公开(公告)号：CN115855325A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202111612348.2

申请日：2021-12-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘丽双 ,  王瑞荣 ,  王晨光 ,  武亮伟 ,  高伟 ,  朱诗宁

IPC: G01L1/18 ,  G01L25/00 ,  H01L29/778 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开一种基于InAs QD‑HEMT结构的力敏测试系统，包括试验箱体10，试验箱体10的底座9上放置陶瓷托盘1，陶瓷托盘1内放置InAs QD‑HEMT结构样品2；InAs QD‑HEMT结构样品2的源极通过导线11与直流稳压电源3相连，漏极欧姆接触处通过导线11高精度万用表4相接；试验箱体10上安装有进气阀7和出气阀8，进气阀7与密封压力罐6相连；进气阀7和出气阀8通过压力控制器5控制动作；试验箱体10内安装压力传感器，压力传感器输出信号至压力控制器5。本发明对研制新一代MEMS力敏传感器有着重要的意义和价值，将服务于未来各个领域，特别是灵敏度要求较高的电子、国防、航空航天等力敏测量。