公开(公告)号：CN111781220A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010635450.3

申请日：2020-07-03

Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所

Inventor： 赵俊 ,  梁兆峰 ,  杨树敏 ,  薛超凡 ,  王连升 ,  吴衍青 ,  邰仁忠

IPC: G01N23/04 ,  G01N23/20025 ,  G01N23/20008

Abstract: 本发明涉及一种多功能同步辐射干涉曝光实验平台，沿光路走向依次包括同步辐射光源发生装置、第一柱面反射镜、第二柱面反射镜、孔径光阑、用于测量入射光强度的第一光电二极管、待测透射光栅、级选光阑以及透射图像接收装置，在所述级选光阑和所述透射图像接收装置之间设有多功能样品架，所述多功能样品架包括用于夹持样品的样品夹、第二光电二极管以及镂空观察孔，所述第二光电二极管与所述样品位于同一照射平面，所述透射图像接收装置对准所述镂空观察孔。本发明的多功能同步辐射干涉曝光实验平台及实验方法能够修正曝光时间来补偿曝光过程中光强波动所产生的影响，同时，可以实现衍射效率的快速测量以及极紫外光刻胶灵敏度性能的准确评估。

公开(公告)号：CN111650819A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010575583.6

申请日：2020-06-22

Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 ,  同济大学

Inventor： 赵俊 ,  梁兆峰 ,  杨树敏 ,  薛超凡 ,  王连升 ,  吴衍青 ,  邰仁忠 ,  程鑫彬 ,  邓晓 ,  顾振杰 ,  唐朝辉 ,  李同保

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及基于自溯源光栅的极紫外光刻胶质量检测装置和方法，方法包括以下步骤：1)利用原子光刻技术制备掩膜光栅；2)获取涂有待测极紫外光刻胶膜层的衬底；3)基于获取的掩膜光栅，对所述衬底进行双光栅干涉，获取待测光刻胶图形；4)根据自溯源特性，基于所述掩膜光栅的周期节距值，计算待测光刻胶图形的理论周期节距值，并以待测光刻胶图形的理论周期节距值为标尺，判断待测极紫外光刻胶的质量。与现有技术相比，本发明通过原子光刻技术制备掩膜光栅，具有测量学上周期节距的自溯源性，可以为EUV光刻胶测量数据提供直接的精准标尺，解决了测量设备所带来的实验误差，提高了极紫外光刻胶质量检测的精度。