公开(公告)号：CN109813931B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910072513.6

申请日：2019-01-25

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  唐军 ,  曹慧亮 ,  焦静静 ,  郭涛 ,  高晋阳 ,  李杰 ,  张晓明 ,  马宗敏 ,  赵永祺 ,  赵思晗 ,  许鑫 ,  李飞 ,  王彦林 ,  张英杰 ,  米振国 ,  张婕 ,  刘玉

IPC: G01P15/00

Abstract: 本发明涉及传感器芯片封装结构，具体涉及一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构；包括一层为一面可接地钎焊的低温共烧陶瓷片，不可钎焊面采用阳极键合技术，实现熟瓷片与敏感结构背面键合，敏感结构正面也采用阳极键合与三层熟瓷片键合，第一层为一片和传感器框架面积一样的低温共烧陶瓷框架，同时通过激光打孔、浆料填孔实现敏感结构的PAD点与第二层电路相连；第二层通过浆料印刷，实现电路转接功能，将信号传输至熟瓷片第三层，即封装结构顶层；封装结构顶层印刷上可钎焊浆料，由此可以通过钎焊将熟瓷片与输出电线相连；本发明使封装结构面积最小化，实现了加速度传感器无引线封装，极大的提高了传感器的可靠性。

公开(公告)号：CN109813931A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910072513.6

申请日：2019-01-25

Applicant: 中北大学

Inventor： 石云波 ,  刘俊 ,  唐军 ,  曹慧亮 ,  焦静静 ,  郭涛 ,  高晋阳 ,  李杰 ,  张晓明 ,  马宗敏 ,  赵永祺 ,  赵思晗 ,  许鑫 ,  李飞 ,  王彦林 ,  张英杰 ,  米振国 ,  张婕 ,  刘玉

IPC: G01P15/00

Abstract: 本发明涉及传感器芯片封装结构，具体涉及一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构；包括一层为一面可接地钎焊的低温共烧陶瓷片，不可钎焊面采用阳极键合技术，实现熟瓷片与敏感结构背面键合，敏感结构正面也采用阳极键合与三层熟瓷片键合，第一层为一片和传感器框架面积一样的低温共烧陶瓷框架，同时通过激光打孔、浆料填孔实现敏感结构的PAD点与第二层电路相连；第二层通过浆料印刷，实现电路转接功能，将信号传输至熟瓷片第三层，即封装结构顶层；封装结构顶层印刷上可钎焊浆料，由此可以通过钎焊将熟瓷片与输出电线相连；本发明使封装结构面积最小化，实现了加速度传感器无引线封装，极大的提高了传感器的可靠性。