公开(公告)号：CN115290223A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202111626111.X

申请日：2021-12-29

Applicant: 太原工业学院 ,  中北大学

Inventor： 王瑞荣 ,  刘丽双 ,  罗正杰 ,  林绍卓 ,  贾旭光

IPC: G01L1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于RC振荡频率检测的柔性力敏传感测试方法，通过对CNT/PDMS力敏结构在交流状态下进行实验，除了考虑到对纳米复合材料力敏结构施加应力，碳纳米管在聚合物内部位置、形状等发生改变，多个纳米管之间的距离也会变化，使得导电网络发生变化，导致电阻发生变化，还考虑了有电容发生变化，最后对整体电路进行分析考虑。从而实现了一种高精度高灵敏的RC振荡频率检测的柔性力敏传感方法。

公开(公告)号：CN115855319A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202111612333.6

申请日：2021-12-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 王晨光 ,  刘丽双 ,  王瑞荣 ,  贾旭光 ,  武亮伟 ,  李欣

IPC: G01L1/00 ,  G01L9/00 ,  H01L29/778 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开一种InAs QD嵌入式HEMT的力敏传感结构，在半绝缘GaAs衬底上依次生长高纯度的GaAs缓冲层、高浓度的GaAs/AlGaAs超晶格层、高纯度的GaAs沟道层、InAs量子点层、高纯度的AlGaAs隔离层、Si平面掺杂隔离层、n‑AlGaAs势垒层、高纯度的GaAs隔离层、高掺杂GaAs欧姆接触层；然后在高掺杂GaAs欧姆接触层上加工源极、漏极欧姆接触。电学特性测试表明QD‑HEMT结构设计合理，应力作用下QD‑HEMT结构的输出特性曲线发生变化，表明QD‑HEMT具有较强的力电耦合特性。力敏特性测试结果表明，在0‑100KPa应力范围内，传感器的灵敏度为1.09mV/KPa。