推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计

    公开(公告)号:CN109164272A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811249318.8

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器,具体为推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计,解决现有MEMS谐振式加速度传感器的结构冗余问题,方案:包括外边框,外边框内设有质量块,质量块上镂空有连接梁、DETF谐振器、固定锚点和杠杆机构,连接梁与对称轴垂直,DETF谐振器、固定锚点、杠杆机构沿对称中心对称。优点:结构设计巧妙,通过杠杆使作用在谐振器上的力相等,不会由于结构加工误差导致杠杆机构输出的力的大小不一致;此结构不仅实现频率上的差分输出,而且实现杠杆机构放大惯性力上的差分输出,用两组分离的一级杠杆同时作用连接梁使其一侧受到拉应力,另一侧受到压应力,有效实现了连接梁上驱动力的放大。

    一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法

    公开(公告)号:CN108328568B

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201810135219.0

    申请日:2018-02-09

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明涉及压阻式加速度传感器,具体是一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法。本发明解决了现有压阻式加速度传感器在高温环境下使用时稳定性和可靠性差的问题。一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法,该方法是采用如下步骤实现的:步骤a:准备正方形SiC基底;步骤b:对正方形SiC基底进行减薄;步骤c:在正方形SiC基底的背面刻蚀形成口字形凹腔和正方形质量块;步骤d:将正方形n型外延层刻蚀成为四个长方形压敏电阻条;步骤e:沉积氧化层;步骤f:溅射正方形金属层;步骤g:在氧化层的正面和口字形凹腔的底面之间刻蚀形成四个正方形通孔。本发明适用于军事国防、航空航天等领域。

    一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法

    公开(公告)号:CN108328568A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810135219.0

    申请日:2018-02-09

    Applicant: 中北大学

    CPC classification number: B81C1/00349 G01P15/12

    Abstract: 本发明涉及压阻式加速度传感器,具体是一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法。本发明解决了现有压阻式加速度传感器在高温环境下使用时稳定性和可靠性差的问题。一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法,该方法是采用如下步骤实现的:步骤a:准备正方形SiC基底;步骤b:对正方形SiC基底进行减薄;步骤c:在正方形SiC基底的背面刻蚀形成口字形凹腔和正方形质量块;步骤d:将正方形n型外延层刻蚀成为四个长方形压敏电阻条;步骤e:沉积氧化层;步骤f:溅射正方形金属层;步骤g:在氧化层的正面和口字形凹腔的底面之间刻蚀形成四个正方形通孔。本发明适用于军事国防、航空航天等领域。

    推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计

    公开(公告)号:CN109164272B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201811249318.8

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器,具体为推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计,解决现有MEMS谐振式加速度传感器的结构冗余问题,方案:包括外边框,外边框内设有质量块,质量块上镂空有连接梁、DETF谐振器、固定锚点和杠杆机构,连接梁与对称轴垂直,DETF谐振器、固定锚点、杠杆机构沿对称中心对称。优点:结构设计巧妙,通过杠杆使作用在谐振器上的力相等,不会由于结构加工误差导致杠杆机构输出的力的大小不一致;此结构不仅实现频率上的差分输出,而且实现杠杆机构放大惯性力上的差分输出,用两组分离的一级杠杆同时作用连接梁使其一侧受到拉应力,另一侧受到压应力,有效实现了连接梁上驱动力的放大。

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