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公开(公告)号：CN109164272A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811249318.8
申请日：2018-10-25
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 白桦 , 李杰 , 赵锐 , 高晋阳 , 郭涛 , 李飞 , 赵思晗 , 赵永祺 , 王彦林 , 焦静静 , 张英杰 , 寇志伟 , 许鑫
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器，具体为推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计，解决现有MEMS谐振式加速度传感器的结构冗余问题，方案：包括外边框，外边框内设有质量块，质量块上镂空有连接梁、DETF谐振器、固定锚点和杠杆机构，连接梁与对称轴垂直，DETF谐振器、固定锚点、杠杆机构沿对称中心对称。优点：结构设计巧妙，通过杠杆使作用在谐振器上的力相等，不会由于结构加工误差导致杠杆机构输出的力的大小不一致；此结构不仅实现频率上的差分输出，而且实现杠杆机构放大惯性力上的差分输出，用两组分离的一级杠杆同时作用连接梁使其一侧受到拉应力，另一侧受到压应力，有效实现了连接梁上驱动力的放大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108328568B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201810135219.0
申请日：2018-02-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及压阻式加速度传感器，具体是一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法。本发明解决了现有压阻式加速度传感器在高温环境下使用时稳定性和可靠性差的问题。一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤a：准备正方形SiC基底；步骤b：对正方形SiC基底进行减薄；步骤c：在正方形SiC基底的背面刻蚀形成口字形凹腔和正方形质量块；步骤d：将正方形n型外延层刻蚀成为四个长方形压敏电阻条；步骤e：沉积氧化层；步骤f：溅射正方形金属层；步骤g：在氧化层的正面和口字形凹腔的底面之间刻蚀形成四个正方形通孔。本发明适用于军事国防、航空航天等领域。
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公开(公告)号：CN108328568A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810135219.0
申请日：2018-02-09
Applicant: 中北大学
CPC classification number: B81C1/00349 , G01P15/12
Abstract: 本发明涉及压阻式加速度传感器，具体是一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法。本发明解决了现有压阻式加速度传感器在高温环境下使用时稳定性和可靠性差的问题。一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤a：准备正方形SiC基底；步骤b：对正方形SiC基底进行减薄；步骤c：在正方形SiC基底的背面刻蚀形成口字形凹腔和正方形质量块；步骤d：将正方形n型外延层刻蚀成为四个长方形压敏电阻条；步骤e：沉积氧化层；步骤f：溅射正方形金属层；步骤g：在氧化层的正面和口字形凹腔的底面之间刻蚀形成四个正方形通孔。本发明适用于军事国防、航空航天等领域。
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公开(公告)号：CN109813931B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910072513.6
申请日：2019-01-25
Applicant: 中北大学
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 焦静静 , 郭涛 , 高晋阳 , 李杰 , 张晓明 , 马宗敏 , 赵永祺 , 赵思晗 , 许鑫 , 李飞 , 王彦林 , 张英杰 , 米振国 , 张婕 , 刘玉
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及传感器芯片封装结构，具体涉及一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构；包括一层为一面可接地钎焊的低温共烧陶瓷片，不可钎焊面采用阳极键合技术，实现熟瓷片与敏感结构背面键合，敏感结构正面也采用阳极键合与三层熟瓷片键合，第一层为一片和传感器框架面积一样的低温共烧陶瓷框架，同时通过激光打孔、浆料填孔实现敏感结构的PAD点与第二层电路相连；第二层通过浆料印刷，实现电路转接功能，将信号传输至熟瓷片第三层，即封装结构顶层；封装结构顶层印刷上可钎焊浆料，由此可以通过钎焊将熟瓷片与输出电线相连；本发明使封装结构面积最小化，实现了加速度传感器无引线封装，极大的提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN109813931A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910072513.6
申请日：2019-01-25
Applicant: 中北大学
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 焦静静 , 郭涛 , 高晋阳 , 李杰 , 张晓明 , 马宗敏 , 赵永祺 , 赵思晗 , 许鑫 , 李飞 , 王彦林 , 张英杰 , 米振国 , 张婕 , 刘玉
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及传感器芯片封装结构，具体涉及一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构；包括一层为一面可接地钎焊的低温共烧陶瓷片，不可钎焊面采用阳极键合技术，实现熟瓷片与敏感结构背面键合，敏感结构正面也采用阳极键合与三层熟瓷片键合，第一层为一片和传感器框架面积一样的低温共烧陶瓷框架，同时通过激光打孔、浆料填孔实现敏感结构的PAD点与第二层电路相连；第二层通过浆料印刷，实现电路转接功能，将信号传输至熟瓷片第三层，即封装结构顶层；封装结构顶层印刷上可钎焊浆料，由此可以通过钎焊将熟瓷片与输出电线相连；本发明使封装结构面积最小化，实现了加速度传感器无引线封装，极大的提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN109164272B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201811249318.8
申请日：2018-10-25
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 白桦 , 李杰 , 赵锐 , 高晋阳 , 郭涛 , 李飞 , 赵思晗 , 赵永祺 , 王彦林 , 焦静静 , 张英杰 , 寇志伟 , 许鑫
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器，具体为推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计，解决现有MEMS谐振式加速度传感器的结构冗余问题，方案：包括外边框，外边框内设有质量块，质量块上镂空有连接梁、DETF谐振器、固定锚点和杠杆机构，连接梁与对称轴垂直，DETF谐振器、固定锚点、杠杆机构沿对称中心对称。优点：结构设计巧妙，通过杠杆使作用在谐振器上的力相等，不会由于结构加工误差导致杠杆机构输出的力的大小不一致；此结构不仅实现频率上的差分输出，而且实现杠杆机构放大惯性力上的差分输出，用两组分离的一级杠杆同时作用连接梁使其一侧受到拉应力，另一侧受到压应力，有效实现了连接梁上驱动力的放大。
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