-
公开(公告)号：CN113393072A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110366001.8
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及电子系统可靠性试验技术领域，公开了一种电子系统加速因子评定方法，包括确认令电子系统存在多故障机理协同效应的目标敏感应力；针对所述目标敏感应力开展加速试验，获取加速因子试验数据；选择所述目标敏感应力的第一加速模型，并对所述第一加速模型进行改进，获取第二加速模型；根据所述加速因子试验数据对所述第二加速模型进行参数估计，获得第三加速模型；根据所述第三加速模型获取加速因子。本发明提供的电子系统加速因子评定方法以系统级电子产品整体为对象，考虑在同应力条件下电子系统多种故障机理间存在协同效应的影响对经典加速模型进行改进，可以解决经典加速模型无法应用于系统级电子产品的问题。
-
公开(公告)号：CN112395805A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011164426.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/27 , G06F111/10 , G06F113/10 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及电子束选区熔化增材制造技术领域，公开了一种EBSM阴极寿命评估方法。首先对EBSM打印过程设计相应的试验方案，按照所述试验方案开展EBSM打印试验以获取试验组的试验数据。对所述试验数据进行建模，建立映射模型用以表现所述过程参数和采集时间的分布参数之间的映射关系。在EBSM实际打印过程中对实际过程参数与阴极的已使用时间进行采集，根据所述实际过程参数和所述阴极的已使用时间，结合所述映射模型对阴极寿命进行评估，从而获取所述阴极的剩余寿命，还可以计算获取所述阴极寿命的置信区间以及置信度。使用本申请提供的所述EBSM阴极寿命评估方法可以根据EBSM实际打印过程的的过程参数和阴极的已使用时间对所述阴极的剩余寿命进行准确预测。
-
公开(公告)号：CN110990999A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911050188.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本申请涉及一种中子管寿命测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待测中子管在工作过程中的若干时刻的中子产额；对各中子产额进行回归建模处理，得到中子管性能退化模型；基于中子管性能退化模型处理待测中子管的名义最高中子产额和名义最低中子产额，得到名义最高中子产额对应的第一等效损伤时刻，以及名义最低中子产额对应的第二等效损伤时刻；根据中子管性能退化模型、第一等效损伤时刻、第二等效损伤时刻和待测中子管的额定产额，得到待测中子管的等效寿命，从而避免了传统技术中需要全时测试的问题，缩短的中子管的测试耗时，还避免了传统技术中因需要数量较多测试样品而造成的投入成本的问题，降低了测试投入成本。
-
公开(公告)号：CN109765182A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910144154.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种转盘机构及检测仪。转盘机构包括支撑座，支撑座设有光学通孔；转盘，转盘设有至少两个第一安装通孔；光学单元，光学单元设有至少两个，光学单元包括安装座和设于安装座的光学件，转盘转动、使一个光学单元与光学通孔相对应；及挠性件，挠性件设于第一安装通孔的内壁和安装座之间。检测仪包括前述的转盘机构及检测机构，检测机构包括光源件和探测件。挠性件使安装座在第一安装通孔内能够进行一定幅度的运动，相比大量导向副及传感器的导向定位方式，定位可靠性高，当需要切换光学单元时，转盘转动，挠性件使第一定位部和第二定位部能够实现分离，以顺利切换到另一个光学单元，切换灵活，并实现另一个光学单元的定位。
-
公开(公告)号：CN112395805B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202011164426.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/27 , G06F111/10 , G06F113/10 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及电子束选区熔化增材制造技术领域，公开了一种EBSM阴极寿命评估方法。首先对EBSM打印过程设计相应的试验方案，按照所述试验方案开展EBSM打印试验以获取试验组的试验数据。对所述试验数据进行建模，建立映射模型用以表现所述过程参数和采集时间的分布参数之间的映射关系。在EBSM实际打印过程中对实际过程参数与阴极的已使用时间进行采集，根据所述实际过程参数和所述阴极的已使用时间，结合所述映射模型对阴极寿命进行评估，从而获取所述阴极的剩余寿命，还可以计算获取所述阴极寿命的置信区间以及置信度。使用本申请提供的所述EBSM阴极寿命评估方法可以根据EBSM实际打印过程的的过程参数和阴极的已使用时间对所述阴极的剩余寿命进行准确预测。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114331054A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111524704.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种防护涂层评价方法和评价系统，防护涂层评价方法包括：获取多个防护涂层于不同环境试验条件下的性能指标数据，各防护涂层于不同环境试验条件下均包括多个性能指标数据；采用主成分分析法对各性能指标数据进行评价；根据评价结果对多个防护涂层进行环境适应性等级划分。通过此防护涂层评价方法可以直观获得多个防护涂层的评价结果，准确地对不同环境下的多种防护涂层进行综合评价结果；并且与传统方法相比，可同时对多种防护涂层进行综合评价，并给出统一的优选建议，提高了评价过程的效率和评价结论的可用性；根据评价结果可以优选出环境适应性较好的防护涂层，为所有行业的设备选择防护涂层时提供可靠性参考。
-
公开(公告)号：CN114003976A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111211820.1
申请日：2021-10-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种鸟弹几何形状的设计方法及其鸟弹，鸟弹几何形状的设计方法包括以下步骤：确定所需模拟的鸟类，测量鸟类的成年鸟体在第一状态下的最大圆周长并计算出最大直径，第一状态为成年鸟体在双翅自然合并下的状态；测量成年鸟体在第一状态下的各部位长度，并计算出躯干长度；以最大直径和躯干长度设计鸟弹的几何尺寸。本申请所提供的鸟弹几何形状的设计方法基于真实鸟体的形貌数据进行，所设计出的鸟弹能够最大限度地接近于鸟体的真实形貌，鸟弹真实度高，可有效地提供相关鸟撞试验或者鸟撞仿真分析结果的真实性，从而切实提升飞机或者飞机发动机的抗鸟击能力。
-
公开(公告)号：CN109765182B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910144154.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种转盘机构及检测仪。转盘机构包括支撑座，支撑座设有光学通孔；转盘，转盘设有至少两个第一安装通孔；光学单元，光学单元设有至少两个，光学单元包括安装座和设于安装座的光学件，转盘转动、使一个光学单元与光学通孔相对应；及挠性件，挠性件设于第一安装通孔的内壁和安装座之间。检测仪包括前述的转盘机构及检测机构，检测机构包括光源件和探测件。挠性件使安装座在第一安装通孔内能够进行一定幅度的运动，相比大量导向副及传感器的导向定位方式，定位可靠性高，当需要切换光学单元时，转盘转动，挠性件使第一定位部和第二定位部能够实现分离，以顺利切换到另一个光学单元，切换灵活，并实现另一个光学单元的定位。
-
公开(公告)号：CN109767039A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910031539.6
申请日：2019-01-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种技术交易的数据处理方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取预交易指标数据；其中，所述预交易指标数据存储于数据表中；获取训练后的机器学习模型；将所述数据表中的预交易指标数据输入至所述训练后的机器学习模型，获得输出的技术交易价格预测值。采用本方法能够弥补传统方法主观性强、评价过程费时费力的缺点，形成一种客观性强、精度高、速度快的技术交易价格的预测方式；提高技术交易价格的预测结果的准确性。
-
公开(公告)号：CN110990999B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201911050188.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 本申请涉及一种中子管寿命测试方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待测中子管在工作过程中的若干时刻的中子产额；对各中子产额进行回归建模处理，得到中子管性能退化模型；基于中子管性能退化模型处理待测中子管的名义最高中子产额和名义最低中子产额，得到名义最高中子产额对应的第一等效损伤时刻，以及名义最低中子产额对应的第二等效损伤时刻；根据中子管性能退化模型、第一等效损伤时刻、第二等效损伤时刻和待测中子管的额定产额，得到待测中子管的等效寿命，从而避免了传统技术中需要全时测试的问题，缩短的中子管的测试耗时，还避免了传统技术中因需要数量较多测试样品而造成的投入成本的问题，降低了测试投入成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.05 seconds)
