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公开(公告)号：CN113284790B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号：CN106952856B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201710063306.5
申请日：2017-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683 , H01L33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。
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公开(公告)号：CN108091768A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711266108.5
申请日：2017-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/005 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5092 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303
Abstract: 本公开提供了一种含有机无机杂化钙钛矿单晶发光层的钙钛矿LED及制备方法，该钙钛矿LED包含：CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层，其中X＝Cl、Br或I；p型空穴传输层，沿第一方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上；透明导电阳极，形成于p型空穴传输层上；n型电子传输层，沿与第一方向相反的第二方向形成于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶发光层上；电子注入层，形成于n型电子传输层上；以及电极，形成于电子注入层上。进一步提供了该钙钛矿LED的制备方法。本公开有效降低了发光层表面的缺陷态密度，提升钙钛矿CH3NH3PbX3的光电性质和稳定性，实现电注入下载流子的高效率辐射复合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110010461A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910288379.3
申请日：2019-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 一种用于各向同性腐蚀氮化物材料的湿法腐蚀方法，该方法首先在GaN表面涂敷光刻胶，并光刻腐蚀图形；再在光刻的衬底上蒸镀一层金属；然后进行金属剥离，再去除剩余光刻胶；接着将处理后的GaN放入腐蚀性溶液中进行腐蚀；最后将腐蚀完的外延片样本浸入稀释的硝酸溶液，去除表面金属。本发明的方法刻蚀速率快，刻蚀成本低，工艺简单，刻蚀出的GaN表面平整，刻蚀的图形可根据需要自行调控。
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公开(公告)号：CN108258119A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810021993.9
申请日：2018-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003 , H01L51/4226
Abstract: 本公开提供了一种无机卤化铋钙钛矿电池，其包括：透明导电衬底；电子传输层，形成于透明导电衬底上；钙钛矿吸光层，形成于电子传输层上，钙钛矿吸光层的材料为Cs2XBiY6，其中X＝Ag、Na、K或Rb，Y＝Cl、Br或I；空穴传输层，形成于钙钛矿吸光层上；以及电极，形成于空穴传输层上。进一步提供该无机卤化铋钙钛矿电池的制备方法，该制备方法简单、易重复。本公开利用物理化学性质稳定的全无机钙钛矿吸光层，替换了传统钙钛矿吸光层中有毒的铅组分，不仅提高钙钛矿电池在空气中的稳定性，而且有利于高效稳定安全的钙钛矿电池的工业化生产。
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公开(公告)号：CN106952856A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710063306.5
申请日：2017-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683 , H01L33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。
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公开(公告)号：CN113284790A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN106558637A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611027044.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/22
Abstract: 一种非平面硅衬底LED器件及其制作方法，其中，所述方法包括：处理硅衬底，得到包含有斜侧面的非平面硅衬底；在斜侧面上生长第一外延层；在下平面上依次生长N电极和隔离层；在第一外延层上生长第二外延层；在N电极和隔离层上生长P电极；所述器件包括：基底和倒坑阵列结构，所述基底为非平面硅衬底，包含下平面和斜侧面，所述倒坑阵列结构包括：斜侧面上生长的自内而外的第一外延层和第二外延层；所述下平面上依次叠置的N电极、隔离层和P电极。本发明利用非平面硅衬底制作LED器件，具有工艺成熟、低成本、大尺寸和和实现高质量氮化物外延等诸多优点。
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