公开(公告)号：CN115855319A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202111612333.6

申请日：2021-12-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 王晨光 ,  刘丽双 ,  王瑞荣 ,  贾旭光 ,  武亮伟 ,  李欣

IPC: G01L1/00 ,  G01L9/00 ,  H01L29/778 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开一种InAs QD嵌入式HEMT的力敏传感结构，在半绝缘GaAs衬底上依次生长高纯度的GaAs缓冲层、高浓度的GaAs/AlGaAs超晶格层、高纯度的GaAs沟道层、InAs量子点层、高纯度的AlGaAs隔离层、Si平面掺杂隔离层、n‑AlGaAs势垒层、高纯度的GaAs隔离层、高掺杂GaAs欧姆接触层；然后在高掺杂GaAs欧姆接触层上加工源极、漏极欧姆接触。电学特性测试表明QD‑HEMT结构设计合理，应力作用下QD‑HEMT结构的输出特性曲线发生变化，表明QD‑HEMT具有较强的力电耦合特性。力敏特性测试结果表明，在0‑100KPa应力范围内，传感器的灵敏度为1.09mV/KPa。

公开(公告)号：CN115290223A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202111626111.X

申请日：2021-12-29

Applicant: 太原工业学院 ,  中北大学

Inventor： 王瑞荣 ,  刘丽双 ,  罗正杰 ,  林绍卓 ,  贾旭光

IPC: G01L1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于RC振荡频率检测的柔性力敏传感测试方法，通过对CNT/PDMS力敏结构在交流状态下进行实验，除了考虑到对纳米复合材料力敏结构施加应力，碳纳米管在聚合物内部位置、形状等发生改变，多个纳米管之间的距离也会变化，使得导电网络发生变化，导致电阻发生变化，还考虑了有电容发生变化，最后对整体电路进行分析考虑。从而实现了一种高精度高灵敏的RC振荡频率检测的柔性力敏传感方法。

公开(公告)号：CN115286922A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202111624904.8

申请日：2021-12-29

Applicant: 太原工业学院 ,  中北大学

Inventor： 王瑞荣 ,  刘丽双 ,  朱诗宁 ,  刘金萍 ,  武亮伟

IPC: C08L83/04 ,  C08K7/24 ,  C08K3/22 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明公开了一种抗电磁辐射的基于石墨烯泡沫/PDMS/WO3复合力敏结构。利用CVD法制备了不同石墨烯含量的GF，采用真空辅助浸渍法加工了该力敏复合结构，电学特性与形貌测试表明结构具有良好的导电性与柔韧性，0.4wt%石墨烯含量的复合材料结构电导率最高达到4S/cm。在X波段的电磁屏蔽性能进行测试，得到EMI SE为32dB。重复弯曲10000次后结构的电磁屏蔽效能未发生明显变化，力敏特性测试结果表明在30‑50%拉伸应变范围内，复合结构的灵敏度为8.7；在600‑1000KPa压力范围内，灵敏度为0.15KPa‑1，1000KPa应力作用下力敏材料的电磁屏蔽系数降低为25dB。

公开(公告)号：CN114525033A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202111618789.3

申请日：2021-12-28

Applicant: 中北大学

Inventor： 王晨光 ,  刘丽双 ,  王瑞荣 ,  李欣 ,  刘金萍 ,  史子阳

IPC: C08L83/04 ,  C08K3/22 ,  C08K3/04 ,  C08J9/42 ,  G01L1/20 ,  G01B7/16

Abstract: 本发明公开了一种抗伽马辐射的基于碳纳米管海绵/PDMS/WO3复合力敏结构，包括位于中间的碳纳米管海绵层，所述碳纳米管海绵层的两侧表面附着与PDMS层，所述PDMS层内浸渍有WO3颗粒。该三层复合结构具体为：中间层由碳纳米管海绵和PDMS构成导电层，用于表现柔性力敏性能；上下两层由氧化钨和PDMS构成辐照屏蔽层，用于屏蔽伽马射线。该力敏结构制备简单、成本低、化学稳定性良好、弯曲性能良好，应用场景广。该复合结构可以贴在待测物体表面，检测其弯曲、拉伸等的变化，还可以防止伽马辐照对待测物体的损伤。

公开(公告)号：CN115856558A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202111610382.6

申请日：2021-12-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘丽双 ,  王瑞荣 ,  王晨光 ,  林绍卓 ,  王启 ,  罗正杰

IPC: G01R31/26 ,  G01N23/04 ,  G01N23/207

Abstract: 本发明公开了一种基于InAs量子点嵌入HEMT结构的抗辐照测试方法，利用量子点抗辐照特性，通过微纳工艺完成将InAs量子点嵌入HEMT结构，以增强其抗辐照的特性。并对InAs量子点嵌入HEMT结构和HEMT结构利用60Co‑γ射线进行辐照前后的性能对比，验证其抗辐照性能，利用该方法可以对HEMT器件的制备提供关键技术支持和约束条件，以提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN115855325A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202111612348.2

申请日：2021-12-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘丽双 ,  王瑞荣 ,  王晨光 ,  武亮伟 ,  高伟 ,  朱诗宁

IPC: G01L1/18 ,  G01L25/00 ,  H01L29/778 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开一种基于InAs QD‑HEMT结构的力敏测试系统，包括试验箱体10，试验箱体10的底座9上放置陶瓷托盘1，陶瓷托盘1内放置InAs QD‑HEMT结构样品2；InAs QD‑HEMT结构样品2的源极通过导线11与直流稳压电源3相连，漏极欧姆接触处通过导线11高精度万用表4相接；试验箱体10上安装有进气阀7和出气阀8，进气阀7与密封压力罐6相连；进气阀7和出气阀8通过压力控制器5控制动作；试验箱体10内安装压力传感器，压力传感器输出信号至压力控制器5。本发明对研制新一代MEMS力敏传感器有着重要的意义和价值，将服务于未来各个领域，特别是灵敏度要求较高的电子、国防、航空航天等力敏测量。

公开(公告)号：CN101655368A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910075586.7

申请日：2009-09-26

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  杜康 ,  李孟委 ,  石云波 ,  王瑞荣

IPC: G01C19/56 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及微机械陀螺仪，具体是一种基于纳米膜量子隧穿效应的电磁驱动陀螺仪。解决了现有微机械陀螺仪所应用的驱动方式、检测方式及与驱动、检测方式对应的结构限制了陀螺仪性能参数进一步提高的问题，包括嵌放有永磁铁的载板、陀螺管芯，陀螺管芯内封装含支撑框体、玻璃基板、组合梁、质量块的陀螺敏感机构；组合梁由检测梁、对称设置于检测梁两侧的“”形驱动梁构成；检测梁与支撑框体的连接处设置有纳米膜量子隧穿器件；质量块上设置有反馈导线、驱动导线；反馈导线与驱动导线两端经沿组合梁设置的连接导线与支撑框体上相应引线焊盘连接。本发明结构简洁、合理、紧凑，适合于微小型化，且灵敏度等性能参数相较于现有微陀螺仪有较大程度提高。