-
公开(公告)号：CN111781220A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010635450.3
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G01N23/04 , G01N23/20025 , G01N23/20008
Abstract: 本发明涉及一种多功能同步辐射干涉曝光实验平台，沿光路走向依次包括同步辐射光源发生装置、第一柱面反射镜、第二柱面反射镜、孔径光阑、用于测量入射光强度的第一光电二极管、待测透射光栅、级选光阑以及透射图像接收装置，在所述级选光阑和所述透射图像接收装置之间设有多功能样品架，所述多功能样品架包括用于夹持样品的样品夹、第二光电二极管以及镂空观察孔，所述第二光电二极管与所述样品位于同一照射平面，所述透射图像接收装置对准所述镂空观察孔。本发明的多功能同步辐射干涉曝光实验平台及实验方法能够修正曝光时间来补偿曝光过程中光强波动所产生的影响，同时，可以实现衍射效率的快速测量以及极紫外光刻胶灵敏度性能的准确评估。
-
公开(公告)号：CN111650680A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010575620.3
申请日：2020-06-22
Applicant: 同济大学 , 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法，该方法基于激光汇聚原子沉积技术和软X射线干涉光刻技术，制备百纳米尺度及以下的小节距溯源标准物质，包括以下步骤：1)获取掩膜版基板；2)采用激光汇聚原子沉积技术，在掩膜版基板上，沉积制备掩膜版；3)获取光刻胶样品，该光刻胶样品包括光刻胶和第二衬底；采用掩膜版，通过软X射线干涉光刻技术，对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶光栅结构；4)将光刻胶光栅结构转移到第二衬底上，获取自溯源光栅标准物质。与现有技术相比，本发明制备的自溯源光栅标准物质具有高精度、溯源性和精确缩短节距值等优点。
-
公开(公告)号：CN108549197A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810214561.X
申请日：2018-03-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种原位光通量监测及曝光剂量补偿方法，该方法通过采用光电二极管在光刻实验开始前对经过出射狭缝进入真空腔体内的主光束的光通量进行测量，并在进行实验曝光时对经过出射狭缝进入真空腔体内的强度与主光束成正比的杂散光的光通量进行监测，从而根据杂散光的光强变化实时调整各个光刻区域的曝光时间，由此对曝光剂量进行补偿，以使曝光剂量在XIL大面积曝光图形拼接过程中保持不变，从而确保最终获得的大面积曝光图形内的纳米结构均匀，进而有效提高这种曝光图形形成的器件性能。
-
公开(公告)号：CN105784734A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610118507.6
申请日：2016-03-02
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G01N23/04
CPC classification number: G01N23/04
Abstract: 本发明涉及一种闪烁体探测系统，其包括：闪烁体，其入射面接受X射线的照射，其出射面上设置有光子晶体；光学成像装置，其接收从所述闪烁体转化输出的可见光信号，并输出样品透射成像图；以及与所述光学成像装置连接的GPU工作站，其接收所述样品透射成像图，并利用图像恢复算法对该样品透射成像图并行化进行图像反卷积运算，以实时恢复所述样品透射成像图的成像分辨率。本发明提高了能量分辨率、时间分辨率、探测灵敏度，大大缩短测量时间，降低辐射剂量，进一步提升同步辐射在检测限度、探测深度等方面的优势，对生物学，医学等学科的研究具有非常重要的意义。
-
公开(公告)号：CN104178730A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410406410.6
申请日：2014-08-18
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种p型SnO薄膜的制备方法，以SnO陶瓷靶为靶材，采用射频磁控溅射在石英衬底上原位沉积形成p型SnO薄膜，其中，衬底温度为150-300℃，溅射功率为50-150W，工作气体为Ar气，气压为0.5-2.0Pa，气体流量为50-100sccm，相比现有先室温沉积再退火的技术，本制备方法简单易行，适合大规模生产，通过优化衬底温度、溅射功率、气压等工艺参数，大大减少了薄膜内部缺陷，提高了空穴迁移率，大幅提高了p型SnO薄膜的结晶质量和电导率，再以SnO2:Sb陶瓷靶为靶材，通过射频磁控溅射在该p型SnO薄膜上原位沉积形成n型SnO2:Sb薄膜以形成p-n结二极管，可有效提高p-n结二极管的稳定性和光电性能，由此制得的p-n结二极管具有阈值电压高、漏电流低、制备简单、成本低等特点，可用作透明电子器件的基本元件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108549197B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810214561.X
申请日：2018-03-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种原位光通量监测及曝光剂量补偿方法，该方法通过采用光电二极管在光刻实验开始前对经过出射狭缝进入真空腔体内的主光束的光通量进行测量，并在进行实验曝光时对经过出射狭缝进入真空腔体内的强度与主光束成正比的杂散光的光通量进行监测，从而根据杂散光的光强变化实时调整各个光刻区域的曝光时间，由此对曝光剂量进行补偿，以使曝光剂量在XIL大面积曝光图形拼接过程中保持不变，从而确保最终获得的大面积曝光图形内的纳米结构均匀，进而有效提高这种曝光图形形成的器件性能。
-
公开(公告)号：CN111650680B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010575620.3
申请日：2020-06-22
Applicant: 同济大学 , 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法，该方法基于激光汇聚原子沉积技术和软X射线干涉光刻技术，制备百纳米尺度及以下的小节距溯源标准物质，包括以下步骤：1)获取掩膜版基板；2)采用激光汇聚原子沉积技术，在掩膜版基板上，沉积制备掩膜版；3)获取光刻胶样品，该光刻胶样品包括光刻胶和第二衬底；采用掩膜版，通过软X射线干涉光刻技术，对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶光栅结构；4)将光刻胶光栅结构转移到第二衬底上，获取自溯源光栅标准物质。与现有技术相比，本发明制备的自溯源光栅标准物质具有高精度、溯源性和精确缩短节距值等优点。
-
公开(公告)号：CN105182701B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510666500.3
申请日：2015-10-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统，其包括：依次排列的波荡器光源、多个反射聚焦镜、掩膜光栅、具有光阑孔的级选光阑、具有观察孔的样品台、铝膜以及CCD探测器。本发明通过在掩膜光栅与样品之间增设级选光阑，并通过CCD探测器确保掩膜光栅与级选光阑的位置对准，从而使级选光阑能够可靠遮挡经过掩膜光栅分束产生的0级光，避免该0级光照射到样品上，以使样品上产生的±1级衍射光相干区域的周围不存在0级光区域，由此即可通过移动样品台实现样品上的有效曝光区域的大面积拼接。同时本发明还通过采用反射聚焦镜以及铝膜对X射线进行滤波，从而使得CCD探测器能够清楚观察到掩膜光栅与级选光阑的相对位置，从而即可确保两者的对准精度。
-
公开(公告)号：CN105182701A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510666500.3
申请日：2015-10-15
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种同步辐射X射线大面积干涉光刻系统，其包括：依次排列的波荡器光源、多个反射聚焦镜、掩膜光栅、具有光阑孔的级选光阑、具有观察孔的样品台、铝膜以及CCD探测器。本发明通过在掩膜光栅与样品之间增设级选光阑，并通过CCD探测器确保掩膜光栅与级选光阑的位置对准，从而使级选光阑能够可靠遮挡经过掩膜光栅分束产生的0级光，避免该0级光照射到样品上，以使样品上产生的±1级衍射光相干区域的周围不存在0级光区域，由此即可通过移动样品台实现样品上的有效曝光区域的大面积拼接。同时本发明还通过采用反射聚焦镜以及铝膜对X射线进行滤波，从而使得CCD探测器能够清楚观察到掩膜光栅与级选光阑的相对位置，从而即可确保两者的对准精度。
-
公开(公告)号：CN111650819A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010575583.6
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 , 同济大学
Abstract: 本发明涉及基于自溯源光栅的极紫外光刻胶质量检测装置和方法，方法包括以下步骤：1)利用原子光刻技术制备掩膜光栅；2)获取涂有待测极紫外光刻胶膜层的衬底；3)基于获取的掩膜光栅，对所述衬底进行双光栅干涉，获取待测光刻胶图形；4)根据自溯源特性，基于所述掩膜光栅的周期节距值，计算待测光刻胶图形的理论周期节距值，并以待测光刻胶图形的理论周期节距值为标尺，判断待测极紫外光刻胶的质量。与现有技术相比，本发明通过原子光刻技术制备掩膜光栅，具有测量学上周期节距的自溯源性，可以为EUV光刻胶测量数据提供直接的精准标尺，解决了测量设备所带来的实验误差，提高了极紫外光刻胶质量检测的精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.034 seconds)
