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公开(公告)号：CN119827113A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411860530.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01M11/02 , G01M11/04 , G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本申请涉及一种振镜寿命评估方法、装置、计算机设备、存储介质和程序产品，应用于振镜试验系统。所述方法包括：获取多个试验条件下振镜试验系统中振镜的试验寿命；根据试验寿命、试验温度和试验转速，构建振镜加速模型；根据振镜加速模型、各试验条件和正常工作条件，确定振镜在正常工作条件下的振镜寿命；试验条件包括试验温度和试验转速。上述方法通过振镜的试验寿命、振镜的试验温度和试验转速，先构建振镜加速模型，再基于振镜加速模型、各试验条件和正常工作条件，确定振镜在正常工作条件下的振镜寿命，为确定正常工作条件下的振镜寿命提供了一种方法，填补了无法评估振镜寿命的空白。
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公开(公告)号：CN119714895A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411862150.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01M13/045 , G06F18/20 , G06F18/22 , G06F18/214 , G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种基于缩比轴承的轴承故障检测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取目标轴承的第一轴承结构参数，以及与目标轴承匹配的多个缩比轴承各自的第二轴承结构参数；针对各缩比轴承，基于轴承动力学模型，对第一轴承结构参数和第二轴承结构参数进行相关性分析，获得目标轴承和缩比轴承之间的轴承相关度；基于各轴承相关度，从多个缩比轴承中确定与目标轴承匹配的目标缩比轴承，并基于目标缩比轴承的轴承故障数据集，训练得到针对目标轴承的故障诊断模型；基于故障诊断模型对目标轴承的运行数据进行分析，确定目标轴承的故障检测结果。采用本方法能够降低故障检测成本且提高轴承故障检测准确率。
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公开(公告)号：CN112395805A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011164426.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/27 , G06F111/10 , G06F113/10 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及电子束选区熔化增材制造技术领域，公开了一种EBSM阴极寿命评估方法。首先对EBSM打印过程设计相应的试验方案，按照所述试验方案开展EBSM打印试验以获取试验组的试验数据。对所述试验数据进行建模，建立映射模型用以表现所述过程参数和采集时间的分布参数之间的映射关系。在EBSM实际打印过程中对实际过程参数与阴极的已使用时间进行采集，根据所述实际过程参数和所述阴极的已使用时间，结合所述映射模型对阴极寿命进行评估，从而获取所述阴极的剩余寿命，还可以计算获取所述阴极寿命的置信区间以及置信度。使用本申请提供的所述EBSM阴极寿命评估方法可以根据EBSM实际打印过程的的过程参数和阴极的已使用时间对所述阴极的剩余寿命进行准确预测。
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公开(公告)号：CN110990999A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911050188.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本申请涉及一种中子管寿命测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待测中子管在工作过程中的若干时刻的中子产额；对各中子产额进行回归建模处理，得到中子管性能退化模型；基于中子管性能退化模型处理待测中子管的名义最高中子产额和名义最低中子产额，得到名义最高中子产额对应的第一等效损伤时刻，以及名义最低中子产额对应的第二等效损伤时刻；根据中子管性能退化模型、第一等效损伤时刻、第二等效损伤时刻和待测中子管的额定产额，得到待测中子管的等效寿命，从而避免了传统技术中需要全时测试的问题，缩短的中子管的测试耗时，还避免了传统技术中因需要数量较多测试样品而造成的投入成本的问题，降低了测试投入成本。
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公开(公告)号：CN109765182A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910144154.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种转盘机构及检测仪。转盘机构包括支撑座，支撑座设有光学通孔；转盘，转盘设有至少两个第一安装通孔；光学单元，光学单元设有至少两个，光学单元包括安装座和设于安装座的光学件，转盘转动、使一个光学单元与光学通孔相对应；及挠性件，挠性件设于第一安装通孔的内壁和安装座之间。检测仪包括前述的转盘机构及检测机构，检测机构包括光源件和探测件。挠性件使安装座在第一安装通孔内能够进行一定幅度的运动，相比大量导向副及传感器的导向定位方式，定位可靠性高，当需要切换光学单元时，转盘转动，挠性件使第一定位部和第二定位部能够实现分离，以顺利切换到另一个光学单元，切换灵活，并实现另一个光学单元的定位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118034961A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410156465.X
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种设备系统的可靠性评估方法、装置、计算机设备及介质。所述方法包括：通过获取待评估设备系统的层级下的子系统的寿命分布信息，根据各层级下的子系统的寿命分布信息，确定待评估设备系统的寿命分布信息和可靠性评估结果。由于本申请实施例中，根据各层级下的子系统的寿命分布信息，确定了待评估设备系统的可靠性评估结果，从而无需对待评估设备系统进行整机可靠性试验，降低了待评估设备系统可靠性试验评估的难度，能够对由于体积巨大等原因无法开展模拟环境的整机进行可靠性试验评估，并且可以对处于研制阶段尚未形成整机、缺乏整机样品的设备系统进行可靠性试验评估，同时还可以降低可靠性试验评估的成本。
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公开(公告)号：CN110990999B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201911050188.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本申请涉及一种中子管寿命测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待测中子管在工作过程中的若干时刻的中子产额；对各中子产额进行回归建模处理，得到中子管性能退化模型；基于中子管性能退化模型处理待测中子管的名义最高中子产额和名义最低中子产额，得到名义最高中子产额对应的第一等效损伤时刻，以及名义最低中子产额对应的第二等效损伤时刻；根据中子管性能退化模型、第一等效损伤时刻、第二等效损伤时刻和待测中子管的额定产额，得到待测中子管的等效寿命，从而避免了传统技术中需要全时测试的问题，缩短的中子管的测试耗时，还避免了传统技术中因需要数量较多测试样品而造成的投入成本的问题，降低了测试投入成本。
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公开(公告)号：CN109059988B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201810738449.6
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01D18/00
Abstract: 本申请涉及一种光电检测仪器可靠性评估方法包括如下步骤：获取对设定数量个光电检测仪器进行可靠性试验得到的试验数据。其中，试验数据为设定环境条件下，对光电检测仪器进行设定次数的可靠性试验得到的试验数据。设定环境条件为光电检测仪器的应用环境类别对应的试验条件。设定次数为光电检测仪器的MTBF指标对应的试验次数。根据试验数据，对各个光电检测仪器进行可靠性评估，得到可靠性指标。通过根据光电检测仪器的在应用环境类别对应的设定环境条件下，对被测的光电检测仪器开展设定次数的可靠性试验得到的试验数据，进行可靠性评估，有效、准确地试验得到光电检测仪器的可靠性指标，为光电检测仪器的生产或设计，提供产品改进的技术支撑。
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公开(公告)号：CN112084688A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010830078.1
申请日：2020-08-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/23 , G06F113/10 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及电子束选区熔化增材制造技术领域，公开了一种阴极寿命预测方法。所述阴极寿命预测方法通过对所述EBSM打印设备进行打印试验，获取所述阴极在不同气压环境下，所述阴极的中毒深度与打印时间的变化关系，以建立所述阴极的中毒深度模型。在所述EBSM打印设备的实际使用过程中，通过对打印时间、电子枪内部的气压以及成形腔内部的气压进行监测，结合试验获得的所述阴极的中毒深度模型，获取所述阴极在打印过程中的中毒深度。通过中毒深度获取所述阴极的剩余寿命，以完成对所述阴极的寿命预测。本发明提供的所述阴极寿命预测方法是基于阴极的中毒失效机理来实现对实际EBSM打印过程中阴极的剩余寿命进行预测的，预测效果较为精准可靠。
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公开(公告)号：CN110097265A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910315946.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种项目技术就绪度的获取方法、装置、计算机设备和存储介质。本方法获取待评项目的关键技术元素以及各关键技术元素的技术就绪度初评等级；分别以各关键技术元素作为待评关键技术元素，根据待评关键技术元素的技术就绪度初评等级以及其他关键技术元素的技术就绪度初评等级，确定待评关键技术元素与其他关键技术元素的集成作用系数；根据待评关键技术元素与其他各个关键技术元素的技术就绪度初评等级间的差值计算待评关键技术元素的技术就绪度终评等级，获得各关键技术元素的技术就绪度终评等级；根据各关键技术元素的技术就绪度终评等级确定待评项目的技术就绪度，有效提高待评项目技术就绪度评价的准确性，为用户提供准确的项目评价。
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