本公开提供了一种低漏电流的垂直沟道晶体管及其制备方法、存储器和电子设备，晶体管包括：衬底；绝缘层，绝缘层上开设过孔；设置在过孔底部表面的第一电极层；设置在绝缘层远离衬底一侧表面的第二电极层；沿过孔侧壁设置的第一沟道层，第一沟道层与第一电极层和第二电极层同时连接；设置在第一电极层和第二电极层远离衬底一侧表面的第二沟道层，第二沟道层的电阻小于第一沟道层的电阻；设置在第二沟道层远离衬底一侧表面的栅极介质层；设置在栅极介质层远离衬底一侧表面的栅极层。本公开形成具有不同电阻情况的第一沟道层和第二沟道层，使晶体管在关态下两个电极之间通过具有较高电阻的第一沟道层连接，实现超低漏电流晶体管的形成。