公开(公告)号：CN106952856B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201710063306.5

申请日：2017-01-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  王琦 ,  张璐 ,  刘文强 ,  王军喜

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。

公开(公告)号：CN108091768A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711266108.5

申请日：2017-12-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  刘文强 ,  王琦 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5012 ,  H01L51/005 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303

Abstract: 本公开提供了一种含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法，该钙钛矿LED包含：CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层，其中X＝Cl、Br或I；p型空穴传输层，沿第一方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上；透明导电阳极，形成于p型空穴传输层上；n型电子传输层，沿与第一方向相反的第二方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上；电子注入层，形成于n型电子传输层上；以及电极，形成于电子注入层上。进一步提供了该钙钛矿LED的制备方法。本公开有效降低了发光层表面的缺陷态密度，提升钙钛矿CH3NH3PbX3的光电性质和稳定性，实现电注入下载流子的高效率辐射复合。

公开(公告)号：CN110010461A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910288379.3

申请日：2019-04-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  王琦 ,  赵帅 ,  刘文强 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 一种用于各向同性腐蚀氮化物材料的湿法腐蚀方法，该方法首先在GaN表面涂敷光刻胶，并光刻腐蚀图形；再在光刻的衬底上蒸镀一层金属；然后进行金属剥离，再去除剩余光刻胶；接着将处理后的GaN放入腐蚀性溶液中进行腐蚀；最后将腐蚀完的外延片样本浸入稀释的硝酸溶液，去除表面金属。本发明的方法刻蚀速率快，刻蚀成本低，工艺简单，刻蚀出的GaN表面平整，刻蚀的图形可根据需要自行调控。

公开(公告)号：CN108258119A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810021993.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  刘文强 ,  王琦 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/4226

Abstract: 本公开提供了一种无机卤化铋钙钛矿电池，其包括：透明导电衬底；电子传输层，形成于透明导电衬底上；钙钛矿吸光层，形成于电子传输层上，钙钛矿吸光层的材料为Cs2XBiY6，其中X＝Ag、Na、K或Rb，Y＝Cl、Br或I；空穴传输层，形成于钙钛矿吸光层上；以及电极，形成于空穴传输层上。进一步提供该无机卤化铋钙钛矿电池的制备方法，该制备方法简单、易重复。本公开利用物理化学性质稳定的全无机钙钛矿吸光层，替换了传统钙钛矿吸光层中有毒的铅组分，不仅提高钙钛矿电池在空气中的稳定性，而且有利于高效稳定安全的钙钛矿电池的工业化生产。

公开(公告)号：CN106952856A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710063306.5

申请日：2017-01-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  王琦 ,  张璐 ,  刘文强 ,  王军喜

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。