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公开(公告)号：CN109813931B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910072513.6
申请日：2019-01-25
Applicant: 中北大学
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 焦静静 , 郭涛 , 高晋阳 , 李杰 , 张晓明 , 马宗敏 , 赵永祺 , 赵思晗 , 许鑫 , 李飞 , 王彦林 , 张英杰 , 米振国 , 张婕 , 刘玉
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及传感器芯片封装结构，具体涉及一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构；包括一层为一面可接地钎焊的低温共烧陶瓷片，不可钎焊面采用阳极键合技术，实现熟瓷片与敏感结构背面键合，敏感结构正面也采用阳极键合与三层熟瓷片键合，第一层为一片和传感器框架面积一样的低温共烧陶瓷框架，同时通过激光打孔、浆料填孔实现敏感结构的PAD点与第二层电路相连；第二层通过浆料印刷，实现电路转接功能，将信号传输至熟瓷片第三层，即封装结构顶层；封装结构顶层印刷上可钎焊浆料，由此可以通过钎焊将熟瓷片与输出电线相连；本发明使封装结构面积最小化，实现了加速度传感器无引线封装，极大的提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN108502843B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810266220.7
申请日：2018-03-28
Applicant: 中北大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及硅微杯形谐振陀螺的加工方法，具体是一种基于多晶硅生长法的硅微杯形谐振陀螺加工方法。本发明解决了深硅刻蚀法加工出的硅微杯形谐振陀螺深宽比小、表面光滑度低的问题。一种基于多晶硅生长法的硅微杯形谐振陀螺加工方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤a：在圆形硅基片的上表面生长第I氮化硅层；步骤b：在圆形硅基片的上表面刻蚀形成圆形凹腔；步骤c：将第I氮化硅层和第II氮化硅层去除；步骤d：在二氧化硅层的表面生长多晶硅层；步骤e：刻蚀形成第II圆环形窗口；步骤f：再次生长二氧化硅层；步骤g：将圆环形硅凸台腐蚀掉；步骤h：将二氧化硅层的暴露部分腐蚀掉。本发明适用于硅微杯形谐振陀螺的加工。
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公开(公告)号：CN109813931A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910072513.6
申请日：2019-01-25
Applicant: 中北大学
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 焦静静 , 郭涛 , 高晋阳 , 李杰 , 张晓明 , 马宗敏 , 赵永祺 , 赵思晗 , 许鑫 , 李飞 , 王彦林 , 张英杰 , 米振国 , 张婕 , 刘玉
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及传感器芯片封装结构，具体涉及一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构；包括一层为一面可接地钎焊的低温共烧陶瓷片，不可钎焊面采用阳极键合技术，实现熟瓷片与敏感结构背面键合，敏感结构正面也采用阳极键合与三层熟瓷片键合，第一层为一片和传感器框架面积一样的低温共烧陶瓷框架，同时通过激光打孔、浆料填孔实现敏感结构的PAD点与第二层电路相连；第二层通过浆料印刷，实现电路转接功能，将信号传输至熟瓷片第三层，即封装结构顶层；封装结构顶层印刷上可钎焊浆料，由此可以通过钎焊将熟瓷片与输出电线相连；本发明使封装结构面积最小化，实现了加速度传感器无引线封装，极大的提高了传感器的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108692740B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810265172.X
申请日：2018-03-28
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及硅微杯形谐振陀螺的加工方法，具体是一种基于高深宽比深硅刻蚀法的硅微杯形谐振陀螺加工方法。本发明解决了深硅刻蚀法加工出的硅微杯形谐振陀螺深宽比小、表面光滑度低的问题。基于高深宽比深硅刻蚀法的硅微杯形谐振陀螺加工方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤a：加工圆形通孔和第I圆环形通孔；步骤b：溅射欧姆接触层；步骤c：生长二氧化硅层；步骤d：光刻形成圆形窗口和第I圆环形窗口；步骤e：旋涂光刻胶层；步骤f：光刻形成第II圆环形窗口；步骤g：刻蚀形成第II圆环形凹腔；步骤h：将光刻胶层去除；步骤i：将第II圆环形凹腔刻蚀成为第II圆环形通孔；步骤j：将二氧化硅层去除。本发明适用于硅微杯形谐振陀螺的加工。
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公开(公告)号：CN108692740A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810265172.X
申请日：2018-03-28
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及硅微杯形谐振陀螺的加工方法，具体是一种基于高深宽比深硅刻蚀法的硅微杯形谐振陀螺加工方法。本发明解决了深硅刻蚀法加工出的硅微杯形谐振陀螺深宽比小、表面光滑度低的问题。基于高深宽比深硅刻蚀法的硅微杯形谐振陀螺加工方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤a：加工圆形通孔和第I圆环形通孔；步骤b：溅射欧姆接触层；步骤c：生长二氧化硅层；步骤d：光刻形成圆形窗口和第I圆环形窗口；步骤e：旋涂光刻胶层；步骤f：光刻形成第II圆环形窗口；步骤g：刻蚀形成第II圆环形凹腔；步骤h：将光刻胶层去除；步骤i：将第II圆环形凹腔刻蚀成为第II圆环形通孔；步骤j：将二氧化硅层去除。本发明适用于硅微杯形谐振陀螺的加工。
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公开(公告)号：CN109164272B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201811249318.8
申请日：2018-10-25
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 白桦 , 李杰 , 赵锐 , 高晋阳 , 郭涛 , 李飞 , 赵思晗 , 赵永祺 , 王彦林 , 焦静静 , 张英杰 , 寇志伟 , 许鑫
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器，具体为推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计，解决现有MEMS谐振式加速度传感器的结构冗余问题，方案：包括外边框，外边框内设有质量块，质量块上镂空有连接梁、DETF谐振器、固定锚点和杠杆机构，连接梁与对称轴垂直，DETF谐振器、固定锚点、杠杆机构沿对称中心对称。优点：结构设计巧妙，通过杠杆使作用在谐振器上的力相等，不会由于结构加工误差导致杠杆机构输出的力的大小不一致；此结构不仅实现频率上的差分输出，而且实现杠杆机构放大惯性力上的差分输出，用两组分离的一级杠杆同时作用连接梁使其一侧受到拉应力，另一侧受到压应力，有效实现了连接梁上驱动力的放大。
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公开(公告)号：CN109164272A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811249318.8
申请日：2018-10-25
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 白桦 , 李杰 , 赵锐 , 高晋阳 , 郭涛 , 李飞 , 赵思晗 , 赵永祺 , 王彦林 , 焦静静 , 张英杰 , 寇志伟 , 许鑫
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器，具体为推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计，解决现有MEMS谐振式加速度传感器的结构冗余问题，方案：包括外边框，外边框内设有质量块，质量块上镂空有连接梁、DETF谐振器、固定锚点和杠杆机构，连接梁与对称轴垂直，DETF谐振器、固定锚点、杠杆机构沿对称中心对称。优点：结构设计巧妙，通过杠杆使作用在谐振器上的力相等，不会由于结构加工误差导致杠杆机构输出的力的大小不一致；此结构不仅实现频率上的差分输出，而且实现杠杆机构放大惯性力上的差分输出，用两组分离的一级杠杆同时作用连接梁使其一侧受到拉应力，另一侧受到压应力，有效实现了连接梁上驱动力的放大。
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公开(公告)号：CN108502843A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810266220.7
申请日：2018-03-28
Applicant: 中北大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00404 , B81C1/00349
Abstract: 本发明涉及硅微杯形谐振陀螺的加工方法，具体是一种基于多晶硅生长法的硅微杯形谐振陀螺加工方法。本发明解决了深硅刻蚀法加工出的硅微杯形谐振陀螺深宽比小、表面光滑度低的问题。一种基于多晶硅生长法的硅微杯形谐振陀螺加工方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤a：在圆形硅基片的上表面生长第I氮化硅层；步骤b：在圆形硅基片的上表面刻蚀形成圆形凹腔；步骤c：将第I氮化硅层和第II氮化硅层去除；步骤d：在二氧化硅层的表面生长多晶硅层；步骤e：刻蚀形成第II圆环形窗口；步骤f：再次生长二氧化硅层；步骤g：将圆环形硅凸台腐蚀掉；步骤h：将二氧化硅层的暴露部分腐蚀掉。本发明适用于硅微杯形谐振陀螺的加工。
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