-
公开(公告)号：CN115856558A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111610382.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 中北大学
IPC: G01R31/26 , G01N23/04 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种基于InAs量子点嵌入HEMT结构的抗辐照测试方法，利用量子点抗辐照特性，通过微纳工艺完成将InAs量子点嵌入HEMT结构，以增强其抗辐照的特性。并对InAs量子点嵌入HEMT结构和HEMT结构利用60Co‑γ射线进行辐照前后的性能对比，验证其抗辐照性能，利用该方法可以对HEMT器件的制备提供关键技术支持和约束条件，以提高器件的可靠性。
Search Results
1
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
