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公开(公告)号：CN118913491A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411417001.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
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公开(公告)号：CN116374947B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310649213.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域，本发明公开一种熔石英悬臂梁‑质量块结构及其加工方法。加工方法包括以下步骤：根据悬臂梁‑质量块结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道；清洗熔石英基片、制备熔石英刻蚀掩膜层；光刻悬臂梁区域露出熔石英刻蚀掩膜层；去除悬臂梁区域的熔石英刻蚀掩膜层露出熔石英基片；刻蚀悬臂梁区域的熔石英基片形成悬臂梁；去除熔石英基片上剩余的光刻胶及熔石英刻蚀掩膜层；使用刻蚀液刻蚀熔石英基片，分离质量块与边框。制得的熔石英悬臂梁‑质量块结构，其悬臂梁薄且侧壁陡直，可满足质量块与边框之间的间隙高深宽的加工需求。
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公开(公告)号：CN115876831A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211662502.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开一种热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构及传感装置，该MEMS微应力放大表征结构包括外框、用于测量所述外框上的应力的微应力测量结构以及用于测量热形变应力的第一热形变解耦结构；第一热形变解耦结构包括相互交叉设置的第一梳指电极以及第二梳指电极，通过第一梳指电极和第二梳指电极能够测量出外框所受应力的热形变应力分量，只需要在微应力测量结构测得的应力值中减去热形变应力分量的干扰，即可得到准确的应力值；也就是说，采用本申请的MEMS微应力放大表征结构，能够降低温度变化以及热膨胀、热收缩对待测应力的影响，具有更高的测量精度。
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公开(公告)号：CN109323711B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811471847.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01C25/00 , G01C19/5649 , G01C19/5663
Abstract: 本发明公开了一种陀螺仪模态反转零位自校正方法及系统。该方法包括：采用虚拟激励法对目标陀螺仪、参考陀螺仪的刻度因子进行校准，得到校准后的目标陀螺仪和参考陀螺仪；获取校准后的目标陀螺仪处于正常工作状态时和处于模态反转态时输出的角速率信号；利用零偏估计算法对在两种模态下得到的测量值进行处理，得到零偏估计值；利用零偏估计值对校准后的目标陀螺仪输出的信号进行校准，得到零偏校准值；依据零偏校准值和参考陀螺仪处于正常工作状态时输出的角速率信号确定目标陀螺仪零位自校正后的输出信号。本发明能够同时实现非对称表芯结构的MEMS陀螺仪刻度因子与零偏的实时自校准，校正精度高，泛化能力强，环境适应性好，易于加工，便于实现。
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公开(公告)号：CN108761128A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201811031507.8
申请日：2018-09-05
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开一种压电振动激励自诊断MEMS加速度计表芯及加速度计。所述加速度计表芯包括：上极板、中间极板、下极板和振动台，所述中间极板位于所述上极板和所述下极板正中间，所述中间极板通过一根悬梁连接到固定位置，所述上极板与所述中间极板构成第一电容，所述下极板与所述中间极板构成第二电容，所述第一电容与所述第二电容构成一对差分电容；所述振动台包括反馈层和振动层，所述反馈层位于所述下极板下侧，所述振动层位于所述反馈层下侧；所述反馈层表面引出反馈输出正电极和反馈输出负电极，所述振动层表面引出驱动正电极和驱动负电极。采用本发明的表芯和加速度计能够实现对振动层振动幅度的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118913491B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411417001.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
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公开(公告)号：CN119043536A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411535155.5
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种压阻式传感器及其加工方法，该加工方法至少采用5层SOI硅片制备获得压阻式传感器。其中，在5层SOI硅片的第一硅层中制备压敏电阻；在5层SOI硅片的第三硅层中制备硅岛形成第三结构层；再去除第一硅层多余部分形成连接至压敏电阻的连接结构，从而形成第一结构层；至少在压敏电阻及连接结构上沉积复合层形成应力加强结构。制备获得的传感器的岛膜结构中的敏感膜厚度可控，且敏感膜厚度的一致性好，可提高传感器的灵敏度。另外，压敏电阻上覆盖应力加强结构，在保护压敏电阻的基础上还可提高压敏电阻处的应力，从而进一步提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN117572021B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410063805.4
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种敏感结构及加速度传感器。敏感结构包括边框，边框形成有第一容置空间；外隔离岛，外隔离岛设置于第一容置空间中且固定于边框，外隔离岛形成有第二容置空间；内隔离岛，内隔离岛设置于第二容置空间且连接至外隔离岛；悬臂梁，悬臂梁具有两端，悬臂梁设置于第二容置空间且一端连接至内隔离岛；质量块，质量块连接至悬臂梁的另一端；其中，质量块被构造成在加速度作用下对悬臂梁产生作用力。加速度传感器包括前述的敏感结构。通过设置内、外隔离岛，形成双重隔离结构，可有效消除封装应力、温度应力等外围干扰应力对敏感部分的影响，可提高加速度测量精度和检测可靠性。
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公开(公告)号：CN117607489A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202410063803.5
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种压阻式加速度传感器的敏感结构及加速度传感器。敏感结构包括框架和敏感单元，框架形成有第一容置空间，敏感单元设置于第一容置空间内。敏感单元包括质量块、第一支撑梁和第二支撑梁。质量块具有主体以及固定至主体的凸部；第一支撑梁和第二支撑梁的一端分别连接至质量块的主体的第一纵向位置和第二纵向位置；其中，质量块的纵向为质量块的敏感方向，质量块的凸部的延伸方向与第一支撑梁、第二支撑梁的延伸方向平行；质量块在加速度作用下对第一支撑梁和第二支撑梁产生作用力。有利于提高敏感结构的抗冲击能力、横向抗干扰能力。可充分利用空间位置，从而减小敏感结构的体积。
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公开(公告)号：CN118011043A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410427084.0
申请日：2024-04-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，提供一种具有一体式应力隔离下极板的微加速度计及其加工方法。微加速度计包括下极板和连接至下极板的应力缓冲板。下极板包括下极板主体和与下极板主体一体成型的隔离结构，应力缓冲板包括应力缓冲板主体和位于应力缓冲板主体上的隔离连接部。其中，下极板与应力缓冲板之间通过隔离结构与隔离连接部键合连接，且下极板主体与应力缓冲板主体之间形成间隙。下极板主体与隔离结构材料一致且一体成型，避免了下极板主体与隔离结构之间热失配的问题。下极板和应力缓冲板的固定连接通过隔离结构和隔离连接部键合连接实现，不仅有利于降低下极板固定至应力缓冲板时对加速度计性能的影响，还能降低装配难度，避免精密装配。
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