-
公开(公告)号：CN105964488B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610370710.2
申请日：2016-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带基片加热和气氛处理的匀胶机，包括：一圆筒；一立轴位于圆筒的中间并穿过圆筒的底部；一升降支架位于立轴上，该升降支架的上端为置物台，该升降支架可以旋转；一进气管道从圆筒外部通入圆筒内；一活动喷嘴的一端与进气管道相连，另一端对准该升降支架上端的置物台；一立柱固定在圆筒内的一侧，该立柱的上端连接有一支臂，该支臂的另一端与活动喷嘴相连，通过调节该支臂进而达到控制活动喷嘴的方向；一泵，该泵通过立轴与升降支架上端的置物台连接，用于抽、放气体，保证样品的吸附和脱吸附；一顶盖扣置于圆筒的上方。本发明能在气氛处理的情况下在基片上旋涂薄膜，从而能够实现边化学反应边旋涂薄膜的效果。
-
公开(公告)号：CN108091768A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711266108.5
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/005 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303
Abstract: 本公开提供了一种含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法，该钙钛矿LED包含：CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层，其中X＝Cl、Br或I；p型空穴传输层，沿第一方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上；透明导电阳极，形成于p型空穴传输层上；n型电子传输层，沿与第一方向相反的第二方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上；电子注入层，形成于n型电子传输层上；以及电极，形成于电子注入层上。进一步提供了该钙钛矿LED的制备方法。本公开有效降低了发光层表面的缺陷态密度，提升钙钛矿CH3NH3PbX3的光电性质和稳定性，实现电注入下载流子的高效率辐射复合。
-
公开(公告)号：CN105870287B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n‑GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n‑GaN层台面另一侧的上面；一p‑GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p‑GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n‑GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
-
公开(公告)号：CN106229396A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610753068.6
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物生物探针及其制备方法，属于半导体材料制备及生物医学交叉领域。本发明采用具有潜在应用前景的III-V族材料作为探针基本材料，通过调节多组量子阱的材料组分、厚度及组数，得到可调的量子线结构，满足发光强度和波长一定范围内可调的要求，又由于成熟的制备工艺，使得生物探针在生物体内高度稳定，不易淬灭，寿命长，可代谢。
-
公开(公告)号：CN104659212A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510076696.0
申请日：2015-02-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种空气中稳定存在的钙钛矿薄膜的制备方法，包括两种方案：方案一：配制IV、VII族化合物溶液；将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面，形成第一薄溶液层；采用气体将之吹干，形成第一薄膜；配制甲基卤化铵溶液，将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至第一薄膜表面，化学反应形成第二薄溶液层；采用气体将之吹干成膜；将薄膜加热烘干或者退火，得到钙钛矿薄膜。方案二：配制IV、VII族化合物和甲基卤化铵两种或多种混合溶液；将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面，形成薄溶液层；采用气体将之吹干成膜；将薄膜加热烘干或者退火，得到钙钛矿薄膜。本发明提供的制备方法，步骤简单，工艺参数方便控制，适宜大面积规模化流水线生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110336028B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910365768.1
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 一种电池负极材料及其制备方法、锂电池，其中电池负极材料的制备方法，包括：在一导电晶体衬底之上外延生长高质量氮化镓薄膜得到一外延结构；以及将外延结构通过电化学腐蚀进行改性，在高质量氮化镓薄膜的表面形成孔洞，使得该孔洞贯穿该外延结构，形成作为电池负极材料的晶体氮化镓材料。首次将晶体氮化镓材料作为电池负极材料并直接在锂电池中作为电极使用，该制备方法克服了晶体氮化镓材料的制备技术与传统电极技术路线不兼容的技术挑战，通过采用高导电性的同质衬底，外延生长不同性质和结构的氮化镓材料，结合电化学腐蚀工艺对材料进行改性，从而得到高质量的氮化镓电极材料，兼具良好的循环稳定性和高容量的特性，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111326610A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201811539285.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法，该芯片包括：绝缘衬底；石墨烯层，生长于绝缘衬底上；纳米柱LED，间隔生长在所述石墨烯层上，所述纳米柱LED自衬底至上包括：n-GaN层、多量子阱发光层和p-GaN层；SOG填充物，填充在所述纳米柱LED的间隔及周围部分，用于隔离纳米柱LED，避免短路；氧化铟锡透明导电层，连接所述纳米柱LED的p-GaN层及所述SOG填充物，实现电流扩展；以及p/n电极，实现绝缘衬底上纳米柱LED芯片制备。本发明借助石墨烯缓冲层，在绝缘衬底上通过光刻工艺，在纳米柱生长之前覆盖n电极区域，生长之后暴露出n电极区域的石墨烯层以做n电极的电流扩展层，实现绝缘衬底上纳米柱n电极的引出。
-
公开(公告)号：CN109994323A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910255731.3
申请日：2019-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种非晶氮化镓/石墨烯电极材料、制备方法及超级电容器。其中，非晶氮化镓/石墨烯电极材料的制备方法包括：在一衬底上形成石墨烯；以及采用激光脉冲沉积在形成有石墨烯的衬底上制备非晶态氮化镓与石墨烯的复合材料。该制备方法有效避免成分偏析，避免镓金属的使用，不需要高温，与后续制备工艺兼容，是一种高效的可控制备高质量氮化镓基电极材料的方法。非晶氮化镓/石墨烯电极材料通过利用两种材料的协同效应，在实现了两种材料优势进行结合的同时还确保了作为双电层电容器的电极的有效性，兼具高容量和良好的循环稳定特性，具有较高的比电容，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN106558637A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611027044.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/22
Abstract: 一种非平面硅衬底LED器件及其制作方法，其中，所述方法包括：处理硅衬底，得到包含有斜侧面的非平面硅衬底；在斜侧面上生长第一外延层；在下平面上依次生长N电极和隔离层；在第一外延层上生长第二外延层；在N电极和隔离层上生长P电极；所述器件包括：基底和倒坑阵列结构，所述基底为非平面硅衬底，包含下平面和斜侧面，所述倒坑阵列结构包括：斜侧面上生长的自内而外的第一外延层和第二外延层；所述下平面上依次叠置的N电极、隔离层和P电极。本发明利用非平面硅衬底制作LED器件，具有工艺成熟、低成本、大尺寸和和实现高质量氮化物外延等诸多优点。
-
公开(公告)号：CN105964488A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610370710.2
申请日：2016-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带基片加热和气氛处理的匀胶机，包括：一圆筒；一立轴位于圆筒的中间并穿过圆筒的底部；一升降支架位于立轴上，该升降支架的上端为置物台，该升降支架可以旋转；一进气管道从圆筒外部通入圆筒内；一活动喷嘴的一端与进气管道相连，另一端对准该升降支架上端的置物台；一立柱固定在圆筒内的一侧，该立柱的上端连接有一支臂，该支臂的另一端与活动喷嘴相连，通过调节该支臂进而达到控制活动喷嘴的方向；一泵，该泵通过立轴与升降支架上端的置物台连接，用于抽、放气体，保证样品的吸附和脱吸附；一顶盖扣置于圆筒的上方。本发明能在气氛处理的情况下在基片上旋涂薄膜，从而能够实现边化学反应边旋涂薄膜的效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.027 seconds)
