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公开(公告)号：CN115770629A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211565148.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明提供一种微流控DNA合成芯片及其制作方法，包括从下往上依次叠置的集成电路层、微流控层及顶层。集成电路层具有晶体管阵列和寻址译码电路，晶体管具有上表面连接有多聚物自组装层的金属电极，微流控层具有与金属电极一一对应的微腔。DNA合成过程中，在外围电路的操控下，通过寻址译码电路选定任意多个金属电极在规定时间段内产生所需的稳定电压，使微流控层中通入的溶液中的成分发生电解反应生成氢离子，使溶液中发生脱保护反应及偶联反应；微流控层的结构设计能够实现对各位点产生的氢离子进行限域，避免氢离子扩散导致位点间的相互干扰，不需要采取其他措施防止氢离子扩散，有效降低芯片的复杂程度和制作成本，实现高密度与高通量。
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公开(公告)号：CN118688165A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310292145.2
申请日：2023-03-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅基荧光传感芯片及系统，硅基荧光传感芯片包括光波导、待检测物质通道和感光元件，通入光波导内的激光激发荧光材料层产生荧光信号，荧光材料与待检测物质通道通入的待检测物质反应后，产生变化的荧光信号并耦合至感光元件。本发明通过光波导进行荧光的产生、传导和检测反应，提高检测灵敏度和效率，缩小荧光传感器的尺寸，降低功耗，简化结构，制备方法与半导体工艺兼容，降低成本；同时利用光波导内进行光传导的方法，降低荧光传导过程中的损耗，避免荧光与其他光源发生串扰；另外通过将光波导与待检测物质通道垂直设置，提高检测灵敏度；最后利用多模干涉耦合器分束激光，使产生的荧光信号更均匀，检测结果更可靠。
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公开(公告)号：CN118703295A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310310422.8
申请日：2023-03-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种酶促核酸可控阵列合成方法，可结合阵列芯片装置，通过电致酸的脱保护机制控制单个核苷酸的添加。相对现有基于化学法的核酸合成阵列芯片方法，酶促法合成核酸，反应条件相对温和，反应效率更高，且使用水系试剂，相对更加环保。
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公开(公告)号：CN116960139A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210463876.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供一种图形化原位放大电子探测器，包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；图形沟槽，形成于第一半导体层的第一面的沟道区中；底部掺杂区，形成于第一半导体层第二面表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面及图形沟槽表面；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第二面的表层；第二掺杂区，设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116960138A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210412752.3
申请日：2022-04-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供一种直接型电子探测器，包括：半导体叠层结构及外围信号测量电路；半导体叠层结构由下向上依次包括：第一半导体层、第二半导体层、本征层及第三半导体层；第一半导体层为第一掺杂类型，第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型；第三半导体层及本征层形成电子吸收区，第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区；外围信号测量电路包括电阻及计数器；半导体叠层结构倒装并与外围信号测量电路焊接在一起，其中电阻与第一半导体层电连接，以实现外围信号测量电路对电信号的计数测量。通过设置雪崩区可有效实现对入射电子的雪崩倍增，提高探测灵敏度；通过减小本征层的厚度，提高探测器信号读取速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116960137A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210412750.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: H01L27/146 , G01N23/2251 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供一种垂直型原位放大电子探测器及电子探测装置，电子探测器包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；底部掺杂区，形成于第一半导体层的第二面的表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面上；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第二面的表层；第二掺杂区，设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116960136A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210411539.0
申请日：2022-04-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: H01L27/146 , G01N23/2251 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供一种平面型原位放大电子探测器及电子探测装置，电子探测器包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；底部掺杂区，形成于第一半导体层的第二面的表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面上；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区和第二掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将平面P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116960135A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210411536.7
申请日：2022-04-19
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: H01L27/146 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供一种直接型电子探测器，包括：半导体叠层结构及外围信号测量电路；半导体叠层结构由下向上包括：半导体基底、U型截面的半导体电阻层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、金属层、本征层及第三半导体层；第一半导体层形成于电阻层的凹槽中，第二半导体层形成于第一半导体层上，绝缘层形成于第二半导体层外侧，金属层形成于绝缘层外侧；电阻层及第一半导体层为第一掺杂类型，第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型，第三半导体层及本征层形成电子吸收区，第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区；外围信号测量电路包括计数器；半导体叠层结构与外围信号测量电路电连接。该结构可有效提高探测器的灵敏度及响应速度。
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公开(公告)号：CN116413853A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111663618.2
申请日：2021-12-31
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请提供一种多层波导结构，该多层波导结构设置于衬底，所述多层波导结构包括：硅波导；氮化硅波导；以及III‑V族增益材料堆栈。在该多层波导结构中，硅波导、氮化硅波导和III‑V族增益材料堆栈被集成在衬底上，因此，能够同时实现坚固的封装和低损耗的光传输。
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公开(公告)号：CN116413737A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111669917.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种激光雷达及其控制方法所述激光雷达装置包括：光发送器，其包括第一光学相控阵，所述第一光学相控阵具有发射单元，所述发射单元具有按阵列排列的多个第一天线元件，所述发射单元发出发射光；以及光接收器，其包括第二光学相控阵，所述第二光学相控阵具有接收单元，所述接收单元具有按阵列排列的多个第二天线元件，所述接收单元接收由目标物体对所述发射光进行反射形成的反射光，所述接收单元包括第一子接收单元和至少一个第二子接收单元，所述第一子接收单元对光的最大灵敏度方向与至少一个所述第二子接收单元对光的最大灵敏度方向之间所成的角度等于所述发射光的主瓣发射方向和栅瓣发射方向之间所成的角度。
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