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公开(公告)号：CN110010461A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910288379.3
申请日：2019-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 一种用于各向同性腐蚀氮化物材料的湿法腐蚀方法，该方法首先在GaN表面涂敷光刻胶，并光刻腐蚀图形；再在光刻的衬底上蒸镀一层金属；然后进行金属剥离，再去除剩余光刻胶；接着将处理后的GaN放入腐蚀性溶液中进行腐蚀；最后将腐蚀完的外延片样本浸入稀释的硝酸溶液，去除表面金属。本发明的方法刻蚀速率快，刻蚀成本低，工艺简单，刻蚀出的GaN表面平整，刻蚀的图形可根据需要自行调控。
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