基于金刚石NV色心的单路三轴磁信息检测方法及系统

    公开(公告)号:CN111521961B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202010516017.8

    申请日:2020-06-09

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开一种基于金刚石NV色心的单路三轴磁信息检测方法及系统,在激光与微波扫频信号的作用下,金刚石NV色心产生荧光,并通过光电探测器采集到光信号转换为电信号,在示波器上观察到金刚石NV色心的ODMR谱,再通过调整金刚石附近磁铁的位置,得到产生四对峰值的ODMR谱,通过PC机对微波控制模块进行分频调控,产生等频率差等时序输出的单侧ODMR的四路微波频率信号,由数据采集软件采集并记录为初始值,改变外部磁场的大小,重复数据采集步骤,将采集到的新的数据与初始值进行比较,进行电磁信息转换与三轴磁信息解算,最终由PC机输出最后的磁场变化结果。本发明检测方法简便,节约了大型实验设备与空间,提高了实验效率。

    一种基于磁旋光微光学加速度计磁、热噪声双路差分抑制系统

    公开(公告)号:CN111735988B

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202010721749.0

    申请日:2020-07-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁旋光微光学加速度计磁、热噪声双路差分抑制系统,包括双端固支悬臂梁质量块结构(9),所述双端固支悬臂梁质量块结构(9)的中心质量块上嵌入磁性薄膜(8),该磁性薄膜结构进行海尔贝克排列;所述双端固支悬臂梁质量块结构(9)上方平行布置有两条玻璃基底(7),其中一条玻璃基底(7)表面沉积有磁光晶体Ⅰ(6a),另一条玻璃基底(7)表面沉积有磁光晶体Ⅱ(6b)。本发明采用双路原位同步调制解调差分技术来实现对温度、磁噪声的共模抑制,解决了传统微光学加速度计技术依赖温控系统来抑制温噪技术的抑制比低、难以集成的技术难题,为高效温度噪声抑制技术研究提供了技术支撑。

    基于金刚石NV色心的单路三轴磁信息检测方法及系统

    公开(公告)号:CN111521961A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN202010516017.8

    申请日:2020-06-09

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开一种基于金刚石NV色心的单路三轴磁信息检测方法及系统,在激光与微波扫频信号的作用下,金刚石NV色心产生荧光,并通过光电探测器采集到光信号转换为电信号,在示波器上观察到金刚石NV色心的ODMR谱,再通过调整金刚石附近磁铁的位置,得到产生四对峰值的ODMR谱,通过PC机对微波控制模块进行分频调控,产生等频率差等时序输出的单侧ODMR的四路微波频率信号,由数据采集软件采集并记录为初始值,改变外部磁场的大小,重复数据采集步骤,将采集到的新的数据与初始值进行比较,进行电磁信息转换与三轴磁信息解算,最终由PC机输出最后的磁场变化结果。本发明检测方法简便,节约了大型实验设备与空间,提高了实验效率。

    一种基于InAs QD-HEMT结构的力敏测试系统

    公开(公告)号:CN115855325A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202111612348.2

    申请日:2021-12-27

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开一种基于InAs QD‑HEMT结构的力敏测试系统,包括试验箱体10,试验箱体10的底座9上放置陶瓷托盘1,陶瓷托盘1内放置InAs QD‑HEMT结构样品2;InAs QD‑HEMT结构样品2的源极通过导线11与直流稳压电源3相连,漏极欧姆接触处通过导线11高精度万用表4相接;试验箱体10上安装有进气阀7和出气阀8,进气阀7与密封压力罐6相连;进气阀7和出气阀8通过压力控制器5控制动作;试验箱体10内安装压力传感器,压力传感器输出信号至压力控制器5。本发明对研制新一代MEMS力敏传感器有着重要的意义和价值,将服务于未来各个领域,特别是灵敏度要求较高的电子、国防、航空航天等力敏测量。

    一种InAs QD嵌入式HEMT的力敏传感结构

    公开(公告)号:CN115855319A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202111612333.6

    申请日:2021-12-27

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开一种InAs QD嵌入式HEMT的力敏传感结构,在半绝缘GaAs衬底上依次生长高纯度的GaAs缓冲层、高浓度的GaAs/AlGaAs超晶格层、高纯度的GaAs沟道层、InAs量子点层、高纯度的AlGaAs隔离层、Si平面掺杂隔离层、n‑AlGaAs势垒层、高纯度的GaAs隔离层、高掺杂GaAs欧姆接触层;然后在高掺杂GaAs欧姆接触层上加工源极、漏极欧姆接触。电学特性测试表明QD‑HEMT结构设计合理,应力作用下QD‑HEMT结构的输出特性曲线发生变化,表明QD‑HEMT具有较强的力电耦合特性。力敏特性测试结果表明,在0‑100KPa应力范围内,传感器的灵敏度为1.09mV/KPa。

    一种基于磁旋光微光学加速度计的加速度信息闭环检测系统

    公开(公告)号:CN111735987B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202010721727.4

    申请日:2020-07-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁旋光微光学加速度计的加速度信息闭环检测系统,包括双端固支悬臂梁质量块结构(8),双端固支悬臂梁质量块结构(8)的中心质量块上嵌入磁性薄膜(7);双端固支悬臂梁质量块结构(8)上方设有玻璃基底(6),玻璃基底(6)表面沉积有磁光晶体(5),磁光晶体(5)一端通过光纤Ⅰ(4a)连接起偏器(3),起偏器(3)的入射光方向设有平凸镜Ⅰ(2a),平凸镜Ⅰ(2a)的入射光方向设有激光器(1)。本发明通过闭环检测加速度信息的方法,实时检测这个测量系统的稳定性,最终来修正测量结果,这样可有效消除其他不定因素,提高系统的长期稳定性,实现高精度、高灵敏度、高稳定性加速度信息检测。

    一种基于磁旋光微光学加速度计磁、热噪声双路差分抑制系统

    公开(公告)号:CN111735988A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010721749.0

    申请日:2020-07-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁旋光微光学加速度计磁、热噪声双路差分抑制系统,包括双端固支悬臂梁质量块结构(9),所述双端固支悬臂梁质量块结构(9)的中心质量块上嵌入磁性薄膜(8),该磁性薄膜结构进行海尔贝克排列;所述双端固支悬臂梁质量块结构(9)上方平行布置有两条玻璃基底(7),其中一条玻璃基底(7)表面沉积有磁光晶体Ⅰ(6a),另一条玻璃基底(7)表面沉积有磁光晶体Ⅱ(6b)。本发明采用双路原位同步调制解调差分技术来实现对温度、磁噪声的共模抑制,解决了传统微光学加速度计技术依赖温控系统来抑制温噪技术的抑制比低、难以集成的技术难题,为高效温度噪声抑制技术研究提供了技术支撑。

    一种基于磁旋光微光学加速度计的加速度信息闭环检测系统

    公开(公告)号:CN111735987A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010721727.4

    申请日:2020-07-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁旋光微光学加速度计的加速度信息闭环检测系统,包括双端固支悬臂梁质量块结构(8),双端固支悬臂梁质量块结构(8)的中心质量块上嵌入磁性薄膜(7);双端固支悬臂梁质量块结构(8)上方设有玻璃基底(6),玻璃基底(6)表面沉积有磁光晶体(5),磁光晶体(5)一端通过光纤Ⅰ(4a)连接起偏器(3),起偏器(3)的入射光方向设有平凸镜Ⅰ(2a),平凸镜Ⅰ(2a)的入射光方向设有激光器(1)。本发明通过闭环检测加速度信息的方法,实时检测这个测量系统的稳定性,最终来修正测量结果,这样可有效消除其他不定因素,提高系统的长期稳定性,实现高精度、高灵敏度、高稳定性加速度信息检测。

    一种抗电磁辐射的基于石墨烯泡沫/PDMS/WO3复合力敏结构

    公开(公告)号:CN115286922A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202111624904.8

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种抗电磁辐射的基于石墨烯泡沫/PDMS/WO3复合力敏结构。利用CVD法制备了不同石墨烯含量的GF,采用真空辅助浸渍法加工了该力敏复合结构,电学特性与形貌测试表明结构具有良好的导电性与柔韧性,0.4wt%石墨烯含量的复合材料结构电导率最高达到4S/cm。在X波段的电磁屏蔽性能进行测试,得到EMI SE为32dB。重复弯曲10000次后结构的电磁屏蔽效能未发生明显变化,力敏特性测试结果表明在30‑50%拉伸应变范围内,复合结构的灵敏度为8.7;在600‑1000KPa压力范围内,灵敏度为0.15KPa‑1,1000KPa应力作用下力敏材料的电磁屏蔽系数降低为25dB。

    一种基于磁致法拉第旋光效应的加速度传感器

    公开(公告)号:CN111830283B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202010722797.1

    申请日:2020-07-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁致法拉第旋光效应的加速度传感器,具体为:双端固支悬臂梁质量块结构8的中心质量块上嵌入磁性薄膜7;悬臂梁质量块结构上方设有玻璃基底6,玻璃基底表面沉积有磁光晶体5,磁光晶体一端通过光纤Ⅰ4a连接起偏器3,起偏器的入射光方向设有平凸镜Ⅰ2a,平凸镜Ⅰ的入射光方向设有激光器1;磁光晶体另一端通过光纤Ⅱ4b连接弹光调制器10,弹光调制器的出射光方向依次设有检偏器11、平凸镜Ⅱ2b、光电探测器12、前置放大器13、锁相放大器14。当有加速度信号时,诱导磁性薄膜磁场变化,从而引起磁光晶体线偏振光发生旋光效应,产生旋光角,通过检测加速度诱导的磁致旋光角,实现对微弱加速度参数高精度测量。

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