具备高电磁作用力的微电磁执行器

    公开(公告)号:CN109473249A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811325896.5

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 本发明公开了具备高电磁作用力的微电磁执行器,包括永磁体和微线圈,其特征在于:所述微线圈由若干个相同的矩形铜线圈并排形成平面微线圈,每两个矩形铜线圈之间的间距均相同;所述永磁体由若干磁条拼接而成,每两个相邻磁条的磁化方向均不同。在上述微线圈的设计基础上,可以将永磁体分别设计为:1)面外多极结构;2)面内多极结构;3)基于Halbach构型的结构。相比于传统设计,本发明结构简单,微线圈生长容易,而且能大大提高电磁作用力,方便适用于更多微系统中。

    一体式石英双振梁加速度计及制备方法

    公开(公告)号:CN109254170A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201811450018.6

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本发明的实施例公开了一种一体式石英双振梁加速度计及制备方法,该一体式石英双振梁加速度计包括:一体成型的装配区、挠性梁、振梁、质量块及金属电极,质量块通过挠性梁及振梁连接于装配区;挠性梁的上表面与质量块上表面之间的距离等于挠性梁的下表面与质量块下表面之间的距离,振梁的一端连接于装配区的上表面,另一端连接于质量块的上表面。该一体式石英双振梁加速度计一体成型,相比分体式具有结构紧凑、免装配、易加工的特点,另外采用双振梁,可以避免真空封装,在使用中更加稳定可靠,挠性梁位于质量块上下表面的中间,提高器件的灵敏度,挠性梁的厚度跟振梁的厚度可以不一致,增加了设计的自由度。

    一种玻璃腐蚀的掩膜方法

    公开(公告)号:CN106904839A

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201710206914.7

    申请日:2017-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种玻璃腐蚀的掩膜方法,该包括:(a)通过氢氧化物将具有表面氧化层的硅片与玻璃进行催化键合;(b)去掉硅片上表面的氧化层;(c)减薄硅片;(d)以光刻胶在硅片表面光刻,形成玻璃腐蚀所需要的图形;(e)利用DRIE(深反应离子刻蚀)各向异性刻蚀,刻蚀硅片,刻蚀深度至玻璃层;(f)去掉硅片上的光刻胶;(g)腐蚀玻璃;(h)去掉玻璃上的硅、氧化硅,并清洗,得到所需要的玻璃结构。本发明的方法,玻璃腐蚀深度不受限制,且可以避免阳极键合温度带来的热应力,另外不需要昂贵的设备,操作简单。

    石英摆式加速度计及其制备方法

    公开(公告)号:CN106841683A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710219257.X

    申请日:2017-04-06

    CPC classification number: G01P15/125 G01P2015/0862

    Abstract: 本发明公开了一种石英摆式加速度计,包括上极板、中间极板和下极板,所述上极板和所述下极板均由键合区、电容平板区和电极引线区组成,所述键合区围在所述电容平板区的四周,所述电极引线区一端悬空,另一端穿过所述键合区与所述电容平板区连接,所述键合区的厚度大于所述电容平板区的厚度;所述中间极板由键合区、质量块、挠性梁和电极引线区组成,所述键合区为环状,所述质量块经所述挠性梁与所述键合区内侧边固定连接,所述电极引线区一端悬空,另一端穿过所述键合区与所述质量块相连;所述上极板、中间极板和下极板通过三者的键合区连接成一个整体。本发明结构简单、同一种材料、无需精密机械装配,可靠性和制造型能够得到提升。

    一种三凸梁式微机械加速度传感器

    公开(公告)号:CN103323623B

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201310271572.9

    申请日:2013-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种三凸梁式微机械加速度传感器。所述的传感器包括敏感芯片和下玻璃板;其中,敏感芯片采用结构对称的双端固支的双质量块,共包含两个锚区、三个敏感凸梁、两个质量块、四个压敏电阻。其连接关系是,所述的两个质量块通过一个敏感凸梁连在一起,另外两个敏感凸梁分别放置在质量块两端,构成敏感芯片的可动部分;四个压敏电阻分别设置在敏感凸梁上表面;可动部分的两端分别与锚区连在一起构成敏感芯片;所述的敏感芯片与下玻璃板通过键合连接。本发明的传感器的固有频率可达300KHz以上,且不使灵敏度下降,避开了常规设计中两者不可协调的矛盾。

    一种三凸梁式微机械加速度传感器

    公开(公告)号:CN103323623A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310271572.9

    申请日:2013-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种三凸梁式微机械加速度传感器。所述的传感器包括敏感芯片和下玻璃板;其中,敏感芯片采用结构对称的双端固支的双质量块,共包含两个锚区、三个敏感凸梁、两个质量块、四个压敏电阻。其连接关系是,所述的两个质量块通过一个敏感凸梁连在一起,另外两个敏感凸梁分别放置在质量块两端,构成敏感芯片的可动部分;四个压敏电阻分别设置在敏感凸梁上表面;可动部分的两端分别与锚区连在一起构成敏感芯片;所述的敏感芯片与下玻璃板通过键合连接。本发明的传感器的固有频率可达300KHz以上,且不使灵敏度下降,避开了常规设计中两者不可协调的矛盾。

    双掩膜SOIMEMS加工方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102616734A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210110745.4

    申请日:2012-04-17

    Abstract: 本发明提供了一种双掩膜SOI MEMS加工方法,属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。本发明的SOI晶圆片的硅结构层进行了浓硼掺杂,掺杂浓度大于5×1018/cm3。本发明的方法包括:在硅片正面溅射一层铝,光刻,刻蚀铝,在硅片上定义出完整的MEMS结构图形;光刻,在硅片上形成细线宽结构图形;采用ICP刻蚀方法刻蚀细线宽结构;去除光刻胶,采用ICP刻蚀方法同时刻蚀宽细线宽结构;刻蚀结构层下的绝缘层;采用KOH溶液腐蚀方法刻蚀硅衬底。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件,具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。

    双掩膜浓硼掺杂SOIMEMS加工方法

    公开(公告)号:CN102616733A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210110744.X

    申请日:2012-04-17

    Abstract: 本发明提供了双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法,属于微电子机械系统微加工领域。SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括:利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分,然后同时刻蚀硅结构层上宽细线宽结构,以使得宽细线宽结构刻蚀到绝缘层上的时间基本相同;然后对硅结构层的表面进行浓硼掺杂;最后,去掉结构层下的绝缘层,利用各向异性刻蚀,刻蚀结构层下的硅衬底,释放微结构。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件,具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。

    一体式石英双振梁加速度计及制备方法

    公开(公告)号:CN109239400B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN201811339689.5

    申请日:2018-11-12

    Abstract: 本发明公开了一种一体式石英双振梁加速度计及制备方法,该一体式石英双振梁加速度计包括:一体成型的装配区、挠性梁、振梁、质量块及金属电极,质量块通过挠性梁及振梁连接于装配区;振梁包括第一直梁及第二直梁,第一直梁及第二直梁并列设置,第一直梁及第二直梁的一端连接于装配区,另一端连接于质量块,金属电极设置第一直梁及第二直梁上,第一直梁及第二直梁上的金属电极的极性相反;挠性梁包括两个连接梁,两个连接梁位于振梁的两侧,挠性梁的一端连接于装配区,另一端连接于质量块。该一体式石英双振梁加速度计一体成型,相比分体式具有结构紧凑、免装配、易加工的特点,另外采用双振梁,可以避免真空封装,在使用中更加稳定可靠。

    一种陀螺仪模态反转零位自校正方法及系统

    公开(公告)号:CN109323711B

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201811471847.2

    申请日:2018-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种陀螺仪模态反转零位自校正方法及系统。该方法包括:采用虚拟激励法对目标陀螺仪、参考陀螺仪的刻度因子进行校准,得到校准后的目标陀螺仪和参考陀螺仪;获取校准后的目标陀螺仪处于正常工作状态时和处于模态反转态时输出的角速率信号;利用零偏估计算法对在两种模态下得到的测量值进行处理,得到零偏估计值;利用零偏估计值对校准后的目标陀螺仪输出的信号进行校准,得到零偏校准值;依据零偏校准值和参考陀螺仪处于正常工作状态时输出的角速率信号确定目标陀螺仪零位自校正后的输出信号。本发明能够同时实现非对称表芯结构的MEMS陀螺仪刻度因子与零偏的实时自校准,校正精度高,泛化能力强,环境适应性好,易于加工,便于实现。

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