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公开(公告)号：CN101111502B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN101111502A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN1835961A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023620.1
申请日：2004-08-11
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 一种具有低熔点及优异蒸发性能而且能在低温下在衬底上淀积成薄膜的有机金属化合物；以及一种从这种有机金属化合物制备铱基薄膜的方法。通式[2]和通式[3]所代表的化合物：[2][3]与通式[4]所代表的化合物反应，得到通式[1]所代表的有机铱化合物：[1][式中R1代表氢或低级烷基；R2代表低级烷基；X代表卤素；而M代表碱金属]。此化合物用作制备铱基薄膜的原料。
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公开(公告)号：CN101304964B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1-6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1-3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1-4个碳原子的烷基或类似物)。Ti(NR5R6)4 (3)
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公开(公告)号：CN100390186C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480023620.1
申请日：2004-08-11
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 一种具有低熔点及优异蒸发性能而且能在低温下在衬底上淀积成薄膜的有机金属化合物；以及一种从这种有机金属化合物制备铱基薄膜的方法。通式[2]和通式[3]所代表的化合物：[2][3]与通式[4]所代表的化合物反应，得到通式[1]所代表的有机铱化合物：[1][式中R1代表氢或低级烷基；R2代表低级烷基；X代表卤素；而M代表碱金属]。此化合物用作制备铱基薄膜的原料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103917487A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054346.9
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C01B13/32 , C01B33/113 , C01G23/04 , C07F7/10 , C07F7/18 , C07F7/28 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN101304964A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1－6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1－3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1－4个碳原子的烷基或类似物)。
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公开(公告)号：CN101238095A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029033.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C257/12 , C07C257/14 , C23C16/40 , H01L21/312 , C07F5/00 , C07F5/06 , C07F7/00 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C257/14 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/003 , C23C16/40 , H01L21/3141
Abstract: 本发明提供具有合适的热稳定性、合适的挥发性，适宜于作为CVD法或ALD法原料的化合物，该化合物的制备方法、该化合物作为原料形成的薄膜和薄膜形成方法。通式(1)表示的化合物通过使通式(2)表示的化合物与通式(3)表示的化合物反应制备。使用制备的该化合物为原料形成含金属薄膜。(在通式中，M表示第4族原子、铝原子、镓原子等；根据情况n是2或3；R1和R3各自表示具有1－6个碳原子的烷基等；R2表示具有1－6个碳原子的烷基等；R4和R5各自表示具有1－4个碳原子的烷基等；X表示氢原子、锂原子或钠原子；根据情况p是1或2；和根据情况q是4或6)。
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公开(公告)号：CN105001254A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510363768.X
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C03C17/23 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN102197444A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142168.3
申请日：2009-10-21
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
CPC classification number: C23C18/08 , B22F9/24 , B22F2998/00 , H01B1/02 , H01B1/026 , B22F1/0018
Abstract: 本发明提供能够由高价金属化合物直接制造金属膜的组合物、金属膜的制造方法、以及金属粉末的制造方法。使用铜、银或铟的金属膜制造用组合物形成覆膜，然后进行加热还原，由此制造铜、银或铟的金属膜，所述铜、银或铟的金属膜制造用组合物的特征在于，含有铜、银或铟的高价化合物，直链、支链或环状的碳原子数为1～18的醇类，以及VIII族的金属催化剂。另外，代替铜、银或铟的高价化合物，使用具有包含铜、银或铟的高价化合物的表层的铜、银或铟的金属颗粒，与上述同样地制造铜、银或铟的金属膜。
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