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公开(公告)号：CN105870287B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n‑GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n‑GaN层台面另一侧的上面；一p‑GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p‑GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n‑GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
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公开(公告)号：CN106229396A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610753068.6
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物生物探针及其制备方法，属于半导体材料制备及生物医学交叉领域。本发明采用具有潜在应用前景的III-V族材料作为探针基本材料，通过调节多组量子阱的材料组分、厚度及组数，得到可调的量子线结构，满足发光强度和波长一定范围内可调的要求，又由于成熟的制备工艺，使得生物探针在生物体内高度稳定，不易淬灭，寿命长，可代谢。
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公开(公告)号：CN105870287A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610374754.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/502
Abstract: 一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n?GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n?GaN层台面另一侧的上面；一p?GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p?GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n?GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。
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公开(公告)号：CN105552230A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610110998.X
申请日：2016-02-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213
Abstract: 一种基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池，包括：一钙钛矿单晶衬底；一空穴传输层，其制作在钙钛矿单晶衬底的下面；一下电极，其制作在空穴传输层的下面；一空穴阻挡层，其制作在钙钛矿单晶衬底上；一上电极，其制作在空穴阻挡层上。本发明的太阳能电池对300-800nm的光有超过90％的吸收率，单晶的钙钛矿层能够减少复合中心，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105552187A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510940416.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y40/00 , H01L33/0075
Abstract: 一种采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜及方法，其中采用GaN纳米图形衬底同质外延制备GaN薄膜，包括：一衬底材料层；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底材料层上；一GaN薄膜层，其制作在缓冲层上；一纳米尺寸同质外延层，其制作在GaN薄膜层上表面内；一GaN层，其制作在纳米尺寸同质外延层上。本发明可以提高氮化镓外延薄膜的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105405979A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510881246.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0032
Abstract: 一种有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将原料A及原料B进行混合，溶解于溶剂C中形成前驱溶液；步骤2：将配好的前驱溶液用聚四氟乙烯过滤器过滤，然后装入容器中，并密封；步骤3：将装有前驱溶液的密封容器加温至一预定温度；步骤4：待前驱溶液中有晶体析出，间隔一预定的时间，并逐步提高温度，随着温度逐渐提高，晶体逐渐长大；步骤5：待晶体长到适当尺寸后从密封容器中取出，完成制备。本发明具有实现低成本、快速制备有机无机杂化钙钛矿单晶的优点。
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公开(公告)号：CN107293612A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610193042.0
申请日：2016-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18
Abstract: 一种太阳能电池发射结制备方法，包括步骤：(1)准备n型硅衬底，所述衬底具有正面和背面，在所述衬底的背面沉积保护层；(2)在所述衬底的正面形成尺寸大小为10-500nm的纳米孔或1-20μm的微米凹坑；(3)在腐蚀后的衬底的正面刷铝浆，烘干并烧结形成p型层。以及一种依据上述方法制备的太阳能电池发射结和包含该发射结的太阳能电池。所述制备方法中通过在衬底的正面采用丝网印刷形成发射结，成本相比于其他技术大为降低，并且易于大规模生产，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN104975293B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510266643.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。
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公开(公告)号：CN105140364A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510446424.5
申请日：2015-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种GaN发光器件及其制备方法，GaN发光器件包括基片、上电极层及下电极层，上电极层形成在基片的上方，下电极层形成在基片的下方，其中，基片自下而上包括正金字塔结构层、缓冲反射层、发光层、透明导电氧化物层。正金字塔结构层包括周期性排列的多个正金字塔结构。本发明能得到高质量的外延GaN，并能制造出低成本、高效的发光二极管。
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公开(公告)号：CN104975293A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510266643.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。
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