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公开(公告)号：CN108828265B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201810823871.1
申请日：2018-07-25
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种电容式微机械加速度传感器。电容式微机械加速度传感器包括：上电极板、敏感芯片和下电极板，敏感芯片包括框架、固定端与框架连接的悬臂梁、与悬臂梁的自由端连接的质量块，悬臂梁及质量块均设置在框架内，悬臂梁上开设有贯穿的通孔，每个通孔中设置有一个氧化硅柱，悬臂梁的材料为单晶硅；上电极板盖合在框架的上开口端，下电极板盖合在框架的下开口端。本发明通过在单晶硅悬臂梁中合理嵌入杨氏模量温度系数与单晶硅材料相反的氧化硅柱结构，对加速度传感器的材料温度特性实现被动式全补偿，能够大幅度提高微加速度传感器的温度稳定性。因此，本发明提供的电容式微机械加速度传感器结构简单可靠，温度稳定性好，测量精度高。
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公开(公告)号：CN108761128B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201811031507.8
申请日：2018-09-05
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开一种压电振动激励自诊断MEMS加速度计表芯及加速度计。所述加速度计表芯包括：上极板、中间极板、下极板和振动台，所述中间极板位于所述上极板和所述下极板正中间，所述中间极板通过一根悬梁连接到固定位置，所述上极板与所述中间极板构成第一电容，所述下极板与所述中间极板构成第二电容，所述第一电容与所述第二电容构成一对差分电容；所述振动台包括反馈层和振动层，所述反馈层位于所述下极板下侧，所述振动层位于所述反馈层下侧；所述反馈层表面引出反馈输出正电极和反馈输出负电极，所述振动层表面引出驱动正电极和驱动负电极。采用本发明的表芯和加速度计能够实现对振动层振动幅度的检测。
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公开(公告)号：CN113933540A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111373866.3
申请日：2021-11-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 本发明公开了一种机电耦合的电容式加速度传感器，该传感器整体呈现上下对称结构，包括上盖板、敏感单元和下盖板；所述上盖板与敏感单元之间、敏感单元与下盖板形成多层结构；敏感单元由敏感单元框架、敏感质量块和悬臂梁组成；敏感质量块的一端与悬臂梁相连，组成敏感单元的可动部分；敏感单元框架和盖板的介电屏蔽层连接；上盖板内的电容上极板和敏感质量块的上表面之间形成上电容间隙；下盖板内的电容下极板和敏感质量块的下表面之间形成下电容间隙。本发明解决现有电容式加速度传感器的在辐照环境下的电压漂移问题，为一种高可靠性、高精度、性能稳定的高精度加速度传感器。
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公开(公告)号：CN113130259A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110463726.9
申请日：2021-04-27
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明公开了一种平面单位移驱动的双稳态MEMS开关，该双稳态MEMS开关包括衬底、固定端、弹性梁和T型触发执行器，其中固定端包括第一固定端、第二固定端和第三固定端；弹性梁包括两个L型弹性梁和两个V型弹性梁。本发明公开的双稳态MEMS开关通过位移驱动装置驱动T型触发执行器，利用弹性梁的形变和位移实现电路通电与断电。本发明公开的平面单位移驱动的双稳态MEMS开关，输入驱动少，结构简单，容易控制，响应速度快，具备自锁功能，可靠性高，本发明的双稳态MEMS开关可用于电路开关也可作为位移开关，通用性强。
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公开(公告)号：CN109585120B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201811325924.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明公开了基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其步骤包括：1）制备磁印章和待刻印体，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；2）将制备好的磁印章的下表面与待刻印体的上表面进行贴合，然后进行加热，再逐渐退火，从而将磁印章的磁性转写到待刻印体上。相比于传统方法，本发明可以轻松实现磁化过程，而且适用于任何基板，大大扩大了适用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111366290A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010227383.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种半球万向敏感压电冲击传感器。该半球万向敏感压电冲击传感器通过电射流微纳打印技术，将所述半球陶瓷厚膜打印至所述半球底座的半球表面；所述半球陶瓷厚膜与所述半球底座为一体化结构。采用本发明所提供的半球万向敏感压电冲击传感器能够简化敏感压电冲击传感器结构和信号处理流程，提高所述半球万向敏感压电冲击传感器的万向性。
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公开(公告)号：CN108344881B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810137336.0
申请日：2018-02-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种闭环微加速度计的敏感结构。该敏感结构包括：上电容极板、可动结构和下电容极板，可动结构位于上电容极板与下电容极板之间；可动结构包括边框、悬臂梁和可动质量块；边框包围在可动结构外侧；可动质量块的一侧通过悬臂梁固定于边框上；边框上表面通过第一绝缘层与上电容极板接触，边框下表面通过第二绝缘层与下电容极板接触。通过在上、下极板上分别制作等厚度的二氧化硅层，从而加大极板间的介电常数，改变极板间的等效电容，在相同极板间距和工作电压下提升静电力从而加大量程。
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公开(公告)号：CN108362910B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810137325.2
申请日：2018-02-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种开环微加速度计。该开环微加速度计的敏感结构等效电路包括上极板、下极板、可动机构和校正电容，上极板通过第一开关与电源正极相连并通过第二开关与负反馈网络连接；下极板通过第三开关与电源负极相连并通过第四开关与负反馈网络连接；校正电容的两个电容补偿阵列串联，第一电容补偿阵列的上极板通过第五开关与负反馈网络连接并通过第六开关与电源正极相连；第二电容补偿阵列的下极板通过第七开关与负反馈网络连接并通过第八开关与电源负极相连。本发明通过改变校正电容与敏感结构和后续处理电路的连接关系，可以省去输出前数字化非线性拟合补偿环节，降低硬件开销，同时避免生产时需要非线性校正导致效率低和成本高的问题。
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公开(公告)号：CN106501548A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611191423.1
申请日：2016-12-21
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/18 , G01P1/00
CPC classification number: G01P15/125 , G01P1/00 , G01P15/18
Abstract: 本发明公开了一种双差分全硅结构的微加速度计及其制造方法，涉及微电子机械系统领域。本发明首先通过基底耦合的方式，使4个类似的斜梁-敏感质量块结构在外部环境的作用下都发生基本一致的形变；然后通过双差分的检测方法a=k(ΔCa-ΔCb)，将外界环境造成的扰动抑制掉，从而提高了器件的长期稳定性和温度稳定性。
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公开(公告)号：CN105891545A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610409871.8
申请日：2016-06-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种高精度低g值SOI微加速度计，包括由上至下设置的结构层、绝缘层、衬底层和基底层，绝缘层设在结构层跟衬底层之间；该结构层上设有第一质量块、可动梳齿、固定梳齿以及金属引线电极，可动梳齿一端跟第一质量块连接，另一端为自由端，固定梳齿一端通过第一锚点分别跟绝缘层和基底层连接，另一端为自由端；可动梳齿跟固定梳齿相间构成平行板电容器；该衬底层上设有第二质量块、支撑梁，支撑梁的一端跟第二质量块连接，另一端通过第二锚点跟基底层连接。
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