导体芯片的层叠封装结构，包括多个叠置的基板组件，其中，每个基板组件设置填充有导电材料的第一硅通孔，每个第一硅通孔的上下两端分别设置有导电部和焊球，相邻连个基板组件的焊球与导电部电连接；每个基板组件还开设有沿竖直方向贯通所有基板组件的通孔，通孔作为冷却液的冷却通道；半导体芯片的层叠封装结构还包括与每个通孔的两端连通的进液管和出液管，进液管和出液管还与液冷系统连接。该实施方式通过在每个基板组件开设贯通所有基板组件的通孔，作为冷却通道，能够使冷却液由出液管进入到冷却通道，进而从该半导体芯片的内部将热量带走，相较于采用风扇从外部冷却的方式，能够提高散热效率。
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公开(公告)号：CN118315304A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410366134.9
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种晶圆热处理过程温度控制方法及晶圆热处理装置。所述晶圆热处理过程温度控制方法包括：将晶圆划分成多个区域；对各个区域晶圆温度进行检测，根据温度检测值调整对应各区域热源的加热量。通过对晶圆进行分区温度检测，并针对各个分区的温度检测值进行对应的热源加热量控制，在提高了晶圆温度检测的准确度的同时，对温度的控制也更加精细化，使晶圆加热更加均匀，避免了现有技术中因晶圆加热不均导致的问题。
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公开(公告)号：CN117012159A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310632187.6
申请日：2023-05-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 本发明公开一种栅极驱动电路，涉及集成电路技术领域，用于解决现有技术中对薄膜晶体管阈值电压漂移的容限能力较低，输出摆幅可控范围小以及响应速度慢等问题。包括六个TFT以及一个电容器，上一级输出信号作为下一级输入脉冲信号，布线结构简单。六个TFT包括四个开关TFT及两个驱动TFT；两个开关TFT构成反相器，两个驱动TFT构成输出模块；基于外部控制信号实现逐行扫描驱动功能。单级电路通过电容耦合方式，使输出电压无阈值电压损失，以降低电路对阈值电压的敏感性。且电路充分考虑晶体管尺寸的影响，最大化对器件非理想特性的自适应能力，支持2V～20V的电压调控范围、10V的阈值电压漂移容限、以及低于10us的脉宽，满足1k显示/传感矩阵驱动/读取要求。
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公开(公告)号：CN116678524A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310628971.X
申请日：2023-05-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了适用于柔性衬底的传感单元及其制备方法、多点传感阵列，涉及触感传感器技术领域，以提供一种在传感矩阵的像素内实现像素内信号的放大并降低像素之间的信号串扰的技术方案，包括纳米线结构，第一双栅晶体管和第二双栅晶体管；纳米线结构的第一端与偏置电压提供端电连接，纳米线结构的第二端与第一双栅晶体管的源极和第一栅极电连接，第一双栅晶体管的第二栅极与第一控制端电连接，第一双栅晶体管的漏极接地；第二双栅晶体管的源极与偏置电压电连接，第二双栅晶体管的第一栅极连接于纳米线结构的第二端和第一双栅晶体管的源极之间，第二双栅晶体管的第二栅极与第二控制端电连接，第二双栅晶体管的漏极用于向外部提供输出信号。
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公开(公告)号：CN118645536A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410937697.9
申请日：2024-07-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34 , H10B12/00
摘要： 本公开提供了一种垂直沟道晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；开设有过孔的绝缘层；设置在过孔底部表面的第一电极层；设置在绝缘层远离衬底一侧表面的第二电极层，第二电极层与第一电极层之间绝缘；设置在第一电极层和第二电极层远离衬底一侧表面的第一介质层，第一介质层的厚度小于1纳米；设置在第一介质层远离衬底一侧表面的沟道层；设置在沟道层远离衬底一侧表面的第二介质层；设置在第二介质层远离衬底一侧表面的栅极层。本公开利用电极层和沟道层之间所设置的具有超薄厚度的第一介质层，配合沟道层和栅极层之间第二介质层的设置，实现对沟道层良好的保护，减少沟道层在退火过程中所受到的温度影响，从而提高晶体管在高温下的稳定性。
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公开(公告)号：CN118335591A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410366132.X
申请日：2024-03-28
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种晶圆再生方法，包括以下步骤：将待处理晶圆依次置于王水溶液、氢氟酸与H2O2的混合溶液中，去除晶圆表面的金属膜层；对去除金属膜层的晶圆进行退火处理，并冷却至室温；采用化学机械抛光法，去除晶圆表面的氧化膜层；清洗抛光处理后的晶圆，得到再生晶圆。该方法不仅可以有效去除晶圆表面的金属膜层和氧化膜层，而且工艺流程简单，处理时间短，成本较低，且对晶圆本身的损伤小，能够获得高品质的再生晶圆。
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