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公开(公告)号：CN111650819A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010575583.6
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 , 同济大学
Abstract: 本发明涉及基于自溯源光栅的极紫外光刻胶质量检测装置和方法，方法包括以下步骤：1)利用原子光刻技术制备掩膜光栅；2)获取涂有待测极紫外光刻胶膜层的衬底；3)基于获取的掩膜光栅，对所述衬底进行双光栅干涉，获取待测光刻胶图形；4)根据自溯源特性，基于所述掩膜光栅的周期节距值，计算待测光刻胶图形的理论周期节距值，并以待测光刻胶图形的理论周期节距值为标尺，判断待测极紫外光刻胶的质量。与现有技术相比，本发明通过原子光刻技术制备掩膜光栅，具有测量学上周期节距的自溯源性，可以为EUV光刻胶测量数据提供直接的精准标尺，解决了测量设备所带来的实验误差，提高了极紫外光刻胶质量检测的精度。
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公开(公告)号：CN105182701B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510666500.3
申请日：2015-10-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统，其包括：依次排列的波荡器光源、多个反射聚焦镜、掩膜光栅、具有光阑孔的级选光阑、具有观察孔的样品台、铝膜以及CCD探测器。本发明通过在掩膜光栅与样品之间增设级选光阑，并通过CCD探测器确保掩膜光栅与级选光阑的位置对准，从而使级选光阑能够可靠遮挡经过掩膜光栅分束产生的0级光，避免该0级光照射到样品上，以使样品上产生的±1级衍射光相干区域的周围不存在0级光区域，由此即可通过移动样品台实现样品上的有效曝光区域的大面积拼接。同时本发明还通过采用反射聚焦镜以及铝膜对X射线进行滤波，从而使得CCD探测器能够清楚观察到掩膜光栅与级选光阑的相对位置，从而即可确保两者的对准精度。
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公开(公告)号：CN105182701A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510666500.3
申请日：2015-10-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统，其包括：依次排列的波荡器光源、多个反射聚焦镜、掩膜光栅、具有光阑孔的级选光阑、具有观察孔的样品台、铝膜以及CCD探测器。本发明通过在掩膜光栅与样品之间增设级选光阑，并通过CCD探测器确保掩膜光栅与级选光阑的位置对准，从而使级选光阑能够可靠遮挡经过掩膜光栅分束产生的0级光，避免该0级光照射到样品上，以使样品上产生的±1级衍射光相干区域的周围不存在0级光区域，由此即可通过移动样品台实现样品上的有效曝光区域的大面积拼接。同时本发明还通过采用反射聚焦镜以及铝膜对X射线进行滤波，从而使得CCD探测器能够清楚观察到掩膜光栅与级选光阑的相对位置，从而即可确保两者的对准精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104634772A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510069685.X
申请日：2015-02-10
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
Abstract: 本发明提供一种制备表面增强拉曼光谱基底的方法，包括：提供基片层；在基片层上通过蒸镀或溅射形成粘附层；在粘附层上通过蒸镀或溅射形成金属薄膜层；在金属薄膜层上通过蒸镀或溅射或化学气相沉积或薄膜湿法转移形成绝缘层；在绝缘层上通过X射线干涉光刻形成金属纳米结构阵列层，其包括：旋涂光刻胶；在120-180℃下蒸发光刻胶中的水分；X射线干涉曝光；用显影液显影；固化显影后的光刻胶；在有序纳米结构的表面沉积金属薄膜层；去除多余的金属和光刻胶。本发明还涉及一种表面增强拉曼光谱基底，包括基片层粘附层、金属薄膜层、绝缘层和金属纳米结构阵列层。根据本发明的表面增强拉曼光谱基底同时具备良好的灵敏度和稳定性。
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公开(公告)号：CN108549197B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810214561.X
申请日：2018-03-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种原位光通量监测及曝光剂量补偿方法，该方法通过采用光电二极管在光刻实验开始前对经过出射狭缝进入真空腔体内的主光束的光通量进行测量，并在进行实验曝光时对经过出射狭缝进入真空腔体内的强度与主光束成正比的杂散光的光通量进行监测，从而根据杂散光的光强变化实时调整各个光刻区域的曝光时间，由此对曝光剂量进行补偿，以使曝光剂量在XIL大面积曝光图形拼接过程中保持不变，从而确保最终获得的大面积曝光图形内的纳米结构均匀，进而有效提高这种曝光图形形成的器件性能。
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公开(公告)号：CN111781220A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010635450.3
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G01N23/04 , G01N23/20025 , G01N23/20008
Abstract: 本发明涉及一种多功能同步辐射干涉曝光实验平台，沿光路走向依次包括同步辐射光源发生装置、第一柱面反射镜、第二柱面反射镜、孔径光阑、用于测量入射光强度的第一光电二极管、待测透射光栅、级选光阑以及透射图像接收装置，在所述级选光阑和所述透射图像接收装置之间设有多功能样品架，所述多功能样品架包括用于夹持样品的样品夹、第二光电二极管以及镂空观察孔，所述第二光电二极管与所述样品位于同一照射平面，所述透射图像接收装置对准所述镂空观察孔。本发明的多功能同步辐射干涉曝光实验平台及实验方法能够修正曝光时间来补偿曝光过程中光强波动所产生的影响，同时，可以实现衍射效率的快速测量以及极紫外光刻胶灵敏度性能的准确评估。
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公开(公告)号：CN108549197A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810214561.X
申请日：2018-03-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种原位光通量监测及曝光剂量补偿方法，该方法通过采用光电二极管在光刻实验开始前对经过出射狭缝进入真空腔体内的主光束的光通量进行测量，并在进行实验曝光时对经过出射狭缝进入真空腔体内的强度与主光束成正比的杂散光的光通量进行监测，从而根据杂散光的光强变化实时调整各个光刻区域的曝光时间，由此对曝光剂量进行补偿，以使曝光剂量在XIL大面积曝光图形拼接过程中保持不变，从而确保最终获得的大面积曝光图形内的纳米结构均匀，进而有效提高这种曝光图形形成的器件性能。
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公开(公告)号：CN204557050U
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201520095051.7
申请日：2015-02-10
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G03F9/00
Abstract: 本实用新型提供一种用于不同平面样品对准的装置，包括：竖向设置的支架；上基板和下基板，上基板和下基板在水平方向上平行布置且通过支架连接为框架结构，上基板和下基板上分别设置有上对准十字线与下对准十字线，上对准十字线与下对准十字线的中心的连线垂直于上基板和下基板，上对准十字线与下对准十字线在竖直方向上的投影完全重合；以及样品台，样品台平行于上基板设置且通过支架固定于上基板的上方，样品台的中心处具有通孔，通孔的中心处于上基板和下基板的中心连线上。本实用新型通过“三点一线”的光学原理，实现处于不同平面上的样品间的图案对准，对准精度能小于0.1毫米。
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