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公开(公告)号：CN117586039B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311549315.7
申请日：2023-11-20
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/52 , C04B35/622 , C01B32/90
Abstract: 本发明公开了一种Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷粉末，C/C‑Ta0.5Zr0.5C‑SiC复合材料及其制备方法；采用物理湿法球磨并结合碳热还原反应制备了密度为10.52g/cm3的Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷粉末，将Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷粉末球磨获得Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷细粉，与水、聚乙烯亚胺混合得到固溶体陶瓷浆料，将C/C复合多孔坯体浸渍于固溶体陶瓷浆料中，经干燥后获得炭/陶基体，随后以聚碳硅烷作为陶瓷先驱体，通过先驱体浸渍裂解增密炭/陶基体，从而得到具有优异力学性能与耐烧蚀性能的C/C‑Ta0.5Zr0.5C‑SiC复合材料。
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公开(公告)号：CN109295335A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811241587.X
申请日：2018-10-24
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C22C1/05 , B22F1/0003 , C22C9/00 , C23C18/1889 , C23C18/405
Abstract: 本发明公开了一种用少量氧化改性后再镀铜改性的膨胀石墨代替石墨，制备出改性膨胀石墨-石墨/铜复合材料的方法。复合材料的制备方法是称取少量改性后的膨胀石墨、石墨粉及电解铜粉混合均匀后，再进行压制、烧结得到。本发明制备的改性膨胀石墨-石墨/铜复合材料导电性能优良，摩擦磨损性能优异，具有更小的摩擦系数，磨损率更低。改性膨胀石墨的加入使得复合材料具有优异的导电性能，更加优良的摩擦磨损性能。且制备方法简单，成本较低，是一种发展前景很好的电接触材料。
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公开(公告)号：CN104831107B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510162852.5
申请日：2015-04-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种耐烧蚀炭/炭-碳化锆-铜复合材料的制备方法，用聚丙烯腈基炭纤维针刺整体毡为预制体，采用化学气相渗透增密及高温热处理工艺制备得到多孔的炭/炭复合坯体，然后将锆-铜混合粉末熔融渗入炭/炭复合坯体中，通过反应熔渗制备炭/炭-碳化锆-铜复合材料。测定炭/炭-碳化锆-铜复合材料的性能指标。本发明采用锆、铜混合粉末，能在相对较低的熔渗温度制备出孔隙率低、物相组成均匀、硬度和抗弯强度良好、烧蚀性能优良的炭/炭-碳化锆-铜复合材料。(56)对比文件但奇善.反应熔渗法制备C/C-ZrC复合材料的微观结构及性能《.中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》.2014,B020-189页.张慧茹.碳/碳复合材料概述《.专题综述》.2011,(第01期),全文.
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公开(公告)号：CN103397283A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310282986.1
申请日：2013-07-07
Applicant: 中南大学 , 湖南博云新材料股份有限公司
IPC: C22C47/08 , C22C121/00 , C22C101/10
Abstract: 本发明公开了一种炭/炭-铜复合材料的制备方法，包括：(1) 将密度为0.6～1.6g/cm3的炭/炭复合材料试样在无水乙醇中清洗并烘干；(2) 将MoO3、正钼酸铵、仲钼酸铵、二钼酸铵、四钼酸铵的一种或多种与碱金属氯化物的一种或多种混合均匀， Mo占混合盐的质量百分数为5～20%；(3) 将步骤(1)得到的坯体包埋在步骤（2）的混合盐中，于900～1100℃保温0.5～5小时，随炉冷却至室温；(4) 将步骤（3）中得到的坯体于1100～1300℃保温0.5～2小时进行渗铜。本发明在保证复合材料高导电性的前提下，改善了材料的力学和摩擦磨损性能，且对设备要求低，工艺简单，工艺条件易控制。
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公开(公告)号：CN101412632B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810143585.7
申请日：2008-11-13
Applicant: 中南大学 , 湖南博云新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅炉用炭/炭复合材料发热体的制备方法，将U形炭纤维坯体进行高温纯化预处理后沉积，热处理温度为1600～2800℃；将U形炭纤维坯体以高纯N2为载气和稀释气体、C3H6为炭源进行裂解增密制备出炭/炭复合坯体，裂解温度850～1200℃，时间100～400h，炉内气压0.5kPa～2.5kPa；将增密至一定密度的炭/炭复合坯体进行机加工，酸洗+氯盐洗，进行高温纯化处理，处理温度为2000～2800℃；将炭/炭复合坯体以高纯N2为载气和稀释气体、C3H6为炭源进行表面涂层处理，裂解温度900～1300℃，时间10～100h，炉内气压1.0kPa～4.0kPa；并测定炭/炭复合材料发热体成品的技术指标。本发明能制备出纯度高、电阻率随温度变化稳定、使用寿命长的大尺寸异形薄壁炭/炭复合材料发热体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101264522A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200710034539.9
申请日：2007-03-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纯净MoSi2－WSi2复合粉末的方法：将Mo粉、W粉和Si粉按摩尔比(1－x)∶x∶2.02～2.06均匀混合后压制成形，其中0＜x＜1，将压坯推入钼丝炉中，先在低温下于H2气氛中停留30～60min，而后迅速推入1420～1500℃的高温段，保温10～60min，然后推入冷却段冷却；将反应后的物料破碎。本发明中由于加入了比反应摩尔比多0.1～0.3％的Si，可以完全消除燃烧合成产物中的Mo5Si3和W5Si3。此外，通过在硅熔点以上的保温，又能排除反应物中过量的Si，最终可以得到纯净的MoSi2－WSi2复合粉末，且工艺简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN116715526A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310679541.0
申请日：2023-06-09
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料及其制备方法，将含(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C高熵陶瓷粉末的浆料浸入C/C复合多孔坯体中获得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体，将C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体通过先驱体浸渍裂解工艺进行SiC基体致密化，即得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料，本发明不仅缩短了单独采用先驱体浸渍裂解法制备的周期，提高了制备效率，而且相对于单独采用先驱体浸渍裂解法可以大幅提高最终的密度，获得更加致密的陶瓷基体，降低了孔隙率，提高了复合材料的性能，还降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN109295335B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201811241587.X
申请日：2018-10-24
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种用少量氧化改性后再镀铜改性的膨胀石墨代替石墨，制备出改性膨胀石墨‑石墨/铜复合材料的方法。复合材料的制备方法是称取少量改性后的膨胀石墨、石墨粉及电解铜粉混合均匀后，再进行压制、烧结得到。本发明制备的改性膨胀石墨‑石墨/铜复合材料导电性能优良，摩擦磨损性能优异，具有更小的摩擦系数，磨损率更低。改性膨胀石墨的加入使得复合材料具有优异的导电性能，更加优良的摩擦磨损性能。且制备方法简单，成本较低，是一种发展前景很好的电接触材料。
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公开(公告)号：CN101412632A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810143585.7
申请日：2008-11-13
Applicant: 中南大学 , 湖南博云新材料股份有限公司
IPC: C04B35/83
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅炉用炭/炭复合材料发热体的制备方法，将U形炭纤维坯体进行高温纯化预处理后沉积，热处理温度为1600～2800℃；将U形炭纤维坯体以高纯N2为载气和稀释气体、C3H6为炭源进行裂解增密制备出炭/炭复合坯体，裂解温度850～1200℃，时间100～400h，炉内气压0.5kPa～2.5kPa；将增密至一定密度的炭/炭复合坯体进行机加工，酸洗+氯盐洗，进行高温纯化处理，处理温度为2000～2800℃；将炭/炭复合坯体以高纯N2为载气和稀释气体、C3H6为炭源进行表面涂层处理，裂解温度900～1300℃，时间10～100h，炉内气压1.0kPa～4.0kPa；并测定炭/炭复合材料发热体成品的技术指标。本发明能制备出纯度高、电阻率随温度变化稳定、使用寿命长的大尺寸异形薄壁炭/炭复合材料发热体。
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公开(公告)号：CN116715526B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310679541.0
申请日：2023-06-09
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料及其制备方法，将含(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C高熵陶瓷粉末的浆料浸入C/C复合多孔坯体中获得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体，将C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体通过先驱体浸渍裂解工艺进行SiC基体致密化，即得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料，本发明不仅缩短了单独采用先驱体浸渍裂解法制备的周期，提高了制备效率，而且相对于单独采用先驱体浸渍裂解法可以大幅提高最终的密度，获得更加致密的陶瓷基体，降低了孔隙率，提高了复合材料的性能，还降低了工艺成本。
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