公开(公告)号：CN116715526B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202310679541.0

申请日：2023-06-09

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘睿智 ,  易茂中 ,  彭可 ,  汤振霄 ,  周远明 ,  张贝 ,  谢奥林

IPC: C04B35/571 ,  C04B35/622 ,  C04B35/80 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料及其制备方法，将含(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C高熵陶瓷粉末的浆料浸入C/C复合多孔坯体中获得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体，将C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体通过先驱体浸渍裂解工艺进行SiC基体致密化，即得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料，本发明不仅缩短了单独采用先驱体浸渍裂解法制备的周期，提高了制备效率，而且相对于单独采用先驱体浸渍裂解法可以大幅提高最终的密度，获得更加致密的陶瓷基体，降低了孔隙率，提高了复合材料的性能，还降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN117586039B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202311549315.7

申请日：2023-11-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 周远明 ,  冯志荣 ,  易茂中 ,  彭可 ,  汤振霄 ,  刘睿智 ,  张贝 ,  谢奥林

IPC: C04B35/83 ,  C04B35/52 ,  C04B35/622 ,  C01B32/90

Abstract: 本发明公开了一种Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷粉末，C/C‑Ta0.5Zr0.5C‑SiC复合材料及其制备方法；采用物理湿法球磨并结合碳热还原反应制备了密度为10.52g/cm3的Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷粉末，将Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷粉末球磨获得Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷细粉，与水、聚乙烯亚胺混合得到固溶体陶瓷浆料，将C/C复合多孔坯体浸渍于固溶体陶瓷浆料中，经干燥后获得炭/陶基体，随后以聚碳硅烷作为陶瓷先驱体，通过先驱体浸渍裂解增密炭/陶基体，从而得到具有优异力学性能与耐烧蚀性能的C/C‑Ta0.5Zr0.5C‑SiC复合材料。

公开(公告)号：CN116715526A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310679541.0

申请日：2023-06-09

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘睿智 ,  易茂中 ,  彭可 ,  汤振霄 ,  周远明 ,  张贝 ,  谢奥林

IPC: C04B35/571 ,  C04B35/622 ,  C04B35/80 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料及其制备方法，将含(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C高熵陶瓷粉末的浆料浸入C/C复合多孔坯体中获得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体，将C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体通过先驱体浸渍裂解工艺进行SiC基体致密化，即得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料，本发明不仅缩短了单独采用先驱体浸渍裂解法制备的周期，提高了制备效率，而且相对于单独采用先驱体浸渍裂解法可以大幅提高最终的密度，获得更加致密的陶瓷基体，降低了孔隙率，提高了复合材料的性能，还降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN117586039A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311549315.7

申请日：2023-11-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 周远明 ,  冯志荣 ,  易茂中 ,  彭可 ,  汤振霄 ,  刘睿智 ,  张贝 ,  谢奥林

IPC: C04B35/83 ,  C04B35/52 ,  C04B35/622 ,  C01B32/90

Abstract: 本发明公开了一种Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷粉末，C/C‑Ta0.5Zr0.5C‑SiC复合材料及其制备方法；采用物理湿法球磨并结合碳热还原反应制备了密度为10.52g/cm3的Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷粉末，将Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷粉末球磨获得Ta0.5Zr0.5C固溶体陶瓷细粉，与水、聚乙烯亚胺混合得到固溶体陶瓷浆料，将C/C复合多孔坯体浸渍于固溶体陶瓷浆料中，经干燥后获得炭/陶基体，随后以聚碳硅烷作为陶瓷先驱体，通过先驱体浸渍裂解增密炭/陶基体，从而得到具有优异力学性能与耐烧蚀性能的C/C‑Ta0.5Zr0.5C‑SiC复合材料。