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公开(公告)号：CN106935852A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710248369.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池。上述Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料包括：金属衬底；以及形成于金属衬底上方的Si掺杂氮化镓薄膜，具有疏松多孔结构，为晶态与非晶态的混合态。Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料的比表面积较大，并且Si3N4四面体结构及Si3N4四面体与Ga原子构成的稳定的开放性三维框架结构，在增强锂离子输运效率的同时也避免了在锂离子嵌入脱出过程中因结构坍塌导致的电化学活性降低问题，具有较高的储锂容量和稳定的循环特性，为发展高性能锂电池提供了新的选择。
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公开(公告)号：CN113741144A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111126581.X
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种三维梯度渐变图形光刻方法及底托，该三维梯度渐变图形光刻方法包括：提供一衬底；在衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底；在图形衬底上涂覆光刻胶；通过垂直曝光，将第一图形平行转移到光刻胶上；通过倾斜曝光，将第一图形以预设角度转移到光刻胶上；对光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到三维梯度渐变图形。
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公开(公告)号：CN106935852B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710248369.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池。上述Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料包括：金属衬底；以及形成于金属衬底上方的Si掺杂氮化镓薄膜，具有疏松多孔结构，为晶态与非晶态的混合态。Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料的比表面积较大，并且Si3N4四面体结构及Si3N4四面体与Ga原子构成的稳定的开放性三维框架结构，在增强锂离子输运效率的同时也避免了在锂离子嵌入脱出过程中因结构坍塌导致的电化学活性降低问题，具有较高的储锂容量和稳定的循环特性，为发展高性能锂电池提供了新的选择。
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公开(公告)号：CN113707541B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202111147580.3
申请日：2021-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种图形转移方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂覆光刻胶；通过激光照射在光刻胶上形成欠曝光区域，其中，欠曝光区域呈上宽下窄的梯形槽状；通过对欠曝光区域的光刻胶显影、坚膜、减薄、刻蚀后，得到目标图形。
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公开(公告)号：CN113741144B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111126581.X
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种三维梯度渐变图形光刻方法及底托，该三维梯度渐变图形光刻方法包括：提供一衬底；在衬底上光刻形成第一图形，得到图形衬底；在图形衬底上涂覆光刻胶；通过垂直曝光，将第一图形平行转移到光刻胶上；通过倾斜曝光，将第一图形以预设角度转移到光刻胶上；对光刻胶进行显影、坚膜、减薄处理，得到三维梯度渐变图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113707541A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111147580.3
申请日：2021-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种图形转移方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂覆光刻胶；通过激光照射在光刻胶上形成欠曝光区域，其中，欠曝光区域呈上宽下窄的梯形槽状；通过对欠曝光区域的光刻胶显影、坚膜、减薄、刻蚀后，得到目标图形。
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公开(公告)号：CN110336028A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910365768.1
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 一种电池负极材料及其制备方法、锂电池，其中电池负极材料的制备方法，包括：在一导电晶体衬底之上外延生长高质量氮化镓薄膜得到一外延结构；以及将外延结构通过电化学腐蚀进行改性，在高质量氮化镓薄膜的表面形成孔洞，使得该孔洞贯穿该外延结构，形成作为电池负极材料的晶体氮化镓材料。首次将晶体氮化镓材料作为电池负极材料并直接在锂电池中作为电极使用，该制备方法克服了晶体氮化镓材料的制备技术与传统电极技术路线不兼容的技术挑战，通过采用高导电性的同质衬底，外延生长不同性质和结构的氮化镓材料，结合电化学腐蚀工艺对材料进行改性，从而得到高质量的氮化镓电极材料，兼具良好的循环稳定性和高容量的特性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110010864A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910219791.X
申请日：2019-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/0525 , C01B32/182 , C01B32/184
Abstract: 一种硅-石墨烯电池负极材料及其制备方法、锂电池。该制备方法包括：采用金属阳离子辅助刻蚀硅片得到硅纳米线阵列；以及采用化学气相沉积法在硅纳米线表面包覆石墨烯，得到石墨烯包覆的硅纳米线。通过采用金属阳离子辅助刻蚀的手段，在Si纳米线表面形成大量氧化活性位点，避免传统Si材料需要形成氧化层之后再生长石墨烯的不便，采用CVD实现石墨烯包覆结构，通过气体扩散和输运将甲烷裂解的源附着到Si纳米线表面，更易于形成均匀的包覆结构；制备得到的电池负极材料的充放电应力释放优于传统碳材料，提高一维结构在充放电过程中的稳定性。该锂电池具有较高的储锂容量和稳定的循环特性，为发展高性能锂电池提供新的选择，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117801953A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311852516.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C12M3/00
Abstract: 本公开提出了一种细胞培养衬底的制备方法，包括：首先通过光刻工艺，在衬底上形成垂直于衬底表面向内的通道；然后通过电化学腐蚀工艺，在所述通道的侧壁上，沿平行于衬底方向形成与所述通道交叉连通的三维孔道，得到细胞培养衬底。在本公开的另一方面，还提出了如前述方法制备得到的细胞培养衬底以及应用。
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公开(公告)号：CN110336028B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910365768.1
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 一种电池负极材料及其制备方法、锂电池，其中电池负极材料的制备方法，包括：在一导电晶体衬底之上外延生长高质量氮化镓薄膜得到一外延结构；以及将外延结构通过电化学腐蚀进行改性，在高质量氮化镓薄膜的表面形成孔洞，使得该孔洞贯穿该外延结构，形成作为电池负极材料的晶体氮化镓材料。首次将晶体氮化镓材料作为电池负极材料并直接在锂电池中作为电极使用，该制备方法克服了晶体氮化镓材料的制备技术与传统电极技术路线不兼容的技术挑战，通过采用高导电性的同质衬底，外延生长不同性质和结构的氮化镓材料，结合电化学腐蚀工艺对材料进行改性，从而得到高质量的氮化镓电极材料，兼具良好的循环稳定性和高容量的特性，具有良好的应用前景。
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